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公开(公告)号：CN100452584C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200510086962.4
申请日：2005-11-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种砷化镓基量子级联半导体激光器材料的生长方法，其特征在于，包括如下生长步骤：步骤1：利用分子束外延技术首先在砷化镓衬底上晶格匹配的下包层；步骤2：在晶格匹配的下包层上生长下波导限制层，用来提高波导芯层的折射率，增强光限制；步骤3：在下波导限制层上生长有源区，作为发光区；步骤4：在有源区上生长上波导限制层，用来提高波导芯层的折射率，增强光限制；步骤5：在上波导限制层上生长欧姆接触层，完成砷化镓基量子级联半导体激光器材料的生长。
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公开(公告)号：CN1972047A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200510086962.4
申请日：2005-11-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种砷化镓基量子级联半导体激光器材料的生长方法，其特征在于，包括如下生长步骤：步骤1：利用分子束外延技术首先在砷化镓衬底上晶格匹配的下包层；步骤2：在晶格匹配的下包层上生长下波导限制层，用来提高波导芯层的折射率，增强光限制；步骤3：在下波导限制层上生长有源区，作为发光区；步骤4：在有源区上生长上波导限制层，用来提高波导芯层的折射率，增强光限制；步骤5：在上波导限制层上生长欧姆接触层，完成砷化镓基量子级联半导体激光器材料的生长。
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公开(公告)号：CN1978714A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200510126237.5
申请日：2005-11-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及分子束外延磷裂解炉技术领域，特别是一种用固态磷裂解源炉分子束外延磷化铟材料的方法。方法包括：步骤1：在分子束外延系统中，将衬底加热器旋转至测束流位置并将裂解区升温；步骤2：裂解区降温并将红磷区升温；步骤3：关闭裂解阀阀门进行转化后对红磷区降温；步骤4：将磷源炉裂解区温度设定在生长材料时所使用的温度值；步骤5：按转化时间与转化而成的白磷量经验公式，计算磷源的耗尽时间。本发明的独特之处在于可以准确控制白磷转化量和耗尽时间，外延出高性能磷化铟材料。
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公开(公告)号：CN100420776C
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200510126237.5
申请日：2005-11-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及分子束外延磷裂解炉技术领域，特别是一种用固态磷裂解源炉分子束外延磷化铟材料的方法。方法包括：步骤1：在分子束外延系统中，将衬底加热器旋转至测束流位置并将裂解区升温；步骤2：裂解区降温并将红磷区升温；步骤3：关闭裂解阀阀门进行转化后对红磷区降温；步骤4：将磷源炉裂解区温度设定在生长材料时所使用的温度值；步骤5：按转化时间与转化而成的白磷量经验公式，计算磷源的耗尽时间。本发明的独特之处在于可以准确控制白磷转化量和耗尽时间，外延出高性能磷化铟材料。
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