公开(公告)号：CN103839903B

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201410086565.6

申请日：2014-03-10

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 王启东 ,  邱德龙 ,  吴晓萌 ,  曹立强 ,  于大全 ,  谢慧琴 ,  张迪

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L2224/16145 ,  H01L2224/73204

Abstract: 本发明涉及电子封装技术领域，特别涉及一种带散热功能的三维堆叠芯片的制造方法，芯片包括顶层芯片单元、底层芯片单元及芯片基板。顶层芯片单元垂直连接在底层芯片单元的上方；芯片基板与底层芯片单元的底部连接。本发明提供的带散热功能的三维堆叠芯片及其制造方法，高热导率的散热单元制作工艺成熟、结构简单、制作成本低。散热单元将堆叠芯片热量直接从芯片内部传导至封装体外部进行散热，散热效率高。同时，在散热单元的上、下表面制作孔、槽、缝等结构，使散热层在长宽高尺寸一定的情况下，散热面积有效的增大，从而增加了散热单元的散热效率。

公开(公告)号：CN102412228A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN201110336535.2

申请日：2011-10-31

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 赫然 ,  王惠娟 ,  于大全

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/552 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明涉及微电子封装技术领域，具体涉及一种同轴硅通孔互连结构。所述互连结构，包括：硅基片；硅通孔，贯穿硅基片；重掺杂层，位于硅通孔的侧壁；外导电连接构件，被重掺杂层围绕；至少一层绝缘层，被外导电连接构件围绕；至少一层内导电连接构件，被绝缘层围绕，与外导电连接构件形成同轴结构。本发明还提供一种同轴硅通孔互连结构的制造方法。本发明可用于增强硅通孔的鲁棒性，可以隔离噪声，消除串扰，屏蔽EMI，减小传输损耗，消弱硅通孔寄生效应，可改善高频性能；同时便于测量绝缘层特性，不需额外制造测量结构，只需测量外导电连接构件和内导电连接构件之间的绝缘特性即可得到绝缘层特性。

公开(公告)号：CN102276167A

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN201110106709.6

申请日：2011-04-27

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 于大全 ,  戴风伟 ,  李宝霞

IPC: C03C27/02 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明公开了一种把金属材料插入玻璃以制造玻璃转接板的方法，以及实施该方法的装置。所述方法加热玻璃板的某一微区以使其软化，同时把金属材料插入到该软化的微区中一定深度，由此实现一种无需打孔而直接实现金属填充玻璃基板的方法。本发明的方法工艺简单，能有效解决玻璃转接板制备中打孔困难，填孔工艺复杂等问题，大大降低了工艺成本。通过该方法制作的玻璃转接板可用于微电子封装、MEMS器件封装，生物和医疗等领域。

公开(公告)号：CN102496579B

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201110427183.1

申请日：2011-12-19

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 戴风伟 ,  于大全 ,  周静

IPC: H01L21/48

Abstract: 本发明公开一种完全绝缘、工艺简单的在含有TSV的转接板上制作金属再布线层时实现电绝缘的方法，首先采用湿法刻蚀的方式用碱性腐蚀溶液反向刻蚀硅基底，在TSV周围形成沟槽，选用碱性腐蚀溶液既可以刻蚀硅基底又能避免TSV中金属材料的腐蚀。然后在沟槽内制作绝缘材料，再在绝缘材料上方制作金属再布线层，完成金属化步骤，避免了开小孔方式，解决了可靠性差的问题，又实现了制作金属再布线层时的电绝缘。

公开(公告)号：CN102169845B

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201110042643.9

申请日：2011-02-22

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 于大全 ,  王惠娟

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/603 ,  B23K1/00 ,  H01L23/00 ,  H01L23/488

CPC classification number: B23K1/0016 ,  B23K2101/40 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/13019 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16503 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/3012 ,  H01L2224/30181 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81395 ,  H01L2224/8181 ,  H01L2224/81986 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/9205 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明涉及一种用于三维封装的多层混合同步键合结构及方法。所述方法包括：在一个待混合键合衬底的金属焊盘表面上形成硬金属锥形阵列；在另一个待混合键合衬底的金属焊盘表面上形成软金属层；在两个待混合键合衬底的非金属焊盘表面形成介电粘附层；将硬金属锥形阵列和软金属层对准，进行加热和加压后，使得锥形金属阵列插入到软金属层中，同时介电粘附层相互结合，形成一种混合预键合结构；再进行加热，使插入到软金属层中的锥形金属阵列形成金属间化合物，介电粘附层固化结合。与传统的键合方法相比，本发明方法成品率高，节省键合时间，降低成本，同时提高产品的可靠性。

公开(公告)号：CN102956540A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201110237256.0

申请日：2011-08-18

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 于大全 ,  赫然 ,  孙瑜

IPC: H01L21/768

Abstract: 公开了一种含聚合物材料和金属通孔的互连结构的制造方法包括:在基片上制作盲孔或通孔；在所述盲孔或通孔内填充聚合物；将金属块体插入填满聚合物的盲孔或通孔内；对盲孔或通孔内聚合物进行固化处理；对基片的正面和背面进行研磨抛光，露出金属。本发明可有效完成三维封装或者MEMS封装中采用的多层堆叠结构。

公开(公告)号：CN102915949A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201110218552.6

申请日：2011-08-01

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 于大全 ,  孙瑜 ,  戴风伟

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L2224/16225 ,  H01L2924/15311

Abstract: 本发明公开了一种在基板中嵌入金属材料的方法。该方法包括：在基板上制作孔或槽；在孔或槽中填充金属材料的粉料或浆料；利用微区瞬时加热装置加热孔或槽的区域，使孔或槽中填充的金属材料烧结；冷却固化孔或槽的区域，使金属材料呈块状嵌入到基板中。本发明在基板中嵌入金属材料的方法解决了现有技术中玻璃转接板、陶瓷转接板和硅基转接板等金属通孔基板制备中填孔工艺复杂，成本高等问题，工艺简单，成本低廉。

公开(公告)号：CN102820268A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201110156362.6

申请日：2011-06-10

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 于大全 ,  王惠娟

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/488 ,  H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明实施例公开了一种键合结构及其制备方法。所述键合结构包括：其内具有连接孔的本体层；位于所述连接孔内的导电物质填充体；位于本体层正面、导电物质填充体之上、且宽度大于所述导电物质填充体宽度的第一导电凸块；位于所述第一导电凸块上的第一缓冲层；位于所述第一缓冲层上的第一钎料层。本发明所提供的键合结构，在第一导电凸块与第一钎料层之间存在第一缓冲层，所述第一缓冲层在低温条件下可阻止第一钎料层向第一导电凸块内扩散，在高温条件下又可融入所述第一钎料层中，因此，本发明所提供的键合结构只需采用小剂量的钎料即可实现键合，且键合后键合界面的结合强度较高，可大大提高键合良率。

公开(公告)号：CN102646654A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201110042195.2

申请日：2011-02-22

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 丹尼尔吉多蒂 ,  于大全 ,  王启东

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种位于不同平面电路间的垂直电连接结构及其制作方法。所述垂直电连接结构包括第一绝缘层，所述第一绝缘层上具有多个通孔，所述通孔内设置有导体柱，所述导体柱的高度和通孔的深度相同，所述导体柱完全嵌入在第一绝缘层内。本发明位于不同平面电路之间的垂直电连接结构的生产成本低，通孔密度高，通孔位置精确，而且基板的材料和通孔中的导体材料选择范围也非常广。

公开(公告)号：CN102456630A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201010527576.5

申请日：2010-10-27

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 于大全 ,  宋崇申

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/60 ,  C23C14/16

CPC classification number: H01L2224/11 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明公开了一种制备微电子器件凸点多组分钎料层的方法。该方法中，微电子器件的基底上具有金属柱凸点，包括：在金属柱凸点上电镀主组分钎料层；在主组分钎料层上沉积微组分层；在预设温度下对微电子器件进行回流，促使微组分层溶入主组分钎料层，从而在金属柱凸点上形成多组分钎料层。本发明简化了制备微电子器件凸点多组分钎料层的工艺。