公开(公告)号：CN113991419A

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202111232392.0

申请日：2021-10-22

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 马钰 ,  李媛媛 ,  李伟江 ,  梁平 ,  胡颖 ,  刘俊岐 ,  王利军 ,  张锦川 ,  刘舒曼 ,  卓宁 ,  翟慎强 ,  刘峰奇

IPC: H01S5/024 ,  H01S5/0235 ,  H01S5/20 ,  H01S5/22 ,  H01S5/34 ,  H01S5/343

Abstract: 本发明公开了掩埋异质结器件及其制备方法，该方法包括：在衬底上依次生长第一掺杂层、有源层、第二掺杂层、第一二氧化硅层；在第一二氧化硅层上制作填充窗口；将该窗口腐蚀至第一掺杂层上表面，形成沟槽并填充掩埋材料；通过腐蚀形成辅助脊；第一掺杂层和辅助脊上生长第二二氧化硅层；通过腐蚀在第二二氧化硅层上制备发光脊；在发光脊和辅助脊上分别制作沉积金属窗口；在该窗口内生长欧姆接触并制作第一正面金属电极；经处理之后，在衬底底部制作背面金属电极，解理处理后，得到芯片本体；在第一热沉材料表面制作第二正面金属电极；将芯片本体倒置烧结到第一热沉材料上；将带有芯片本体的第一热沉材料烧结到第二热沉材料上，得到掩埋异质结器件。

公开(公告)号：CN113991419B

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202111232392.0

申请日：2021-10-22

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 马钰 ,  李媛媛 ,  李伟江 ,  梁平 ,  胡颖 ,  刘俊岐 ,  王利军 ,  张锦川 ,  刘舒曼 ,  卓宁 ,  翟慎强 ,  刘峰奇

IPC: H01S5/024 ,  H01S5/0235 ,  H01S5/20 ,  H01S5/22 ,  H01S5/34 ,  H01S5/343

Abstract: 本发明公开了掩埋异质结器件及其制备方法，该方法包括：在衬底上依次生长第一掺杂层、有源层、第二掺杂层、第一二氧化硅层；在第一二氧化硅层上制作填充窗口；将该窗口腐蚀至第一掺杂层上表面，形成沟槽并填充掩埋材料；通过腐蚀形成辅助脊；第一掺杂层和辅助脊上生长第二二氧化硅层；通过腐蚀在第二二氧化硅层上制备发光脊；在发光脊和辅助脊上分别制作沉积金属窗口；在该窗口内生长欧姆接触并制作第一正面金属电极；经处理之后，在衬底底部制作背面金属电极，解理处理后，得到芯片本体；在第一热沉材料表面制作第二正面金属电极；将芯片本体倒置烧结到第一热沉材料上；将带有芯片本体的第一热沉材料烧结到第二热沉材料上，得到掩埋异质结器件。