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公开(公告)号：CN116424992A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310433353.X
申请日：2023-04-21
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: B66B5/28
Abstract: 本发明提供了一种基于电磁感应的升降机构减速装置。所述装置包括升降井、升降厢、厢底随动线圈、井壁导电板、井底固定线圈。厢底随动线圈固定布置在升降厢底部外侧，与升降厢共同上下。井壁导电板固定在升降井侧壁，井底固定线圈安装于升降井底部。当升降厢突然加速下坠时，加速度传感器监测并触发厢底随动线圈通电，升降厢随即转变为电磁铁，根据楞次定律井壁导电板产生感应电流减小升降厢下坠速度，同时触发井底固定线圈反向通电，磁场方向与厢底随动线圈磁场方向相反，进一步在升降厢接近井底时加以制动。有效提升了升降厢的防坠能力，避免了机械防坠装置的复杂结构，非接触式的防坠装置不用考虑磨损消耗，可以有效延长防坠装置的使用寿命。
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公开(公告)号：CN115265425A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210666743.7
申请日：2022-06-14
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G01B15/04
Abstract: 本发明提供了一种衍射元件微观形貌对宏观性能影响的评估方法。通过图像处理算法将加工误差引入到元件表面三维微观形貌模型中，利用衍射元件光波调制分析方法计算衍射元件对入射光波的调制作用及局部衍射效率；采用标量衍射积分公式计算元件焦面及离焦面光强，采用相位差法反演得到元件的波前像差，采用改进的局部光栅方程描述衍射元件的宏观性能，实现衍射元件微观加工误差对宏观性能影响的评估。该方法打通了衍射元件微观形貌与宏观性能的联系，为微结构加工误差定量化研究提供了基本方法，同时使用改进的光栅方程描述衍射元件宏观性能，打通了与传统光线追迹技术的接口，解决了衍射成像系统的性能可预测性，可降低衍射元件应用风险。
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公开(公告)号：CN114518656A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202210282533.8
申请日：2022-03-22
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种多波长共焦衍射元件及其设计方法，首先确定元件口径、焦距及使用波长；然后根据单波长聚焦元件设计公式确定每个波长对应的台阶加工区域及台阶高度；对多个单波长元件对应的台阶加工区域进行逻辑运算优化，得到新的台阶加工区域；根据使用需求，对多个单波长元件对应的台阶高度进行综合优化得到新的台阶高度；根据新的台阶加工区域与台阶高度，形成多波长共焦衍射元件加工文件。本发明所述的多波长共焦元件，使用一片衍射元件即可实现多波长共焦汇聚；其加工采用传统衍射元件加工方法，不增加工艺难度；其设计方法采用正向设计思路，无需复杂的迭代过程，对波长数值与元件口径没有限制，设计自由度高。
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公开(公告)号：CN113655643A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110946312.1
申请日：2021-08-18
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G02F1/01 , G02F1/03 , G02F1/061 , G02F1/133 , G02F1/1343
Abstract: 本发明提供了一种基于电光材料的阵列化动态光学相位修正板。所述的光学相位修正板包含X方向多路电压控制器、Y方向多路电压控制器、电光材料基板、X方向透明电极、Y方向透明电极、电压控制微区。光学系统的初始波前经过未加电压的光学相位修正板后被干涉仪或波前传感器接收，将检测结果与理论波前进行对比，根据经验或算法对光学相位修正板施加电压，由X方向多路电压控制器和Y方向多路电压控制器对其进行程序控制，最后获得优化波前。相对现有技术可以实现局部波前误差的精确校正，且提高了动态波前校正的响应速度。
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公开(公告)号：CN114563934B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202210197015.6
申请日：2022-03-01
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G03F9/00
Abstract: 本发明提供了一种基于平面基板加工双面微米级定位标记的简易装置及方法。基于融石英材料加工测杆标记衬底，使其具备光学级表面光洁度和面形要求，利用光刻、刻蚀技术在其表面加工微浮雕标记形成测杆标记。利用光学镜片胶合技术将测杆标记衬底连接到千分尺测杆端面固定，在测杆标记表面涂覆色素，转动旋钮使测杆标记和千分尺测砧端面接触完成标记预压印将色素转移形成测砧标记。分离测杆标记和测砧标记并补充测杆标记的色素，插入平面基板并使其反面靠近测砧标记，转动旋钮使测杆标记和测砧标记同时接触平面基板正反面完成标记双面压印，获得基板正面标记和基板反面标记。实现在厚平面基板正反面加工定位标记，且双面标记的对准精度达微米级。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116413904A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202310391479.5
申请日：2023-04-13
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G02B26/06
Abstract: 本发明提供了一种实现分立式变形镜表面连续化的方法，首先加工出弹性镂空支架，然后将柔性光学薄膜支撑固定于弹性镂空支架上表面，通过旋涂工艺将紫外固化胶液涂覆于柔性光学薄膜上表面。将柔性光学薄膜翻转使其有胶一面接触分立式变形镜上表面，施加均匀紫外光辐照使紫外固化胶液固化，柔性光学薄膜有胶一面被牢牢粘贴在分立式变形镜上表面。去除边缘多余柔性光学薄膜和弹性镂空支架，利用真空镀膜技术在柔性光学薄膜无胶一面沉积光学反射膜，完成分立式变形镜的表面连续化。本发明具有表面连续无间隙，有效避免了能量损失和衍射效应的问题。同时降低了对变形镜表面粗糙度的要求，通过紫外固化胶液的浸润作用能使粗糙的变形镜表面平坦化。
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公开(公告)号：CN111474822B
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202010422741.4
申请日：2020-05-19
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于三维光刻胶掩膜快速修正光学基底均匀性的方法。包括：三维光刻胶掩膜制作和均匀刻蚀减薄。工作流程为第一步首先进行光学基底初始均匀性测试，然后在光学基底表面完成光刻胶涂层厚度分布测试，接着进行光刻去除量分布设计、灰度紫外曝光、显影与后烘形成三维光刻胶掩膜。第二步均匀刻蚀减薄首先是刻蚀去除量分布设计和等离子体工艺参数优化，经过刻蚀减薄中间状态获得均匀光学基底。该方法克服了传统技术不兼容柔性薄膜光学材料、成本高、效率低的问题，实现兼容柔性薄膜光学材料的高效率光学基底加工。
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公开(公告)号：CN111474610A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN202010422743.3
申请日：2020-05-19
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G02B3/00
Abstract: 本发明提供了一种制备连续面形菲涅尔透镜的方法，包括：连续面形菲涅尔透镜母版制作和连续面形菲涅尔透镜流延复制。具体包括环带凹槽模具、紫外固化胶滴注、紫外固化胶旋转固化、连续面形母版、胶液流延固化、连续面形菲涅尔透镜。工作流程为首先加工出环带凹槽模具，然后往环带凹槽模具滴注紫外固化胶，使紫外固化胶填满所有凹槽，接着将其置于离心机上对心旋转，同时在上方施加紫外辐照，直至紫外固化胶完全固化。固化后的紫外胶成为连续面形母版，在母版表面浇筑聚合物胶液并固化，脱膜后成为连续面形菲涅尔透镜。该方法克服了传统技术口径小、成本高、效率低等问题，实现口径几十毫米以上、结构表面粗糙度较低的连续面形菲涅尔透镜制作。
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公开(公告)号：CN116413903A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202310391432.9
申请日：2023-04-13
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种衍射光学透镜波前误差快速修正的方法，包括衍射光学透镜对准定位、波前测量与灰度掩模计算、透镜工装保护、透镜背面灰度光刻、透镜背面刻蚀传递、透镜表面清洗。工作流程为首先对已有衍射光学透镜做对准定位，然后进行波前测量得到波前分布数据，根据波前分布数据计算灰度掩膜数据，接着利用工装保护衍射光学透镜正面，在衍射光学透镜的背面进行灰度光刻，生成光刻胶波前调制层，再利用干法刻蚀技术将光刻胶波前调制层传递至基底，最后完成透镜表面清洗即得到波前误差修正后的衍射光学透镜。该方法克服了衍射光学透镜波前误差大、修正效率低等问题，有利于实现大口径高衍射效率、高波前质量的衍射光学透镜加工。
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公开(公告)号：CN114879452A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210445026.1
申请日：2022-04-26
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供了一种柔性薄膜高均匀接触式对准曝光装置，包括腔体骨架、隔振底座、光学窗口、光掩膜版、柔性薄膜、六自由度平台、压圈支架、柔性压圈、升降机构、旋转机构、万向节、显微镜位移台和显微镜。腔体骨架和隔振底座连接构成真空腔体，六自由度平台和升降机构均与腔体骨架连接。光学窗口嵌于隔振底座对光掩膜版起支撑作用。柔性薄膜由薄膜支架支撑并与六自由度平台连接。压圈支架向上依次连接万向节、旋转机构和升降机构，向下连接柔性压圈。显微镜通过显微镜位移台与压圈支架连接。本发明降低传统接触式光刻机不均匀的空气间隙，提高曝光分辨率；减小传统真空贴附方法对薄膜造成的变形，提高对准套刻精度。
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