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公开(公告)号：CN114122185B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202111399153.4
申请日：2021-11-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/105 , H01L31/107 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种短波双色红外探测器，包括：衬底，衬底的材料包括GaSb材料，缓冲层，形成于衬底表面，缓冲层的材料包括GaSb材料，短波红外单元，包括依次叠设在缓冲层表面的第一P型层、短波吸收层、第一N型层，其中，第一P型层、短波吸收层、第一N型层的材料包括AlInAsSb、InGaAsSb四元合金材料中的至少一种，雪崩倍增单元，包括依次叠设在第一N型层表面的第二N型层、雪崩倍增层、第二P型层，其中，第二N型层、雪崩倍增层、第二P型层的材料包括材料空穴离化系数与材料电子离化系数之比小于预设值的材料。本发明采用PINNIP型背靠背双二极管结构，可通过偏压极性调制实现探测短波长红外光和测距功能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113972296B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202111239358.6
申请日：2021-10-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/105 , H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种红外探测器，包括：衬底；沉积于所述衬底上的外延结构包括：P型掺杂缓冲层，形成于衬底上；长波红外单元，形成于P型掺杂缓冲层上，所述长波红外单元形成P‑π‑M‑N结构，用于吸收长波红外线；N型公共接触层，形成于长波红外单元上；短波红外单元，形成于N型公共接触层上，所述短波红外单元形成N‑I‑P结构，用于吸收短波红外线及测距；外延结构和金属上电极及金属下电极欧姆连接，外延结构外部形成有硫化层和钝化层，且在外延结构上形成通光孔。本发明还提供一种针对红外探测器的制备方法，包括在所述衬底上生长所述外延结构，之后依次进行刻蚀、硫化处理、钝化处理、制出通光孔、光刻形成金属上电极以及金属下电极。
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公开(公告)号：CN114122185A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111399153.4
申请日：2021-11-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/105 , H01L31/107 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种短波双色红外探测器，包括：衬底，衬底的材料包括GaSb材料，缓冲层，形成于衬底表面，缓冲层的材料包括GaSb材料，短波红外单元，包括依次叠设在缓冲层表面的第一P型层、短波吸收层、第一N型层，其中，第一P型层、短波吸收层、第一N型层的材料包括AlInAsSb、InGaAsSb四元合金材料中的至少一种，雪崩倍增单元，包括依次叠设在第一N型层表面的第二N型层、雪崩倍增层、第二P型层，其中，第二N型层、雪崩倍增层、第二P型层的材料包括材料空穴离化系数与材料电子离化系数之比小于预设值的材料。本发明采用PINNIP型背靠背双二极管结构，可通过偏压极性调制实现探测短波长红外光和测距功能。
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公开(公告)号：CN113972296A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202111239358.6
申请日：2021-10-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/105 , H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种红外探测器，包括：衬底；沉积于所述衬底上的外延结构包括：P型掺杂缓冲层，形成于衬底上；长波红外单元，形成于P型掺杂缓冲层上，所述长波红外单元形成P‑π‑M‑N结构，用于吸收长波红外线；N型公共接触层，形成于长波红外单元上；短波红外单元，形成于N型公共接触层上，所述短波红外单元形成N‑I‑P结构，用于吸收短波红外线及测距；外延结构和金属上电极及金属下电极欧姆连接，外延结构外部形成有硫化层和钝化层，且在外延结构上形成通光孔。本发明还提供一种针对红外探测器的制备方法，包括在所述衬底上生长所述外延结构，之后依次进行刻蚀、硫化处理、钝化处理、制出通光孔、光刻形成金属上电极以及金属下电极。
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公开(公告)号：CN114335232B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202111539243.9
申请日：2021-12-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种双色异质结光电晶体管，包括：衬底；外延层，设置于衬底上，外延层包括缓冲层、刻蚀终止层、第一接触层、第一异质结结构、第二接触层、第二异质结构和第三接触层，第一接触层上设有第一台阶，第二接触层上设有第二台阶；金属电极，包括第一金属电极、第二金属电极和第三金属电极，第一金属电极设置于第一台阶上，第二金属电极设置于第二台阶上，第三金属电极设置于第三接触层上；以及钝化层，覆盖于部分第一台阶、第二台阶和部分第三接触层，钝化层与金属电极相接。
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公开(公告)号：CN114335232A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111539243.9
申请日：2021-12-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种双色异质结光电晶体管，包括：衬底；外延层，设置于衬底上，外延层包括缓冲层、刻蚀终止层、第一接触层、第一异质结结构、第二接触层、第二异质结构和第三接触层，第一接触层上设有第一台阶，第二接触层上设有第二台阶；金属电极，包括第一金属电极、第二金属电极和第三金属电极，第一金属电极设置于第一台阶上，第二金属电极设置于第二台阶上，第三金属电极设置于第三接触层上；以及钝化层，覆盖于部分第一台阶、第二台阶和部分第三接触层，钝化层与金属电极相接。
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