公开(公告)号：CN117568921A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202311540645.X

申请日：2023-11-20

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 苗金水 ,  赵超禹 ,  董祎 ,  林虹宇 ,  蒋羽 ,  龙思宇 ,  付晓 ,  王海露 ,  张蕾 ,  胡淑红 ,  胡伟达

IPC: C30B19/06 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明公开了一种去除残留熔滴的V形狭槽铟砷基材料液相外延石墨舟，涉及半导体薄膜技术领域，包括盖板、母液槽块、衬底槽滑板和底座，底座具有U形槽，衬底槽滑板上开设有衬底放置槽，且衬底槽滑板能沿第一方向滑动设置在U形槽内；母液槽块与底座能拆卸地固连一起，母液槽块上开设有至少一个母液槽，母液槽在水平面上的投影能覆盖衬底放置槽在水平面上的投影，且各母液槽的一侧均设有一个V形狭槽，各V形狭槽的开口朝向均与衬底槽滑板从U形槽拉出的方向相同，V形狭槽的两端间距大于衬底放置槽宽度。通过在母液槽一侧设置V形狭槽，多余的残留母液被V形狭槽驱赶至外延薄膜之外，减少多余的母液，保证外延薄膜的可利用面积。

公开(公告)号：CN112786732A

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN202110116588.7

申请日：2021-01-28

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 林虹宇 ,  胡淑红 ,  周子骥 ,  郝加明 ,  谢浩 ,  段永飞 ,  戴宁

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0304

Abstract: 本发明公开了一种InAs基室温宽波段红外光电探测器。该探测器自下而上依次为InAs衬底、InAsSbP阻挡层、InAs吸收层、InAsSbP窗口层；下电极(5)制备在阻挡层上，上电极(6)制备在窗口层上。本发明提供的光电探测器具有室温下探测率高，可零偏压工作，有效探测波长范围宽等优点。

公开(公告)号：CN115763578A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202210811436.3

申请日：2022-07-11

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 周子骥 ,  林虹宇 ,  郝加明 ,  胡淑红 ,  孙艳 ,  戴宁

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/105

Abstract: 本发明公开了一种人工微结构集成InAs基红外光电探测器。该探测器自下而上依次为InAs衬底、InAsSbP阻挡层、InAs吸收层、InAsSbP窗口层；下电极制备在阻挡层上，上电极制备在窗口层上，人工微结构制备在窗口层上的上电极内。本发明的关键点在于提供的光电探测器有效探测波长覆盖范围宽、响应率高、工作温度高、暗电流低和可零偏压工作。

公开(公告)号：CN111584359A

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN202010384277.4

申请日：2020-05-09

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 谢浩 ,  胡淑红 ,  林虹宇 ,  黄田田 ,  陈鑫 ,  戴宁

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/306 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种基于ALD沉积Al2O3作掩膜的超声湿法刻蚀方法。本方法步骤如下：第一步，使用原子沉积技术(ALD)在Ⅲ-Ⅴ族合金半导体器件样品表面沉积Al2O3薄膜；第二步，采用光刻、腐蚀工艺，选择性刻蚀Al2O3，形成Al2O3台面图案掩膜；第三步，在超声清洗机中边超声边进行湿法刻蚀，刻蚀出所需台面；第四步，使用BOE腐蚀液去除Al2O3掩膜。本发明的优点在于：一方面，使用ALD沉积Al2O3替代光刻胶作掩膜，防止因湿法刻蚀时间过长或超声振动而发生脱胶的现象；另一方面，边超声边进行湿法腐蚀，可以防止导电残留物富集在台阶侧面、形成导电通道，有效地降低器件暗电流密度、提高器件性能。

公开(公告)号：CN214797434U

公开(公告)日：2021-11-19

申请号：CN202120239638.6

申请日：2021-01-28

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 林虹宇 ,  胡淑红 ,  周子骥 ,  郝加明 ,  谢浩 ,  段永飞 ,  戴宁

IPC: H01L31/101 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0304

Abstract: 本专利公开了一种InAs基室温宽波段红外光电探测器。该探测器自下而上依次为InAs衬底、InAsSbP阻挡层、InAs吸收层、InAsSbP窗口层；下电极(5)制备在阻挡层上，上电极(6)制备在窗口层上。本专利提供的光电探测器具有室温下探测率高，可零偏压工作，有效探测波长范围宽等优点。

公开(公告)号：CN218568844U

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202221776326.X

申请日：2022-07-11

Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所

Inventor： 周子骥 ,  林虹宇 ,  郝加明 ,  胡淑红 ,  孙艳 ,  戴宁

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/105

Abstract: 本专利公开了一种人工微结构集成InAs基红外探测器。该探测器自下而上依次为InAs衬底、InAsSbP阻挡层、InAs吸收层、InAsSbP窗口层；下电极制备在阻挡层上，上电极制备在窗口层上，人工微结构制备在窗口层上的上电极内。本专利的关键点在于提供的光电探测器有效探测波长覆盖范围宽、响应率高、工作温度高、暗电流低和可零偏压工作。