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公开(公告)号：CN103014844A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210506144.5
申请日：2012-11-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞垂直液相外延样品架。它是在样品架平面上，存在顶端和左右两侧三条闭合的覆盖压条，以及底端固定夹具。三条覆盖压条和夹具都有与样品架平面成45度的斜面，与衬底边缘接触。夹具通过紧固螺丝固定在样品架平面上。该样品架适用于碲镉汞垂直液相外延生长，衬底夹持固定时，覆盖压条包覆压紧衬底的上部和左右两侧，能从正面就开始阻止外延时母液渗入到衬底背面，夹具压紧衬底底端，覆盖压条和夹具的共同作用能把衬底紧紧地平贴在样品架平面上，减小衬底背面与样品架平面的间隙，阻止外延生长时母液渗入到衬底背面，从而消除外延片背面残留沾液。
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公开(公告)号：CN102508079A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110355312.0
申请日：2011-11-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明公开了一种去除碲镉汞界面层的霍尔样品制备方法。其方法是：使用特定腐蚀剂，对碲镉汞外延层下方的碲锌镉衬底进行腐蚀，过程中不损伤碲镉汞外延层材料，然后对去除碲锌镉衬底的碲镉汞材料进行腐蚀，以消除可能的界面层。通过此样品后续的霍尔测试，可以正确标定碲镉汞外延材料的电学性质，排除碲镉汞界面层对碲镉汞外延材料电学性质的影响。本方法操作方便，仪器要求简单，能够有效的去除碲镉汞界面层。解决了长久以来，难以排除界面层对碲镉汞材料影响，正确标定碲镉汞电学参数的问题。这对研究碲镉汞外延材料特性有着重要意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102677161B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201210142488.2
申请日：2012-05-09
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞液相外延薄膜背面残液的去除方法，其特征步骤如下：使原本背面残液不可使用的碲镉汞材料通过化学腐蚀和机械抛光的办法，在不影响材料质量的情况下得以正常使用。该装置和方法的优点是：整个过程中清洗干净的碲镉汞外延薄膜表面始终被光刻胶所保护，从而不会导致碲镉汞外延薄膜被污染和氧化，也不会因为接触硬物而导致划伤，保证外延薄膜的洁净与表面完美。此技术使原本不可用的外延薄膜经过处理后可以使用，同时也保证了外延薄膜的质量不受影响，从而大大提高了碲镉汞外延薄膜材料制备的成品率。
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公开(公告)号：CN102677161A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210142488.2
申请日：2012-05-09
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞液相外延薄膜背面残液的去除方法，其特征步骤如下：使原本背面残液不可使用的碲镉汞材料通过化学腐蚀和机械抛光的办法，在不影响材料质量的情况下得以正常使用。该装置和方法的优点是：整个过程中清洗干净的碲镉汞外延薄膜表面始终被光刻胶所保护，从而不会导致碲镉汞外延薄膜被污染和氧化，也不会因为接触硬物而导致划伤，保证外延薄膜的洁净与表面完美。此技术使原本不可用的外延薄膜经过处理后可以使用，同时也保证了外延薄膜的质量不受影响，从而大大提高了碲镉汞外延薄膜材料制备的成品率。
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公开(公告)号：CN102508079B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201110355312.0
申请日：2011-11-10
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L21/465
Abstract: 本发明公开了一种去除碲镉汞界面层的霍尔样品制备方法。其方法是：使用特定腐蚀剂，对碲镉汞外延层下方的碲锌镉衬底进行腐蚀，过程中不损伤碲镉汞外延层材料，然后对去除碲锌镉衬底的碲镉汞材料进行腐蚀，以消除可能的界面层。通过此样品后续的霍尔测试，可以正确标定碲镉汞外延材料的电学性质，排除碲镉汞界面层对碲镉汞外延材料电学性质的影响。本方法操作方便，仪器要求简单，能够有效的去除碲镉汞界面层。解决了长久以来，难以排除界面层对碲镉汞材料影响，正确标定碲镉汞电学参数的问题。这对研究碲镉汞外延材料特性有着重要意义。
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公开(公告)号：CN103317394A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310250098.1
申请日：2013-06-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: B24B1/00
Abstract: 本发明公开一种液相外延衬底化学抛光系统。系统采用衬底真空吸附系统来避免粘蜡工序所引起的表面平整度差、易碎及繁琐的化学清洗问题。在真空吸附系统中的样品盘上刻一深度和工艺所需衬底厚度相同的槽，并设置警铃提醒，当衬底厚度达到预定目标时就会有警铃响起，提醒操作者取出衬底。本发明的优点在于：抛光系统可以精确控制衬底厚度，消除了衬底厚度对碲镉汞水平液相外延层质量的影响。
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公开(公告)号：CN203380705U
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201320360968.6
申请日：2013-06-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: B24B1/00
Abstract: 本实用新型公开一种液相外延衬底化学抛光系统。系统采用衬底真空吸附系统来避免粘蜡工序所引起的表面平整度差、易碎及繁琐的化学清洗问题。在真空吸附系统中的样品盘上刻一深度和工艺所需衬底厚度相同的槽，并设置警铃提醒，当衬底厚度达到预定目标时就会有警铃响起，提醒操作者取出衬底。本专利的优点在于：抛光系统可以精确控制衬底厚度，消除了衬底厚度对碲镉汞水平液相外延层质量的影响。
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