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公开(公告)号：CN101709952A
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200910199928.6
申请日：2009-12-04
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01B11/06
Abstract: 本发明公开了一种非接触式晶片厚度测量装置及方法，其特征是：超净的晶片装置于一个相对封闭的净化空间内，使用傅里叶变换红外光谱仪利用非接触方法测量出该晶片两边至腔体内壁之间空气层的厚度，使用千分尺测量得到腔体两个内壁间距，这样就可以得到晶片的精确厚度。该装置和方法的优点是：整个过程中清洗干净的晶片一直放置于相对封闭的超净空间内，测试过程非接触，从而不会导致晶片被污染和氧化，晶片表面也不会因为接触硬物而导致划伤，保证晶片的干净与表面完美，避免了液相外延生长过程中晶片厚度不精确所引起的粘液和划伤，提高了外延片的成品率。
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公开(公告)号：CN103500765B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201310470180.5
申请日：2013-10-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0304 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种基于砷阀开关的II类超晶格结构及制备方法。与传统的II类超晶格结构相比，原有的二元化合物GaSb和InSb均分别由GaAsSb和InAsSb三元化合物替代。其制备方法是在整个II类超晶格生长过程中，As阀一直处于打开状态，阀位大小与生长InAs层时相同，使得在生长GaSb层和InSb界面层时由于部分As的流出而形成了GaAsSb和InAsSb三元化合物。其特点在于：由于各层中都有共同元素As存在，使得各层的生长温度趋于一致，并使得界面处的互扩散减少。此外，As原子表面活性剂作用，增加了Sb原子的迁移率，降低了Sb团簇的形成几率，减少了材料本身的缺陷，提高了材料性能。
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公开(公告)号：CN101709952B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200910199928.6
申请日：2009-12-04
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01B11/06
Abstract: 本发明公开了一种非接触式晶片厚度测量装置及方法，其特征是：超净的晶片装置于一个相对封闭的净化空间内，使用傅里叶变换红外光谱仪利用非接触方法测量出该晶片两边至腔体内壁之间空气层的厚度，使用千分尺测量得到腔体两个内壁间距，这样就可以得到晶片的精确厚度。该装置和方法的优点是：整个过程中清洗干净的晶片一直放置于相对封闭的超净空间内，测试过程非接触，从而不会导致晶片被污染和氧化，晶片表面也不会因为接触硬物而导致划伤，保证晶片的干净与表面完美，避免了液相外延生长过程中晶片厚度不精确所引起的粘液和划伤，提高了外延片的成品率。
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公开(公告)号：CN101445876B
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200810204564.1
申请日：2008-12-15
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: C22B43/00
Abstract: 本发明公开了一种汞提纯装置中高纯汞的取出装置及方法，其特征是：在负压的作用下将提纯后的汞，经不与第三者接触的接头，吸至取汞器皿中。该取汞装置的优点是，整个过程中，被提取的汞仅与高纯的石英管道和器皿相接触，提纯装置和被取汞的器皿均处在氮气保护状态下，避免了提纯系统和提纯后的汞在此过程中受到污染，操作也十分方便和安全。
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公开(公告)号：CN100497754C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200710045151.9
申请日：2007-08-22
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于改善碲镉汞液相外延薄膜表面形貌的石墨舟，该石墨舟的特征是将原置于母液槽的前方或后方的汞源槽改为置于母液槽的正上方，两槽之间有通道相通，汞源槽产生的汞蒸气通过通道从母液槽的顶面向母液补充汞，使得汞源槽产生的汞蒸气对母液的补充更为均匀，从而母液上方的压力更为均匀，同时母液槽前后方的结构相似，促使母液槽周围的温场更为均匀。本发明的优点是：可以最大程度上消除压力和温场的不均匀，减缓母液对流，从而降低外延材料表面的波纹。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101447414A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810204565.6
申请日：2008-12-15
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种耐真空及高压有气体保护的可移动密封装置，其特征是：装置与密封腔体的结合部位由O型圈密封，上下移动由连接移动机械部分的精抛光的不锈钢旋转升降轴完成，不锈钢旋转升降轴与外壁之间采用两组Y型密封圈进行密封，每组Y型圈可以独立完成对高压和真空的保持，当下方有高压存在时，由于压力的作用会使两组Y型圈中的朝下的一个向外扩张，从而紧贴外套和提拉杆的表面，压力越大，密封圈的接触面积就越大，结合的越紧密阻止气体流出。真空时则相反，两组密封圈中的上边的一只则起到密封作用。若气体有微漏时，有毒有害气体会随保护气体流入尾气，防止污染环境。
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公开(公告)号：CN1133760C
公开(公告)日：2004-01-07
申请号：CN01132131.8
申请日：2001-11-07
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: C30B25/02
Abstract: 本发明公开了一种用于碲镉汞液相外延薄膜材料生长的带有母液清除装置的石墨舟，包括：底板、滑块以及固定底板和滑块的底座，底板上开有一孔道，孔道内置有调节衬底与孔道口高度的石英垫片，石英垫片上放置衬底。滑块上开有放置母液的孔道，它的特征是：在孔道的后面与底板相接触的滑块面上开有二个长方形的小槽，小槽的长度方向与滑块的移动方向相垂直，小槽是通过滑块的移动来完成收集外延薄膜生长结束后残留在薄膜上的母液。采用本装置可生长出表面如镜面一样光亮，无沾液的HgCdTe液相外延层，而且本装置也适用于II-VI族或III-V族化合物半导体的液相外延层上残留母液的去除。
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公开(公告)号：CN101481823B
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN200810204569.4
申请日：2008-12-15
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞材料富汞制备技术所需的高压保护性气体控制系统，其特征是：热处理系统内的气体压力由进气压力控制器，同时在系统的出气气路中在接入一个出气压力控制器，并跟着接入一个气体质量流量计，这样，当系统的气体压力小于设定值时，进气压力控制器自动给系统增压，直至平衡，而当系统加热或温度波动导致系统内压力超过设定值时，进气压力控制器自动关闭，气体将通过出气压力控制器和质量流量计排出，压力随之下降。该控制方法的优点是，既保持了半导体材料热处理所需要的气体流动性，同时又能保持了系统压力的稳定性和安全性，满足了碲镉汞材料富汞制备技术对保护性气体控制的技术要求。
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公开(公告)号：CN100479121C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200710039950.5
申请日：2007-04-25
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L21/368
Abstract: 本发明公开了一种硅基衬底碲镉汞液相外延的生长方法，该方法的特征在于：先在Si/CdTe复合衬底外生长一层SiO2覆盖层，然后采用恒速降温和分步冷却相结合的方式生长HgCdTe外延薄膜。其有益效果在于：SiO2覆盖层能够很好的起到保护衬底表面不被粘污，同时还能起到隔绝Si与熔融母液的接触。生长方法的改进一方面可以避免很薄的缓冲层发生回熔，另一方面也减少了生长母液与Si/CdTe衬底接触的时间，有效地控制Si溶解，满足了红外焦平面器件要求的具有一定性能的长波HgCdTe材料。
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公开(公告)号：CN103500765A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201310470180.5
申请日：2013-10-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0304 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1844 , B82Y20/00 , H01L31/035236 , H01L31/0735
Abstract: 本发明公开了一种基于砷阀开关的II类超晶格结构及制备方法。与传统的II类超晶格结构相比，原有的二元化合物GaSb和InSb均分别由GaAsSb和InAsSb三元化合物替代。其制备方法是在整个II类超晶格生长过程中，As阀一直处于打开状态，阀位大小与生长InAs层时相同，使得在生长GaSb层和InSb界面层时由于部分As的流出而形成了GaAsSb和InAsSb三元化合物。其特点在于：由于各层中都有共同元素As存在，使得各层的生长温度趋于一致，并使得界面处的互扩散减少。此外，As原子表面活性剂作用，增加了Sb原子的迁移率，降低了Sb团簇的形成几率，减少了材料本身的缺陷，提高了材料性能。
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