公开(公告)号：CN107196610B

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN201710332216.1

申请日：2017-05-11

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 刘辉 ,  罗卫军 ,  张蓉 ,  孙朋朋 ,  耿苗 ,  张宗敬

IPC: H03F1/02 ,  H03F3/193 ,  H03F3/21 ,  H03F3/217 ,  H03F3/45

Abstract: 本发明提供了一种开关功率放大器，包括：两个电平转移电路，分别用于对低电压差分信号的两路信号进行降压，得到两路降压负值电压信号；放大模块，用于对所述两路降压负值电压信号进行放大，得到并输出一路放大后的电压信号。另外，本发明还采用了氮化镓基功率管，通过本发明可以对高工作频率、电压幅值较小的信号进行稳定的放大和输出，大幅度提高功放电路的工作效率，以及为数字功放提供更强的放大能力。

公开(公告)号：CN107196610A

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201710332216.1

申请日：2017-05-11

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 刘辉 ,  罗卫军 ,  张蓉 ,  孙朋朋 ,  耿苗 ,  张宗敬

IPC: H03F1/02 ,  H03F3/193 ,  H03F3/21 ,  H03F3/217 ,  H03F3/45

Abstract: 本发明提供了一种开关功率放大器，包括：两个电平转移电路，分别用于对低电压差分信号的两路信号进行降压，得到两路降压负值电压信号；放大模块，用于对所述两路降压负值电压信号进行放大，得到并输出一路放大后的电压信号。另外，本发明还采用了氮化镓基功率管，通过本发明可以对高工作频率、电压幅值较小的信号进行稳定的放大和输出，大幅度提高功放电路的工作效率，以及为数字功放提供更强的放大能力。

公开(公告)号：CN107332538A

公开(公告)日：2017-11-07

申请号：CN201710504187.2

申请日：2017-06-27

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 罗卫军 ,  孙朋朋 ,  刘辉 ,  张宗敏 ,  耿苗 ,  张蓉

IPC: H03H11/16

CPC classification number: H03H11/16

Abstract: 本发明公开一种数字移相器，包括数字移相电路和GaN基；其中，数字移相电路位于GaN基上，数字移相电路采用全通型结构的数字移相电路，该全通型结构的数字移相电路具有AlGaN/GaN异质结的高电子迁移率场效应晶体管(HEMT)作为开关器件。本发明的数字移相器提高了相控阵雷达、通信、电子对抗以及智能武器等军事系统与装备中收发组件的性能，并且提高相移精度。