公开(公告)号：CN113483677A

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN202110674841.0

申请日：2021-06-18

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 杨辽 ,  沈川 ,  陈路 ,  何力

IPC: G01B11/06 ,  G01B11/30 ,  G01N21/21 ,  G01M11/02

Abstract: 本发明公开了一种基于椭偏仪的原位薄膜性质参数实时表征方法。本发明的技术方案为：在薄膜生长过程中，实时测量同一性质参数有较大差别薄膜样品的椭偏参数ψ和Δ；通过拟合椭偏参数，获取上述薄膜样品的介电函数图谱；采用插值方法，建立以该性质参数为变量的光学常数函数库；用该光学常数函数库描述待测薄膜的光学性质，构建适于薄膜生长过程监测的在线椭偏拟合模型；使用在线椭偏拟合模型对薄膜生长过程中的椭偏参数进行实时拟合，从而获得生长过程中薄膜性质参数的实时表征与评价。本发明的优点在于为薄膜生长过程中纵向集成结构设计、性能参数实时表征和评价等问题提供解决方案，为复杂异质结制备技术的发展提供新思路。

公开(公告)号：CN118073457A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202410370844.9

申请日：2024-03-29

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 谢浩 ,  郭慧君 ,  沈川 ,  杨辽

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/18 ,  C30B29/48 ,  C30B19/00

Abstract: 本发明公开了一种基于垂直液相外延材料的碲镉汞双色雪崩探测器及制备方法。所述探测器包括在CdZnTe衬底上采用垂直液相外延生长P型带组分梯度的中波HgCdTe外延材料，利用离子注入形成N+型接触层，并用退火推结方式形成N‑型倍增层。本发明引入台面结和平面结相交错光敏元的器件制备方式，使得台面结区域吸收区位于组分梯度短波材料，平面结区域吸收区位于横向的中波材料，从而利用垂直液相外延方式，制备片上集成的双色波段响应的雪崩红外探测器，降低了双色材料和器件制备难度和成本，有助于在实现宽光谱、多波段的主被动双模探测的同时，降低探测系统的尺寸、重量和功耗。

公开(公告)号：CN222776534U

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202420627242.2

申请日：2024-03-29

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 谢浩 ,  郭慧君 ,  沈川 ,  杨辽

IPC: H10F30/225 ,  H10F77/123 ,  H10F71/00 ,  C30B29/48 ,  C30B19/00

Abstract: 本发明公开了一种基于垂直液相外延材料的碲镉汞双色雪崩探测器。所述探测器包括在CdZnTe衬底上采用垂直液相外延生长P型带组分梯度的中波HgCdTe外延材料，利用离子注入形成N+型接触层，并用退火推结方式形成N‑型倍增层。本发明引入台面结和平面结相交错光敏元的器件制备方式，使得台面结区域吸收区位于组分梯度短波材料，平面结区域吸收区位于横向的中波材料，从而利用垂直液相外延方式，制备片上集成的双色波段响应的雪崩红外探测器，降低了双色材料和器件制备难度和成本，有助于在实现宽光谱、多波段的主被动双模探测的同时，降低探测系统的尺寸、重量和功耗。