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公开(公告)号:CN117568921A
公开(公告)日:2024-02-20
申请号:CN202311540645.X
申请日:2023-11-20
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种去除残留熔滴的V形狭槽铟砷基材料液相外延石墨舟,涉及半导体薄膜技术领域,包括盖板、母液槽块、衬底槽滑板和底座,底座具有U形槽,衬底槽滑板上开设有衬底放置槽,且衬底槽滑板能沿第一方向滑动设置在U形槽内;母液槽块与底座能拆卸地固连一起,母液槽块上开设有至少一个母液槽,母液槽在水平面上的投影能覆盖衬底放置槽在水平面上的投影,且各母液槽的一侧均设有一个V形狭槽,各V形狭槽的开口朝向均与衬底槽滑板从U形槽拉出的方向相同,V形狭槽的两端间距大于衬底放置槽宽度。通过在母液槽一侧设置V形狭槽,多余的残留母液被V形狭槽驱赶至外延薄膜之外,减少多余的母液,保证外延薄膜的可利用面积。