一种基于逆置换在铜表面制备钴硫薄膜的方法

    公开(公告)号:CN110565078B

    公开(公告)日:2021-01-01

    申请号:CN201910624436.0

    申请日:2019-07-11

    Abstract: 本发明涉及铜表面制备钴硫薄膜的方法,具体为一种基于逆置换在铜表面制备钴硫薄膜的方法,包括以下步骤:S1、制备逆置换沉积液:逆置换沉积液的组成及各组分的含量为:钴盐10‑200g/L,添加剂90‑320g/L,利用稀硫酸等将沉积液pH值调整为3‑7;S2、铜试样处理:采用砂纸打磨铜基底,去除表面的氧化物和污染物,然后在乙醇溶液中超声清洗,氮气吹干;S3、沉积镀膜:铜试样放入逆置换沉积液中沉积;S4、钴硫薄膜铜试样处理:取出铜试样,用去离子水清洗残留的沉积液,用氮气吹干;采用本发明方法,能够直接在铜表面制备高质量钴硫薄膜,并且具有沉积液组成简单,操作流程少、耗时短和成本低等优势。

    一种氯化镍辅助碳薄膜在甲醇中实现宏观超滑和低磨损的方法

    公开(公告)号:CN119980139A

    公开(公告)日:2025-05-13

    申请号:CN202510281136.2

    申请日:2025-03-11

    Abstract: 本发明公开一种氯化镍辅助碳薄膜在甲醇中实现宏观超滑和低磨损的方法,首先利用磁控溅射技术在基材表面制备厚度1~2微米的硅掺杂碳基复合薄膜,然后配置质量浓度为5~20%的氯化镍甲醇溶液,最后将氯化镍甲醇溶液滴涂在硅掺杂碳薄膜表面或者将硅掺杂碳薄膜浸润在氯化镍甲醇溶液中,即可在甲醇中实现宏观超滑和低磨损。在摩擦过程中,碳薄膜表面的Si会形成Si‑O‑Si网络作为阻止薄膜进一步磨损的屏障,进而产生的羟基基团通过与镍离子提供的强吸附位点结合产生具有低层间剪切力的二维层状氢氧化镍来实现超滑和低磨损,其摩擦系数为0.002,磨损率为1.291×10‑9 mm3/N·m。

    一种抑制Jahn-Teller效应的锰基钠离子电池正极材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN115663161B

    公开(公告)日:2025-05-09

    申请号:CN202211511005.1

    申请日:2022-11-30

    Abstract: 本发明公开了一种抑制Jahn‑Teller效应的锰基钠离子电池正极材料,是先采用高功率磁控溅射技术在锰基钠离子电池正极材料表面沉积二氧化钛薄膜,然后采用中频磁控溅射技术沉积氮掺杂类石墨碳薄膜。二氧化钛包覆层提供框架结构,有效将材料和电解液隔离开,避免材料溶解在电解液中造成不可逆损失,有效抑制Jahn‑Teller效应,提高材料结构稳定性;氮掺杂类石墨碳包覆层可以有效提高正极材料的导电性能,从而综合提高了材料的电化学性能。本发明的制备工艺不涉及液相反应条件,可以有效的避免杂质的引入,所制备的薄膜结合力较好,实验过程可控性高、效率高、污染小,具有广阔的市场应用前景。

    自激非零位振荡高功率脉冲技术制备3D网络互穿二硫化钼薄膜的方法

    公开(公告)号:CN115786848B

    公开(公告)日:2024-11-19

    申请号:CN202211558856.1

    申请日:2022-12-06

    Abstract: 本发明公开了一种利用自激非零位振荡高功率微脉冲磁控溅射技术制备3D网络互穿二硫化钼薄膜的方法,属于真空镀膜技术领域和摩擦学领域。本发明采用真空自激非零位振荡高功率微脉冲磁控溅射技术,在基材表面沉积依次沉积TiN过渡层和3D网络互穿二硫化钼薄膜。TiN过渡层使得3D网络互穿二硫化钼薄膜与基底具有良好的结合力,获得的3D网络互穿二硫化钼薄膜具有高致密度和低缺陷,有效提高了3D网络互穿二硫化钼薄膜的承载能力和抗磨损性,提升了薄膜的摩擦寿命,具有优良的摩擦学性能。

    一种聚合物复合铜箔铜种子层的制备方法

    公开(公告)号:CN116334556B

    公开(公告)日:2024-05-03

    申请号:CN202310243169.9

    申请日:2023-03-14

    Abstract: 本发明公开了涉及聚合物复合铜箔技术领域的一种聚合物复合铜箔铜种子层的制备方法,步骤1,采用高能量非金属离子束,对聚合物薄膜的表面进行刻蚀活化,得到活化后的聚合物薄膜;步骤2,采用磁控溅射,在活化后的聚合物薄膜的表面沉积金属离子,形成聚合物‑金属互穿网络结构;步骤3,在聚合物‑金属互穿网络结构表面沉积纳米厚度的铜种子层,通过低基底偏压、还原性气氛、低沉积气压和磁场增强实现高导电铜种子层的择优取向快速沉积。本发明提供的铜种子层具有高的结合强度、优异的导电性能和抗氧化性能,所属制备方法具有较高沉积速率,可进一步提高生产效率。

    一种二维纳米片负载铜金属颗粒基超滑薄膜的构筑方法

    公开(公告)号:CN117920547A

    公开(公告)日:2024-04-26

    申请号:CN202410040859.9

    申请日:2024-01-11

    Abstract: 本发明提供了一种二维纳米片负载铜金属颗粒基超滑薄膜的构筑方法,通过等离子体原位解离二维块体材料并同时利用磁控溅射法将铜粒子沉积到解离减薄后的二维块体材料表面形成负载铜粒子的二维纳米片,在负载铜粒子的二维纳米片表面结合柔性聚合物,最后将其作为喷涂材料喷涂在基体表面获得超滑薄膜,此种超滑薄膜基于在摩擦界面构筑铜金属/二维纳米材料异质配副,实现低粘附力;同时摩擦力诱导铜金属粒子聚集的晶簇形成自迁移行为,通过聚合物扩散通道持续为界面提供该异质配副,保障了稳定的超滑状态并延长了磨损寿命;克服了传统化学处理和润滑涂层的局限,易实现大面积工业化制备,有望成为延长运动部件寿命重要手段之一。

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