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公开(公告)号：CN103849929B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410020944.5
申请日：2014-01-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: C30B19/06
Abstract: 本发明公开了一种用于浸渍式碲镉汞液相外延的样品架，该样品架采用多边形结构，底部设置用于上下搅拌的托板，通过在母液中旋转和上下运动实现母液的均匀化；样品架的主体采用高纯石墨制作，表面由石英垫片和氮化硼底部托板覆盖，能有效防止石墨材料产生碎屑并沾污母液；采用石英垫片还能有效地防止母液对衬底背面的粘附。所发明的样品架用于材料生长时，样品架对衬底进行固定的机构不浸入母液，在不经过高温烘烤条件下，外延后能对衬底或外延片进行装卸，且母液在外延材料边缘残留的尺寸小，能够满足浸渍式碲镉汞液相外延材料批量化生产的需求。
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公开(公告)号：CN103849930A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201410020951.5
申请日：2014-01-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于浸渍式碲镉汞液相外延的温度控制装置及方法。通过在生长腔体和坩埚之间增加温度检测点，对坩埚内母液温度的变化趋势进行提前预测，并通过对控温点温度参数的调整，实现外延温度的精确控制。该装置及方法能有效防止生长系统内管壁汞珠分布的变化和非稳定的汞回流效应对外延工艺中外延温度变化过程的干扰，有效提高浸渍式碲镉汞液相外延工艺的可重复性。
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公开(公告)号：CN103849930B
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201410020951.5
申请日：2014-01-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种用于浸渍式碲镉汞液相外延的温度控制装置及方法。通过在生长腔体和坩埚之间增加温度检测点，对坩埚内母液温度的变化趋势进行提前预测，并通过对控温点温度参数的调整，实现外延温度的精确控制。该装置及方法能有效防止生长系统内管壁汞珠分布的变化和非稳定的汞回流效应对外延工艺中外延温度变化过程的干扰，有效提高浸渍式碲镉汞液相外延工艺的可重复性。
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公开(公告)号：CN102677161B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201210142488.2
申请日：2012-05-09
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞液相外延薄膜背面残液的去除方法，其特征步骤如下：使原本背面残液不可使用的碲镉汞材料通过化学腐蚀和机械抛光的办法，在不影响材料质量的情况下得以正常使用。该装置和方法的优点是：整个过程中清洗干净的碲镉汞外延薄膜表面始终被光刻胶所保护，从而不会导致碲镉汞外延薄膜被污染和氧化，也不会因为接触硬物而导致划伤，保证外延薄膜的洁净与表面完美。此技术使原本不可用的外延薄膜经过处理后可以使用，同时也保证了外延薄膜的质量不受影响，从而大大提高了碲镉汞外延薄膜材料制备的成品率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102677161A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210142488.2
申请日：2012-05-09
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞液相外延薄膜背面残液的去除方法，其特征步骤如下：使原本背面残液不可使用的碲镉汞材料通过化学腐蚀和机械抛光的办法，在不影响材料质量的情况下得以正常使用。该装置和方法的优点是：整个过程中清洗干净的碲镉汞外延薄膜表面始终被光刻胶所保护，从而不会导致碲镉汞外延薄膜被污染和氧化，也不会因为接触硬物而导致划伤，保证外延薄膜的洁净与表面完美。此技术使原本不可用的外延薄膜经过处理后可以使用，同时也保证了外延薄膜的质量不受影响，从而大大提高了碲镉汞外延薄膜材料制备的成品率。
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公开(公告)号：CN103849929A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201410020944.5
申请日：2014-01-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: C30B19/06
Abstract: 本发明公开了一种用于浸渍式碲镉汞液相外延的样品架，该样品架采用多边形结构，底部设置用于上下搅拌的托板，通过在母液中旋转和上下运动实现母液的均匀化；样品架的主体采用高纯石墨制作，表面由石英垫片和氮化硼底部托板覆盖，能有效防止石墨材料产生碎屑并沾污母液；采用石英垫片还能有效地防止母液对衬底背面的粘附。所发明的样品架用于材料生长时，样品架对衬底进行固定的机构不浸入母液，在不经过高温烘烤条件下，外延后能对衬底或外延片进行装卸，且母液在外延材料边缘残留的尺寸小，能够满足浸渍式碲镉汞液相外延材料批量化生产的需求。
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公开(公告)号：CN103014844A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210506144.5
申请日：2012-11-30
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种碲镉汞垂直液相外延样品架。它是在样品架平面上，存在顶端和左右两侧三条闭合的覆盖压条，以及底端固定夹具。三条覆盖压条和夹具都有与样品架平面成45度的斜面，与衬底边缘接触。夹具通过紧固螺丝固定在样品架平面上。该样品架适用于碲镉汞垂直液相外延生长，衬底夹持固定时，覆盖压条包覆压紧衬底的上部和左右两侧，能从正面就开始阻止外延时母液渗入到衬底背面，夹具压紧衬底底端，覆盖压条和夹具的共同作用能把衬底紧紧地平贴在样品架平面上，减小衬底背面与样品架平面的间隙，阻止外延生长时母液渗入到衬底背面，从而消除外延片背面残留沾液。
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公开(公告)号：CN203768484U
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201420028370.1
申请日：2014-01-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本实用新型公开了一种用于浸渍式碲镉汞液相外延的温度控制装置。通过在生长腔体和坩埚之间增加温度检测点，对坩埚内母液温度的变化趋势进行提前预测，并通过对控温点温度参数的调整，实现外延温度的精确控制。该装置及方法能有效防止生长系统内管壁汞珠分布的变化和非稳定的汞回流效应对外延工艺中外延温度变化过程的干扰，有效提高浸渍式碲镉汞液相外延工艺的可重复性。
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公开(公告)号：CN203768483U
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201420028369.9
申请日：2014-01-17
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本专利公开了一种用于浸渍式碲镉汞液相外延的样品架，该样品架采用多边形结构，底部设置用于上下搅拌的托板，通过在母液中旋转和上下运动实现母液的均匀化；样品架的主体采用高纯石墨制作，表面由石英垫片和氮化硼底部托板覆盖，能有效防止石墨材料产生碎屑并沾污母液；采用石英垫片还能有效地防止母液对衬底背面的粘附。所发明的样品架用于材料生长时，样品架对衬底进行固定的机构不浸入母液，在不经过高温烘烤条件下，外延后能对衬底或外延片进行装卸，且母液在外延材料边缘残留的尺寸小，能够满足浸渍式碲镉汞液相外延材料批量化生产的需求。
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