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公开(公告)号：CN117568921A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311540645.X
申请日：2023-11-20
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种去除残留熔滴的V形狭槽铟砷基材料液相外延石墨舟，涉及半导体薄膜技术领域，包括盖板、母液槽块、衬底槽滑板和底座，底座具有U形槽，衬底槽滑板上开设有衬底放置槽，且衬底槽滑板能沿第一方向滑动设置在U形槽内；母液槽块与底座能拆卸地固连一起，母液槽块上开设有至少一个母液槽，母液槽在水平面上的投影能覆盖衬底放置槽在水平面上的投影，且各母液槽的一侧均设有一个V形狭槽，各V形狭槽的开口朝向均与衬底槽滑板从U形槽拉出的方向相同，V形狭槽的两端间距大于衬底放置槽宽度。通过在母液槽一侧设置V形狭槽，多余的残留母液被V形狭槽驱赶至外延薄膜之外，减少多余的母液，保证外延薄膜的可利用面积。
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公开(公告)号：CN119863667A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202510345934.7
申请日：2025-03-24
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G06V10/764 , H10N70/20 , G06V10/82 , G06V10/40 , G06N3/067 , G06N3/065 , G06N3/0499
Abstract: 本申请公开了一种基于持续光电导的仿生动目标感存算一体光电探测系统，涉及仿生智能视觉领域和类脑计算领域，包括互联的类突触型仿生光电探测器阵列和类脑忆阻器阵列；类突触型仿生光电探测器阵列探测动目标视觉信息时，对每个像素中的器件施加固定偏压，将每个像素对应的空间光照信息转换为持续衰减的光电流信号，在光电流持续衰减的过程中连续接收多帧动态目标的光照信息，在最后一帧光照信息输入后，读取每个像素的光电流信号，确定记忆了所有历史时刻信息的特征图；类脑忆阻器阵列基于欧姆定律和基尔霍夫定律，对特征图执行深度神经网络运算，输出与任务结果标签对应的电流，识别动态目标，能够应对深度神经网络和复杂动态视觉任务的需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113823702A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202111128166.8
申请日：2021-09-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0232 , H01L31/032 , H01L31/11 , H01L31/18 , G01J5/10
Abstract: 本发明公开了一种混合维度范德华异质结室温双色红外探测器及制备方法。器件的制备步骤是利用一定比例的氢氟酸和氟化铵制备的缓冲氧化物刻蚀液刻蚀双面抛光的Si/SiO2，形成Si窗口。利用聚碳酸亚丙酯薄膜无损转移的二维范德华材料异质结至Si窗口形成PNP(NPN)异质结构。利用光电三极管能带结构实现双波段红外信号探测，同时利用Si材料高吸光率作为近红外光敏材料和长波通滤波片来降低串扰，提升器件双波段红外响应。本发明的特点是将三维薄膜材料与二维范德华材料相结合，实现近红外/中红外室温探测，制作成本低、工艺简单易制备、探测率高、工作温度高。
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公开(公告)号：CN116344638A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310121241.0
申请日：2023-02-16
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0224 , H01L31/0203 , H01L31/109 , H01L31/18 , H01L31/032
Abstract: 本发明属于光电器件技术领域，具体涉及一种复眼结构柔性红外探测器及其制备方法和应用。在本发明中，层叠设置的二维半导体层和零维半导体层构成低维半导体异质结，利用低维半导体异质结的大杨氏模量和应力下的高稳定性，进而提高了柔性探测器的稳定性能；通过和曲面微透镜的有效耦合，得到了高稳定性、宽谱探测、大线性动态范围和动目标探测灵敏的复眼结构柔性红外探测器。
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公开(公告)号：CN115911159A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202310062812.8
申请日：2023-01-16
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0392 , H01L31/113 , H01L31/0232 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种基于光热效应的二维黑磷柔性红外探测器及其制备方法，属于红外探测技术领域。本发明提供的基于光热效应的二维黑磷柔性红外探测器包括红外探测器基体、源电极和漏电极和封装层；所述红外探测器基体包括依次层叠的聚酰亚胺衬底、栅电极层、栅氧化层和黑磷层；所述源电极和漏电极位于所述黑磷层表面；所述封装层位于所述红外探测器基体的黑磷层一侧、覆盖所述红外探测器基体且裸露出所述源电极和漏电极。在本发明中，聚酰亚胺衬底柔性高，热导率低，在红外光照射下衬底的温度升高，产生热效应增强了光子的散射，从而降低了载流子的迁移率，由此产生的负光电导降低了黑磷晶体管在开态时的电流，显著提高了红外探测器的光响应率。
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公开(公告)号：CN104538489A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410748536.1
申请日：2014-12-09
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/18 , H01L31/108
Abstract: 本发明公开了一种提高石墨烯与纳米线异质结探测器开关比的方法。该方法是在机械剥离的石墨烯上物理转移InAs纳米线，形成异质结。由于石墨烯与InAs纳米线具有不同的功函数，接触处会形成肖特基势垒。而栅极电压能够调节石墨烯的费米能级，从而调节肖特基势垒的高度，形成内建电场，使光生电子空穴对迅速分开，电子流向InAs纳米线，空穴流向石墨烯。因此，肖特基势垒的可调控优势能够有效地抑制石墨烯与纳米线异质结探测器的暗电流，提高探测器的开关比。此结构能够使石墨烯与纳米线异质结探测器的开关比超过102。本发明对于提高现有的石墨烯与纳米线异质结探测器的开关比有着十分重要的意义。
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公开(公告)号：CN217086581U
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202122332477.8
申请日：2021-09-26
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0232 , H01L31/032 , H01L31/11 , H01L31/18 , G01J5/10
Abstract: 本专利公开了一种混合维度范德华异质结室温双色红外探测器。器件的制备步骤是利用一定比例的氢氟酸和氟化铵制备的缓冲氧化物刻蚀液刻蚀双面抛光的Si/SiO2，形成Si窗口。利用聚碳酸亚丙酯薄膜无损转移的二维范德华材料异质结至Si窗口形成PNP(NPN)异质结构。利用光电三极管能带结构实现双波段红外信号探测，同时利用Si材料高吸光率作为近红外光敏材料和长波通滤波片来降低串扰，提升器件双波段红外响应。本专利的特点是将三维薄膜材料与二维范德华材料相结合，实现近红外/中红外室温探测，制作成本低、工艺简单易制备、探测率高、工作温度高。
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