公开(公告)号：CN115786848B

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN202211558856.1

申请日：2022-12-06

Applicant: 中国科学院兰州化学物理研究所

Inventor： 张斌 ,  高海洋 ,  高凯雄 ,  张俊彦

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明公开了一种利用自激非零位振荡高功率微脉冲磁控溅射技术制备3D网络互穿二硫化钼薄膜的方法，属于真空镀膜技术领域和摩擦学领域。本发明采用真空自激非零位振荡高功率微脉冲磁控溅射技术，在基材表面沉积依次沉积TiN过渡层和3D网络互穿二硫化钼薄膜。TiN过渡层使得3D网络互穿二硫化钼薄膜与基底具有良好的结合力，获得的3D网络互穿二硫化钼薄膜具有高致密度和低缺陷，有效提高了3D网络互穿二硫化钼薄膜的承载能力和抗磨损性，提升了薄膜的摩擦寿命，具有优良的摩擦学性能。

公开(公告)号：CN115786848A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202211558856.1

申请日：2022-12-06

Applicant: 中国科学院兰州化学物理研究所

Inventor： 张斌 ,  高海洋 ,  高凯雄 ,  张俊彦

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明公开了一种利用自激非零位振荡高功率微脉冲磁控溅射技术制备3D网络互穿二硫化钼薄膜的方法，属于真空镀膜技术领域和摩擦学领域。本发明采用真空自激非零位振荡高功率微脉冲磁控溅射技术，在基材表面沉积依次沉积TiN过渡层和3D网络互穿二硫化钼薄膜。TiN过渡层使得3D网络互穿二硫化钼薄膜与基底具有良好的结合力，获得的3D网络互穿二硫化钼薄膜具有高致密度和低缺陷，有效提高了3D网络互穿二硫化钼薄膜的承载能力和抗磨损性，提升了薄膜的摩擦寿命，具有优良的摩擦学性能。

公开(公告)号：CN120006229A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202411960973.X

申请日：2024-12-30

Applicant: 中国科学院兰州化学物理研究所

Inventor： 张斌 ,  高海洋 ,  张俊彦 ,  高凯雄

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06 ,  C23C14/54

Abstract: 本发明公开了一种贵金属微掺杂改善磁控溅射二硫化钼薄膜质量同时提升摩擦性能的方法，先将基底清洗吹干后放入磁控溅射腔体，抽至高真空条件下后通入Ar气体清洗基底；再采用高功率脉冲磁控溅射技术溅射镶嵌有掺杂金属元素颗粒的二硫化钼靶材，得到改性的金属微掺杂二硫化钼薄膜。获得的微掺杂二硫化钼薄膜S/Mo比明显提高，薄膜内部晶化二硫化钼成分增加，同时也保持了薄膜自身的致密度和硬度；高功率脉冲技术使掺杂元素均匀弥散在薄膜内部，从而保证少量掺杂元素便能够获得薄膜性能提升；薄膜在摩擦过程中摩擦界面的有序度明显提高，具有低摩擦系数和低磨损率，提升了薄膜的摩擦学性能。