一种高铝组分的氧化限制半导体激光器及其制备方法

    公开(公告)号:CN115799990A

    公开(公告)日:2023-03-14

    申请号:CN202211429937.1

    申请日:2022-11-14

    Abstract: 本发明提供了一种高铝组分的氧化限制半导体激光器及其制备方法,该高铝组分的氧化限制半导体激光器包括:N面金属电极、N型GaAs衬底、N型限制层、N型波导层、有源区、P型波导层、P型限制层、P型高铝组分层、P型接触层和P面金属电极;其中,P型高铝组分层和P型接触层经光刻和刻蚀形成脊条结构;P型高铝组分层经过氧化形成氧化限制层;氧化限制层置于P型限制层上表面和P型接触层下表面之间,并包裹于脊条结构的两侧,使其形成脊条结构下方的电流注入通道和脊条结构两侧电隔离。高铝组分的氧化限制半导体激光器较传统激光器性能更好,且其制备方法工艺难度低,可以提高器件制备过程中的成品率,减少制备过程中耗材,节省生产成本。

    光子晶体面发射激光器
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN119481949B

    公开(公告)日:2025-04-11

    申请号:CN202510051803.8

    申请日:2025-01-14

    Abstract: 本发明提供了一种光子晶体面发射激光器,涉及半导体激光器技术领域。光子晶体面发射激光器包括:激发部,用于激发激光;发射部,用于使激光产生谐振,并通过衍射在谐振面的法向方向输出激光,其中,发射部包括阵列排布的多个光子晶体单元,每一个光子晶体单元用于在激光谐振时形成不同的多种谐振模式,并通过光子晶体单元的特定形状截面使多种谐振模式中电场矢量对称的两种谐振模式在能带点简并耦合。

    半导体激光器
    3.
    发明公开
    半导体激光器 审中-实审

    公开(公告)号:CN117220131A

    公开(公告)日:2023-12-12

    申请号:CN202311180165.7

    申请日:2023-09-13

    Abstract: 本公开提供了一种半导体激光器,包括:衬底;外延组件,设置在衬底上,并被构造成产生激光,其中,沿外延组件的侧向的两端向下刻蚀,形成沟道;脊形波导组件,包括:两个第一电极波导,分别设置在沟道内且与外延组件的欧姆接触层形成欧姆接触,其中,第一电极波导的折射率低于欧姆接触层的折射率,以限制侧向光场的扩展,提高基模的限制因子;下电极,设置在衬底上的与外延组件相对的一侧;以及上电极,设置在脊形波导组件上,与欧姆接触层和脊形波导组件形成欧姆接触,适用于与下电极协作以形成电子注入通道。

    一种隧道结级联耦合模式激光器
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119787082A

    公开(公告)日:2025-04-08

    申请号:CN202411899433.5

    申请日:2024-12-23

    Abstract: 本发明提供一种隧道结级联耦合模式激光器,包括:沿第一方向依次叠置的N型结构层、第一光子晶体子层、主波导、第二光子晶体子层与P型结构层,其中;主波导包括两个沿第一方向叠置的激光器单元,任两个激光器单元之间设置有隧道结;光子晶体层包括第一光子晶体子层与第二光子晶体子层,沿第一方向分别叠置在主波导两侧;两个叠置的激光器单元相互耦合形成耦合光学腔,在耦合光学腔内激射耦合基模与耦合高阶模;以及光子晶体层将耦合基模限制在主波导内,并将耦合高阶模耦合进光子晶体层中产生损耗。该激光器通过设置光子晶体层对耦合高阶模进行耗散,实现耦合基模输出,远场中心主峰具有低发散角和高峰值功率密度,提高了激光器输出功率。

    光子晶体面发射激光器
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119481949A

    公开(公告)日:2025-02-18

    申请号:CN202510051803.8

    申请日:2025-01-14

    Abstract: 本发明提供了一种光子晶体面发射激光器,涉及半导体激光器技术领域。光子晶体面发射激光器包括:激发部,用于激发激光;发射部,用于使激光产生谐振,并通过衍射在谐振面的法向方向输出激光,其中,发射部包括阵列排布的多个光子晶体单元,每一个光子晶体单元用于在激光谐振时形成不同的多种谐振模式,并通过光子晶体单元的特定形状截面使多种谐振模式中电场矢量对称的两种谐振模式在能带点简并耦合。

    半导体激光器
    6.
    发明公开
    半导体激光器 审中-实审

    公开(公告)号:CN117199995A

    公开(公告)日:2023-12-08

    申请号:CN202311283697.3

    申请日:2023-09-28

    Abstract: 本发明提供一种半导体激光器,包括:条形波导,包括:欧姆接触层,欧姆接触层在半导体激光器的前腔面沿第一方向上的厚度逐渐递增,并形成为第一形状,用以平衡半导体激光器在第一方向上载流子的消耗,第一方向为半导体激光器的前腔面延伸至后腔面的方向;欧姆接触层的中心沿水平方向向两侧的厚度逐渐递增,并形成为第二形状,用以平衡半导体激光器在水平方向上载流子的消耗,水平方向垂直于第一方向。

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