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公开(公告)号：CN113659016B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202110797165.6
申请日：2021-07-14
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H10F77/30 , H10F30/227
Abstract: 本发明公开一种光电探测器，涉及光电子技术领域，以通过设置有布拉格谐振腔的狭缝波导部将光信号局域至石墨烯层内，并增强光信号与石墨烯层之间的相互作用，提高光电探测器在工作时的光电探测响应度。所述光电探测器包括：基底、光波导结构、石墨烯层、第一电极和第二电极。光波导结构形成在基底上。光波导结构包括设置有布拉格谐振腔的狭缝波导部。石墨烯层至少覆盖狭缝波导部。狭缝波导部用于将光信号局域至石墨烯层内。第一电极和第二电极形成在基底的上方。第一电极与光波导结构电连接，用于在外加电场的作用下导出第一类载流子。第二电极与石墨烯层电连接，用于在外加电场的作用下导出第二类载流子。第一类载流子和第二类载流子的电性相反。
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公开(公告)号：CN118539286A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410564578.3
申请日：2024-05-08
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种混合外腔激光器和传感系统，涉及光电子器件技术领域，用于通过反射型半导体光放大器和异构微环腔的集成，实现便携的高集成度的混合外腔激光器。所述混合外腔激光器包括：基底、以及设置在基底上的反射型半导体光放大器、异构微环腔和反射镜。其中，上述反射型半导体光放大器的输出端与异构微环腔的输入端相连。异构微环腔的下载端和反射镜连接。反射镜的输出端为混合外腔激光器的输出端。上述异构微环腔具有微环结构、以及设置在微环结构内的一维光子晶体纳米束腔，同时用作混合激光器的外腔和与待测物接触的传感腔。所述混合外腔激光器应用于传感系统。
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公开(公告)号：CN116794767A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310076642.9
申请日：2023-01-16
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本申请提供一种层间耦合结构及其制备方法，该结构包括：位于衬底上的第一波导；第一介质层覆盖第一波导；位于第一介质层远离衬底一侧的第一层氮化硅结构；第二介质层覆盖第一层氮化硅结构；位于第二介质层远离衬底一侧的第二层氮化硅结构；第一波导、第一层氮化硅结构和第二层氮化硅结构任意两者之间在衬底上的正投影具有重合区域；第二层氮化硅结构靠近第一波导的一端具有斜面结构。利用第一层氮化硅结构来提高层间耦合结构中膜层的质量，降低波导损耗，但第一层氮化硅结构的厚度不宜过厚，否则会产生裂纹，从而影响器件的整体性能，故在第一层氮化硅结构上形成第二层氮化硅结构以从整体上保证层间耦合结构中膜层厚度，减少损耗，提高器件性能。
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公开(公告)号：CN112680715B
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202011263056.8
申请日：2020-11-12
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种氮化硅膜的生长方法及厚膜氮化硅波导器件的制备方法。氮化硅膜的生长方法：在半导体衬底上生长氧化层；在氧化层上刻蚀出多条深槽，每条深槽底部深入半导体衬底内部，并且多条深槽相交将氧化层分成多个区域；然后在氧化层表面，利用LPCVD方法分多次沉积多层氮化硅膜，多层氮化硅膜堆叠成预设厚度的氮化硅膜，并且多次沉积中除最后一次沉积外，其余每次沉积之后都进行退火处理。氮化硅波导器件的制备方法：采用上述的生长方法生长氮化硅厚膜，制作波导结构，经过后续工艺形成波导器件。本发明以多组相邻深槽作为隔离区，提出了划区域预留氮化硅沉积区域的方法，解决了氮化硅因膜太厚而产生的高应力问题。
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公开(公告)号：CN112462470B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202011167383.3
申请日：2020-10-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种利用侧墙转移制作硅基光子器件的方法及硅基光子器件，该方法包括以下步骤：提供绝缘体上硅衬底；在所述绝缘体上硅衬底上至少沉积一层刻蚀停止层；在所述刻蚀停止层上形成凹槽；沉积第一侧墙材料，以在所述凹槽两侧形成第一侧墙；去除所述第一侧墙两侧的刻蚀停止层；沉积第二侧墙材料，以在所述第一侧墙两侧形成第二侧墙；刻蚀去除所述第一侧墙；以第二侧墙为光刻掩膜刻蚀所述绝缘体上硅衬底。该方法采用多次侧墙转移方法形成陡直度好的光栅结构，并可远超过光刻机线宽精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111048626B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201911368532.X
申请日：2019-12-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0392 , H01L31/105
Abstract: 本发明公开了一种硅基光电探测器的制造方法，包括：在SOI衬底的上表面形成第一介质层；采用干法刻蚀工艺对所述第一介质层进行刻蚀，形成第一凹槽，所述第一凹槽的深度小于所述第一介质层的厚度；采用湿法刻蚀工艺对所述第一凹槽的底部进行刻蚀，形成第二凹槽，所述第二凹槽的深度与所述第一凹槽的深度之和等于所述第一介质层的厚度；在所述第二凹槽的底部形成牺牲层；去除所述牺牲层，暴露出所述SOI衬底；在所述SOI衬底上生长探测层；对所述探测层进行表面平坦化处理，使所述探测层的上表面和所述第一介质层的上表面位于同一平面内。本发明提供的硅基光电探测器的制造方法，可以达到减小硅基光电探测器暗电流的目的。
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公开(公告)号：CN112558331A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011460354.6
申请日：2020-12-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明公开了一种热光器件及其制造方法，涉及热光器件技术领域，用于降低加热电极为光波导进行加热时的加热功耗，提高热光器件的工作性能。该热光器件包括：基底，基底包括衬底、以及形成在衬底上的光波导和加热电极；加热电极位于光波导的上方；衬底内开设有贯穿衬底的第一开口槽，第一开口槽位于光波导的下方；以及填充在第一开口槽内的低热损耗材料，低热损耗材料的导热系数小于衬底的导热系数。所述热光器件的制造方法用于制造所述热光器件。
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公开(公告)号：CN112198588A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202011065987.7
申请日：2020-09-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种硅波导及其制备方法。一种硅波导的制备方法，包括：在半导体基底上形成矩形硅波导；通入氢气气流，对所述矩形硅波导进行退火处理，使表面光滑，退火温度为975℃～1025℃。本发明方法利用高温退火工艺将矩形光波导修正为表面光滑的弧形波导，降低了粗糙度，从而降低波导传输损耗。
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公开(公告)号：CN111554759A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010063210.0
申请日：2020-01-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/028 , H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种锗探测器及其制造方法，所述锗探测器的制造方法包括：在半导体衬底的上表面形成第一介质层；对所述第一介质层进行刻蚀，直至暴露出所述半导体衬底的部分上表面，以形成第一凹槽；在所述第一凹槽的底部生长第一探测层，所述第一探测层的材料为锗硅；在所述第一探测层的上表面生长第二探测层，所述第二探测层的材料为锗；在所述第二探测层的上表面生长第三探测层，所述第三探测层的材料为锗；对所述第三探测层进行表面平坦化处理，使所述第三探测层的上表面和所述第一介质层的上表面位于同一平面内。本发明提供的锗探测器及其制造方法，采用锗硅作为缓冲层，可以达到减小锗探测器暗电流的目的。
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公开(公告)号：CN119414519A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411147125.7
申请日：2024-08-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本申请公开一种端面耦合器及光芯片，涉及集成光学技术领域，以解决因工艺限制端面耦合器的水平尺寸不能无限缩小导致难以实现高效耦合的问题。所述端面耦合器包括：基底和耦合波导结构；耦合波导结构设置在基底上；耦合波导结构至少包括沿基底的厚度方向层叠设置的第一波导部和第二波导部；第一波导部的输入端为端面耦合器的输入端，第二波导部的输出端为端面耦合器的输出端；第一波导部的输出端和第二波导部的输出端对齐；第一波导部的厚度小于第二波导部；第一波导部的输入端与光纤耦合，光纤用于传输复合光，复合光包括至少两个不同波段的光信号，复合光中每两个不同波段的光信号的波长之间的差值大于等于20nm。
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