-
公开(公告)号：CN119181677B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411614197.8
申请日：2024-11-13
Applicant: 甬矽半导体(宁波)有限公司 , 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/367 , H01L23/31 , H01L25/00 , H01L21/50 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供了一种芯片封装结构和芯片封装结构的制备方法，涉及芯片封装技术领域。该芯片封装结构包括基底布线层、第一芯片、散热盖、第一散热胶层、封装模块和焊球，第一芯片的正面贴设在基底布线层的一侧；散热盖设置在基底布线层上；第一散热胶层填充在散热盖的容纳槽中；封装模块包括模块衬底、第二芯片、第三芯片和塑封体，第二芯片的背面贴合于第一散热胶层，塑封体设置在模块衬底的另一侧，并包覆于第三芯片。相较于现有技术，本发明实施例提供的芯片封装结构，能够大幅提升散热效果，并且无需在外围额外设计散热盖，减小了器件体积，并且能够减小布线层之间的寄生效应和电容效应，提升了产品性能。
-
公开(公告)号：CN102496579B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201110427183.1
申请日：2011-12-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/48
Abstract: 本发明公开一种完全绝缘、工艺简单的在含有TSV的转接板上制作金属再布线层时实现电绝缘的方法，首先采用湿法刻蚀的方式用碱性腐蚀溶液反向刻蚀硅基底，在TSV周围形成沟槽，选用碱性腐蚀溶液既可以刻蚀硅基底又能避免TSV中金属材料的腐蚀。然后在沟槽内制作绝缘材料，再在绝缘材料上方制作金属再布线层，完成金属化步骤，避免了开小孔方式，解决了可靠性差的问题，又实现了制作金属再布线层时的电绝缘。
-
公开(公告)号：CN102915949A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201110218552.6
申请日：2011-08-01
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2924/15311
Abstract: 本发明公开了一种在基板中嵌入金属材料的方法。该方法包括：在基板上制作孔或槽；在孔或槽中填充金属材料的粉料或浆料；利用微区瞬时加热装置加热孔或槽的区域，使孔或槽中填充的金属材料烧结；冷却固化孔或槽的区域，使金属材料呈块状嵌入到基板中。本发明在基板中嵌入金属材料的方法解决了现有技术中玻璃转接板、陶瓷转接板和硅基转接板等金属通孔基板制备中填孔工艺复杂，成本高等问题，工艺简单，成本低廉。
-
公开(公告)号：CN102569181A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210038865.8
申请日：2012-02-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明公开一种与TSV工艺相兼容、工艺成熟易于实现、而且互连可靠性和性能均高的碳纳米管束垂直互连的制作方法，本发明先制作开孔，然后只在TSV底部沉积金属催化剂薄膜，使碳纳米管束自底向上在TSV孔底部垂直生长，从而实现TSV孔的填充。同时通过致密化操作使碳纳米管与碳纳米管之间的气体被赶出，从而提高碳纳米管束密度，然后制作成金属包覆碳纳米管束的互连结构，用此结构做为互连材料可以有效地提高其互连可靠性和性能。此方法的优势在于不但与TSV工艺相兼容，工艺成熟易于实现，而且互连可靠性和性能得到很大的提高。
-
公开(公告)号：CN102200612A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201110106755.6
申请日：2011-04-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种嵌入光纤的玻璃板及其制造方法。该玻璃板包括一个具有上下两个表面的玻璃板；至少一根光纤垂直于玻璃板表面嵌入到玻璃板内，所述光纤的至少一端在玻璃板的上表面或下表面暴露出来。这种玻璃板可以实现芯片间高速光信号的垂直传输。该玻璃板的制作工艺简单、成本低廉，解决了玻璃基板打孔困难，填孔工艺复杂的问题。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119254258A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411303196.1
申请日：2024-09-18
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本申请公开了一种毫米波段的玻璃基射频微系统及其制备方法，涉及射频通信系统技术领域，玻璃基射频微系统包括：射频模块，射频模块包括：第一玻璃基板，具有相对第一表面和第二表面；毫米波通信芯片，固定在第一玻璃基板内；毫米波通信芯片与第一玻璃基板表面上的互连电路电连接；天线模块，天线模块包括：第二玻璃基板，具有相对的第三表面和第四表面，第三表面与第二表面相对固定；辐射单元，辐射单元设置在第四表面上，且与互连电路电连接。本申请可以降低系统损耗，提高带宽。
-
公开(公告)号：CN119181677A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202411614197.8
申请日：2024-11-13
Applicant: 甬矽半导体(宁波)有限公司 , 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/367 , H01L23/31 , H01L25/00 , H01L21/50 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供了一种芯片封装结构和芯片封装结构的制备方法，涉及芯片封装技术领域。该芯片封装结构包括基底布线层、第一芯片、散热盖、第一散热胶层、封装模块和焊球，第一芯片的正面贴设在基底布线层的一侧；散热盖设置在基底布线层上；第一散热胶层填充在散热盖的容纳槽中；封装模块包括模块衬底、第二芯片、第三芯片和塑封体，第二芯片的背面贴合于第一散热胶层，塑封体设置在模块衬底的另一侧，并包覆于第三芯片。相较于现有技术，本发明实施例提供的芯片封装结构，能够大幅提升散热效果，并且无需在外围额外设计散热盖，减小了器件体积，并且能够减小布线层之间的寄生效应和电容效应，提升了产品性能。
-
公开(公告)号：CN117174633A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202210584506.6
申请日：2022-05-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/683 , H01L21/50
Abstract: 本发明公开了一种拾取贴片吸头和制备方法、混合键合方法，属于半导体封装技术领域，解决了现有技术中微型芯片直接接触拾取无法保证洁净度、所需空间较大、非接触拾取无法用于微型芯片的问题。吸头包括吸盘以及分体设置的基体和盖体，基体上开设进气通道、配气型腔、气旋通道和气旋型腔；气旋通道的出气方向与气旋型腔的径向的角度大于0°且小于等于90°。制备方法包括加工基体和盖体，密封连接。混合键合方法包括采用拾取贴片吸头对微型芯片的正面进行拾取；将微型芯片的背面放置于接触吸头上；将微型芯片的正面与晶圆接触进行加压贴片。拾取贴片吸头和制备方法、混合键合方法可用于微型芯片的贴片。
-
公开(公告)号：CN115910809A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202111107815.6
申请日：2021-09-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/50 , H01L21/60 , H01L21/78 , H01L21/683
Abstract: 本发明公开了一种芯片至晶圆直接混合键合方法和三维堆叠集成器件，属于半导体封装技术领域，解决了现有技术中无法采用完整成熟的工艺流程实现芯片至晶圆直接混合键合的问题。该方法为在待划片晶圆正面涂覆保护胶层，加热固化；对待划片晶圆反面进行减薄和贴承载膜；对待划片晶圆进行一次划片和清洗，得到多个待激活芯片；对待激活芯片以及目标晶圆进行激活等离子激活，得到激活芯片和激活目标晶圆；对激活芯片和承载膜进行减键合和倒装预键合，得到待处理器件；对待处理器件依次进行退火和二次划片。本发明的芯片至晶圆直接混合键合方法和三维堆叠集成器件可实现芯片至晶圆直接混合键合。
-
公开(公告)号：CN102569181B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201210038865.8
申请日：2012-02-20
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明公开一种与TSV工艺相兼容、工艺成熟易于实现、而且互连可靠性和性能均高的碳纳米管束垂直互连的制作方法，本发明先制作开孔，然后只在TSV底部沉积金属催化剂薄膜，使碳纳米管束自底向上在TSV孔底部垂直生长，从而实现TSV孔的填充。同时通过致密化操作使碳纳米管与碳纳米管之间的气体被赶出，从而提高碳纳米管束密度，然后制作成金属包覆碳纳米管束的互连结构，用此结构做为互连材料可以有效地提高其互连可靠性和性能。此方法的优势在于不但与TSV工艺相兼容，工艺成熟易于实现，而且互连可靠性和性能得到很大的提高。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
33
records
(took 0.026 seconds)
