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公开(公告)号：CN102109570B
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN200910312391.X
申请日：2009-12-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种多偏置下场效应晶体管栅源电容的测量方法，属于集成电路测量技术领域。所述测量方法是采用LCR表和一个电源进行测量，在场效应晶体管(FET)半导体器件的栅端口和漏端口加电压对器件的Cgs进行测量，采用LCR表内置电源提供Vgs端口电压的自动扫描，采用一个外接电源提供Vdg端口的电压，手动调节电压对Vdg端口进行扫描，最后通过公式Vds＝Vdg+Vgs来计算相对电压，获得多偏置点下栅源电容Cgs(Vgs，Vds)数值曲线。本发明易于实现，精度高，其测量方法能够描述界面态和表面态等界面特性，还能获得器件的基本物理参数；是FET半导体器件建模中必不可少的环节，进而描述器件的交流特性，完成非线性特性的仿真。
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公开(公告)号：CN102074489B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN200910238767.7
申请日：2009-11-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种多偏置下场效应晶体管栅漏电容的测试方法，该方法采用HP6624A的一路电源提供Vsg端口的电压，手动调节电压对Vsg端口进行扫描，同时采用HP4284A内置电源提供Vdg端口电压的自动扫描，获得多偏置点下FET的Cgd(Vsg，Vdg)曲线，最后通过相对电压的计算得到Vds的电压，获得Cgd(Vgs，Vds)曲线。利用本发明，多偏置下FET的Cgd(Vgs，Vds)测量对FET的工艺改善和物理特性研究及器件模型的建立都起到很大的作用。
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公开(公告)号：CN102479745A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201010561133.8
申请日：2010-11-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，具体涉及一种适用于氮化镓微波单片集成电路的场板金属制备方法，包括如下步骤：在氮化镓微波单片集成电路芯片的二次介质Si3N4层上依次旋涂PMGI光刻胶层和AZ5214E反转光刻胶层，通过光刻、反转烘片、泛曝光完成光刻工艺；再通过两步显影形成金属场板层图案；，用金属蒸发台通过蒸发的方法形成Ti/Au场板金属层，之后用丙酮将光刻胶上的Ti/Au场板金属层进行剥离。本发明解决了场板制作光刻过程中光刻胶与Si3N4介质黏附性差的问题，保证了HEMT场板工艺的顺利进行，提高了MIM电容的良品率，实现了有源器件和无源器件工艺的良好兼容，能显著提高整个电路的成品率和性能。
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公开(公告)号：CN102542077B
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201010589028.5
申请日：2010-12-15
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明涉及一种AlGaN/GaN HEMT小信号模型的参数提取方法，属于集成电路技术领域。所述参数提取方法是在传统的参数提取方法基础上进行的改进，采取开路去嵌图形进行外围寄生参数的提取，引入栅端肖特基电阻提取寄生电阻和电感，引入漏端延时因子提取内部本征参数，保证所提取的参数都是正值，并且都有物理意义，从而改善了小信号参数的S参数中S11和S22，在参数提取的过程中和两项经常容易出现负值，和的引入基本上消除它们出现负值的可能性，这些改进使得提取的参数精确度有了很大提高。
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公开(公告)号：CN102565650A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201010575278.3
申请日：2010-12-07
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种Ga NHEMT器件跨导频散特性的测量系统及方法，属于集成电路技术领域。所述测量系统包括第一直流电源、第二直流电源、交流信号提供装置、电容、电感、电阻、第一电压表和第二电压表；漏极和电阻相连，电阻和第一直流电源相连，第一电压表和电阻相并联；栅极和第二电压表相并联，电容连接在栅极和交流信号提供装置之间，电感连接在栅极和第二直流电源之间。通过本发明测量系统测得的频散特性可以推断器件表面态和陷阱的多少，进而判断材料和器件的优劣；同时包含频散特性的跨导曲线可以准确表征器件的直流特性，与模型中频率散射参数的提取相关，对器件模型的建立也很有意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102109570A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200910312391.X
申请日：2009-12-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种多偏置下场效应晶体管栅源电容的测量方法，属于集成电路测量技术领域。所述测量方法是采用LCR表和一个电源进行测量，在场效应晶体管(FET)半导体器件的栅端口和漏端口加电压对器件的Cgs进行测量，采用LCR表内置电源提供Vgs端口电压的自动扫描，采用一个外接电源提供Vdg端口的电压，手动调节电压对Vdg端口进行扫描，最后通过公式Vds＝Vdg+Vgs来计算相对电压，获得多偏置点下栅源电容Cgs(Vgs，Vds)数值曲线。本发明易于实现，精度高，其测量方法能够描述界面态和表面态等界面特性，还能获得器件的基本物理参数；是FET半导体器件建模中必不可少的环节，进而描述器件的交流特性，完成非线性特性的仿真。
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公开(公告)号：CN102074489A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200910238767.7
申请日：2009-11-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种多偏置下场效应晶体管栅漏电容的测试方法，该方法采用HP6624A的一路电源提供Vsg端口的电压，手动调节电压对Vsg端口进行扫描，同时采用HP4284A内置电源提供Vdg端口电压的自动扫描，获得多偏置点下FET的Cgd(Vsg，Vdg)曲线，最后通过相对电压的计算得到Vds的电压，获得Cgd(Vgs，Vds)曲线。利用本发明，多偏置下FET的Cgd(Vgs，Vds)测量对FET的工艺改善和物理特性研究及器件模型的建立都起到很大的作用。
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公开(公告)号：CN102565650B
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201010575278.3
申请日：2010-12-07
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种GaNHEMT器件跨导频散特性的测量系统及方法，属于集成电路技术领域。所述测量系统包括第一直流电源、第二直流电源、交流信号提供装置、电容、电感、电阻、第一电压表和第二电压表；漏极和电阻相连，电阻和第一直流电源相连，第一电压表和电阻相并联；栅极和第二电压表相并联，电容连接在栅极和交流信号提供装置之间，电感连接在栅极和第二直流电源之间。通过本发明测量系统测得的频散特性可以推断器件表面态和陷阱的多少，进而判断材料和器件的优劣；同时包含频散特性的跨导曲线可以准确表征器件的直流特性，与模型中频率散射参数的提取相关，对器件模型的建立也很有意义。
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公开(公告)号：CN102479745B
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201010561133.8
申请日：2010-11-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，具体涉及一种适用于氮化镓微波单片集成电路的场板金属制备方法，包括如下步骤：在氮化镓微波单片集成电路芯片的二次介质Si3N4层上依次旋涂PMGI光刻胶层和AZ5214E反转光刻胶层，通过光刻、反转烘片、泛曝光完成光刻工艺；再通过两步显影形成金属场板层图案；用金属蒸发台通过蒸发的方法形成Ti/Au场板金属层，之后用丙酮将光刻胶上的Ti/Au场板金属层进行剥离。本发明解决了场板制作光刻过程中光刻胶与Si3N4介质黏附性差的问题，保证了HEMT场板工艺的顺利进行，提高了MIM电容的良品率，实现了有源器件和无源器件工艺的良好兼容，能显著提高整个电路的成品率和性能。
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公开(公告)号：CN101661921B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200910307518.9
申请日：2009-09-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/52 , H01L23/522 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及一种微波单片集成电路中的金属布线层结构及其制备方法，属于集成电路技术领域。所述金属布线层结构设置在第一Si3N4层和第二Si3N4层之间，包括第一Ti层、设置在第一Ti层上的Ni层、设置在Ni层上的第二Ti层、设置在第二Ti层上的Au层、以及设置在Au层上的第三Ti层。本发明金属布线层结构中的金属Ni在通过ICP刻蚀衬底后，可以保护布线层及以上部分，使得MMIC背孔工艺可以顺利进行，并且这种结构中的上下两层金属Ti改善了与Si3N4介质层的粘附性，提高了电容的性能，同时整个结构对电容值的影响不大，金属Ni上面一层金属Ti的引入可以改善金属Ni与金属Au的粘附性不好的问题。
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