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公开(公告)号：CN112612077B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202011432710.3
申请日：2020-12-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种混合等离子体波导及其制备方法，该混合等离子体波导包括基底以及覆盖基底的缓冲层、波导结构、上包层、支撑结构层和金属层，所述波导结构设置在缓冲层上；所述上包层覆盖波导结构；所述支撑结构层覆盖上包层，所述金属层设置在支撑结构层上；所述金属层的材料采用标准CMOS工艺兼容的金属；所述波导结构的至少部分悬置于缓冲层和支撑结构层之间形成的空腔中；所述支撑结构层和金属层上分别对应设置有多个连通空腔的孔洞。该混合等离子体波导中波导结构的至少部分悬置于空腔中，提高倏逝场因子，有效提波导灵敏度；金属层可采用标准CMOS工艺兼容的金属取代金、银等贵重金属，构成混合等离子体波导，突破光的衍射极限。
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公开(公告)号：CN113391377B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202110443474.3
申请日：2021-04-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G02B1/00
Abstract: 本发明公开了一种谐振模式的操纵方法及操纵系统、电子设备和存储介质，涉及光子晶体技术领域，用于在确保一维光子晶体纳米束腔具有目标谐振模式的情况下，使得谐振模式的操纵更加灵活，降低一维光子晶体纳米束腔应用于多参量传感检测等操作中的难度。所述方法包括：根据一维光子晶体纳米束腔的当前谐振模式和目标谐振模式，确定模式偏移信息。根据当前谐振模式、模式偏移信息和一维光子晶体纳米束腔的当前结构信息，确定一维光子晶体纳米束腔的光场局域区域的目标结构信息。目标结构信息至少包括周期性孔的结构信息。根据光场局域区域的目标结构信息，对光场局域区域进行调整，以将一维光子晶体纳米束腔的当前谐振模式调整至目标谐振模式。
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公开(公告)号：CN113380905B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202110502234.6
申请日：2021-05-08
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/107 , H01L31/18 , H01L27/146
Abstract: 本发明公开一种硅基光探测器以及制备方法、电子设备，涉及硅基器件技术领域，用于提供一种结构简单、光响应度和量子效率较高的硅基光探测器。包括：具有脊型顶层硅的SOI基底；其中，脊型顶层硅包括基部以及形成在所述基部上的脊部；形成在脊部中的N型掺杂区，以及至少形成在基部中的P型掺杂区；其中，N型掺杂区包括N型重掺杂区以及形成在N型重掺杂区两侧的N阱，P型掺杂区包括P阱以及形成在P阱两侧的P型重掺杂区，且N型重掺杂区域与P阱之间形成有超浅结；形成在P型重掺杂区上的阳极，以及形成在N型重掺杂区上的阴极。
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公开(公告)号：CN113391377A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110443474.3
申请日：2021-04-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G02B1/00
Abstract: 本发明公开了一种谐振模式的操纵方法及操纵系统、电子设备和存储介质，涉及光子晶体技术领域，用于在确保一维光子晶体纳米束腔具有目标谐振模式的情况下，使得谐振模式的操纵更加灵活，降低一维光子晶体纳米束腔应用于多参量传感检测等操作中的难度。所述方法包括：根据一维光子晶体纳米束腔的当前谐振模式和目标谐振模式，确定模式偏移信息。根据当前谐振模式、模式偏移信息和一维光子晶体纳米束腔的当前结构信息，确定一维光子晶体纳米束腔的光场局域区域的目标结构信息。目标结构信息至少包括周期性孔的结构信息。根据光场局域区域的目标结构信息，对光场局域区域进行调整，以将一维光子晶体纳米束腔的当前谐振模式调整至目标谐振模式。
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公开(公告)号：CN112992886A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110181478.9
申请日：2021-02-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L25/16 , H01L23/538 , H01L23/367
Abstract: 本发明公开了一种集成电路，涉及集成电路技术领域，用于在降低集成电路的功耗的同时，提升集成电路的工作性能。该集成电路包括：半导体衬底、光模块、第二电芯片和互连结构。半导体衬底的第一侧开设有开口槽。光模块包括光芯片和第一电芯片。光芯片位于开口槽内，用于对光信号进行调制，和/或将光信号转换为电信号。第一电芯片的其中一部分位于光芯片上、且与光芯片电连接。第一电芯片的另一部分位于半导体衬底的第一侧上。第二电芯片位于半导体衬底的第一侧上。互连结构至少位于半导体衬底内，用于将第一电芯片位于半导体衬底上的部分与第二电芯片电连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112987289B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202110161344.0
申请日：2021-02-05
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G02B27/00
Abstract: 本公开提供一种波导结构的参数优化方法，方法包括：通过获取目标光刻工艺的特征尺寸；根据预设优化算法对波导结构的宽度渐变结构进行参数优化，得到优化结果，所述优化结果包括预设数量的优化点；根据所述特征尺寸调整所述预设数量，继续根据预设优化算法对所述宽度渐变结构进行参数优化，直至满足预设条件后结束参数优化；所述预设条件包括：优化结果中相邻优化点之间宽度差值大于等于所述特征尺寸，且优化点的数量大于等于预设阈值，相比于现有技术，采用本公开参数优化方法设计制作的波导结构，能够达到更小的插损和串扰，并且仅采用一层刻蚀，简化了制作工艺。
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公开(公告)号：CN113433615A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110540846.4
申请日：2021-05-18
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G02B6/12
Abstract: 本发明公开了一种芯片，涉及芯片技术领域，用于通过一个光栅耦合器实现在相同的出射角度下对不同波长的寻址激光进行衍射，提高芯片的大规模可扩展性。所述芯片包括：基底、以及设置在基底表面的表面离子阱电极；表面离子阱电极用于在基底上方的预设区域内囚禁离子；其中，基底具有多个光栅耦合器；光栅耦合器所包括的光栅部用于将多种不同波长的寻址激光以相同的出射角度衍射至同一离子处，以完成寻址。
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公开(公告)号：CN113380905A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110502234.6
申请日：2021-05-08
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/107 , H01L31/18 , H01L27/146
Abstract: 本发明公开一种硅基光探测器以及制备方法、电子设备，涉及硅基器件技术领域，用于提供一种结构简单、光响应度和量子效率较高的硅基光探测器。包括：具有脊型顶层硅的SOI基底；其中，脊型顶层硅包括基部以及形成在所述基部上的脊部；形成在脊部中的N型掺杂区，以及至少形成在基部中的P型掺杂区；其中，N型掺杂区包括N型重掺杂区以及形成在N型重掺杂区两侧的N阱，P型掺杂区包括P阱以及形成在P阱两侧的P型重掺杂区，且N型重掺杂区域与P阱之间形成有超浅结；形成在P型重掺杂区上的阳极，以及形成在N型重掺杂区上的阴极。
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公开(公告)号：CN112612077A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011432710.3
申请日：2020-12-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种混合等离子体波导及其制备方法，该混合等离子体波导包括基底以及覆盖基底的缓冲层、波导结构、上包层、支撑结构层和金属层，所述波导结构设置在缓冲层上；所述上包层覆盖波导结构；所述支撑结构层覆盖上包层，所述金属层设置在支撑结构层上；所述金属层的材料采用标准CMOS工艺兼容的金属；所述波导结构的至少部分悬置于缓冲层和支撑结构层之间形成的空腔中；所述支撑结构层和金属层上分别对应设置有多个连通空腔的孔洞。该混合等离子体波导中波导结构的至少部分悬置于空腔中，提高倏逝场因子，有效提波导灵敏度；金属层可采用标准CMOS工艺兼容的金属取代金、银等贵重金属，构成混合等离子体波导，突破光的衍射极限。
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公开(公告)号：CN112269276A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011272415.6
申请日：2020-11-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明公开了一种光器件，涉及光器件技术领域，用于在加热电极加热过程中，使光波导均匀受热，从而提高光器件的工作性能。该光器件包括：基底和热场调节部。基底具有光波导、以及位于光波导上方的加热电极。加热电极具有镂空区域。热场调节部位于光波导和加热电极之间。热场调节部用于在加热电极加热过程中，调节加热电极所产生的热场的传导范围，以使光波导均匀受热。
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