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公开(公告)号：CN110739526B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201911043256.X
申请日：2019-10-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本公开提供一种天线射频前端封装制造方法，包括：步骤S1：在基板上制作完成的天线网络模块；步骤S2：将步骤S1完成的天线网络模块反转并进行芯片倒装及塑封；步骤S3：在步骤S2完成的塑封层表面制备金属层并进行刻蚀生成表面电路网络；步骤S4：在步骤S3完成的表面电路网络中的引出焊盘上制备电气连接孔；以及步骤S5：在所述电路网络表面行植球操作，完成天线射频前端封装制造；该方法基于传统成熟的基板制作工艺，将射频芯片组装在天线的背面，并塑封起来，提高了封装的可靠性。
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公开(公告)号：CN110739526A
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201911043256.X
申请日：2019-10-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本公开提供一种天线射频前端封装制造方法，包括：步骤S1：在基板上制作完成的天线网络模块；步骤S2：将步骤S1完成的天线网络模块反转并进行芯片倒装及塑封；步骤S3：在步骤S2完成的塑封层表面制备金属层并进行刻蚀生成表面电路网络；步骤S4：在步骤S3完成的表面电路网络中的引出焊盘上制备电气连接孔；以及步骤S5：在所述电路网络表面行植球操作，完成天线射频前端封装制造；该方法基于传统成熟的基板制作工艺，将射频芯片组装在天线的背面，并塑封起来，提高了封装的可靠性。
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公开(公告)号：CN109759306A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201910108865.2
申请日：2019-02-03
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种超声换能器阵列结构及其制备方法，属于医疗设备技术领域。其中超声换能器阵列结构包括：超声换能器阵列本体、胶、金属互联线层以及声学匹配层；所述金属互联线层覆盖于所述胶和所述超声换能器阵列本体的表面；所述超声换能器阵列本体嵌于所述胶中；所述声学匹配层覆盖于所述超声换能器阵列本体下方。本发明提供的超声换能器阵列结构，实现了医疗领域对超声换能器高密度、高频率、重量轻、体积小的需求。
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公开(公告)号：CN104900611A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510312334.7
申请日：2015-06-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/31
CPC classification number: H01L2224/16225
Abstract: 本发明公开了一种基于柔性基板的三维封装散热结构及其制备方法，该三维封装散热结构具有一石墨烯散热片，该石墨烯散热片直接接触于封装体内各芯片的表面，从而在封装体内增加了一条直接通向外部的散热通道。本发明是在基于柔性基板的三维封装过程中，在封装体内埋入超薄且柔韧性较好的石墨烯散热片，从而在封装体内增加了一条直接通向外部的散热通道，利用石墨烯面内超高导热性能，使热量能迅速沿着石墨烯散热片进行面传递，进而使封装体内部芯片产生的热量能够迅速传递出去，提高了封装体内部芯片的散热效率，大大优化了散热效果，增加了器件的使用寿命。
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公开(公告)号：CN102244107B
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201110176559.6
申请日：2011-06-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种易于填充的沟槽电容及其填充方法。所述电容包括电容衬底，位于电容衬底上的多个相互连通的沟槽，位于电容衬底的表面上的下电极，位于下电极的表面上的介质层，位于介质层的表面上的上电极，以及填充于沟槽处的填充材料，填充材料位于上电极的表面上。本发明电容具有沟槽的结构，不用借助特殊的沉积设备，填充效果满足对高可靠性器件的要求，可以应用于沟槽结构的所有需要完成填充的电容。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102540365B
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201210040365.8
申请日：2012-02-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G02B6/42
Abstract: 本发明公开一种可以有效的降低制作成本，简化工艺步骤，提高良率的新的光学集成结构，包括：一激光器、一光学无源器件和一探测器，光学无源器件和激光器或者探测器连接，光无源器件和外部通过光波导连接，光无源器件的底部金属通过金属孔连接到外部，激光器或探测器的背电极和光无源器件的底部金属通过金属线连接，本发明实现一种光电集成结构，通过定位、转移、塑封等技术达到光电器件混合集成，减少所需工序以提高生产率，降低成本，生产周期和成本大幅下降，同时，用于实现该结构的方法工艺简单，成本低廉，便于操作，效率高。
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公开(公告)号：CN102522493B
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201110404235.3
申请日：2011-12-07
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L41/18 , H01L41/35 , H01L41/333 , B82Y15/00
CPC classification number: H01L41/082
Abstract: 本发明实施例公开了一种压电纳米线的叠层结构，包括：第一导电层；第一导电层上压电层，所述压电层包括由多条压电纳米线形成的堆叠；压电层上的第二导电层。通过将多条压电纳米线堆叠后形成压电层，从而形成了压电纳米线自串联的结构，在受到压力弯曲时，其压电效应产生的电压串联，因此输出了更高的电压，此外，第一导电层和第二导电层便于将压电信号引出，并保护了压电层，便于将压电纳米线叠层结构应用于各种器件的制造。
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公开(公告)号：CN102683265A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201110061489.X
申请日：2011-03-15
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种将碳纳米管束通过转移的方式填充到硅转接板的TSV中的方法。该方法是将碳纳米管束生长在普通硅基底上，然后通过转移的方法将碳纳米管束填充到硅转接板的TSV中。此方法的优势在于碳纳米管束的生长不受温度限制，可以得到任意所需长度的碳纳米管束，不受TSV径和深宽比的限制，通过转移可以使碳纳米管束两端被很好的固定。碳纳米管束填充TSV作为互连不但具有更低的电阻率而且可以避免铜互连电迁移问题。
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公开(公告)号：CN102522493A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110404235.3
申请日：2011-12-07
Applicant: 中国科学院微电子研究所
CPC classification number: H01L41/082
Abstract: 本发明实施例公开了一种压电纳米线的叠层结构，包括：第一导电层；第一导电层上压电层，所述压电层包括由多条压电纳米线形成的堆叠；压电层上的第二导电层。通过将多条压电纳米线堆叠后形成压电层，从而形成了压电纳米线自串联的结构，在受到压力弯曲时，其压电效应产生的电压串联，因此输出了更高的电压，此外，第一导电层和第二导电层便于将压电信号引出，并保护了压电层，便于将压电纳米线叠层结构应用于各种器件的制造。
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公开(公告)号：CN101383388B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200710121369.8
申请日：2007-09-05
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及光电探测器技术领域，公开了一种接收有源区位于斜面上的光电探测器的制造方法，该方法包括：在半导体衬底上湿法腐蚀出深槽斜面，形成高台阶图形衬底；在形成的高台阶图形衬底上进行探测器材料结构的外延生长；在完成外延生长的高台阶图形衬底上进行微电子工艺制造，形成接收有源区位于斜面上的光电探测器。利用本发明，可提高光电探测器的性能，降低成本，实现低成本、高效率、简便的平面光互联。
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