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公开(公告)号：CN105789354A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610236249.1
申请日：2016-04-15
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/101
CPC classification number: H01L31/035236 , H01L31/101
Abstract: 本发明公开了一种宽光谱量子级联红外探测器，它由一化合物半导体材料衬底，在衬底上交替生长八个宽度不一势垒层和量子阱层，并以此为一个周期，重复生长多个周期的多量子阱组成。由于本发明采用了微带结构做吸收区，在低温状态下，在红外光的辐照下，它可以在量子阱区域形成比目前提出的量子级联探测器有更宽的光响应谱，从而更加适于宽光谱探测应用。
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公开(公告)号：CN117776259A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311640928.1
申请日：2023-12-04
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: C01G28/00 , H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/102
Abstract: 本公开提供一种砷化铟纳米线的制备方法以及砷化铟纳米线，涉及半导体技术领域。制备方法包括：提供一石墨烯/锗复合衬底；氧化衬底；在衬底覆盖石墨烯的表面沉积金薄膜；调节反应温度至第一温度，以便金薄膜形成金液滴；以金液滴为催化剂，在衬底上外延生长砷化铟纳米线。本公开提供的制备方法能够显著提高石墨烯衬底上生长的砷化铟纳米线的长度和密度，实现高质量、大面积的超长砷化铟纳米线的制备。
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公开(公告)号：CN111584671A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010324657.9
申请日：2020-04-23
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/0236 , H01L31/0352
Abstract: 本发明公开了一种基于微腔谐振选频的高性能窄带红外探测器。探测器利用材料的红外吸收特性结合器件结构的特定设计进而可以实现红外波段的窄带探测。具体来说，通过将探测器设计成特定的微腔结构，基于微腔结构的共振模式，可以实现对入射红外光的窄带选频探测，并且这种共振模式可极大提高器件的吸收量子效率。通过调节掺杂浓度，在提高吸收量子效率的同时还可以有效的降低器件的暗电流，从而实现一种高性能的、免滤波的窄带红外气体探测器。此外，该器件的器件工艺与现有的红外焦平面工艺完全兼容，可以很方便地实现一种具有本征窄带探测性能的红外焦平面探测器芯片。
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公开(公告)号：CN103320866B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201310251573.7
申请日：2013-06-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种Bi元素调控GaAs基纳米线晶体结构的分子束外延生长方法，在MBE生长室生长纳米线过程中引入Bi元素作为活性剂，减小GaAs的离子性，促进纳米线闪锌矿结构的形成，其特征在于：在所述的纳米线生长过程中根据Ga元素的束流等效分压，调节Bi蒸发源温度来调控其束流等效分压，以使Bi元素与Ga元素的束流等效分压之比为x，x的值将影响Bi元素对纳米线晶体结构的调控能力以及影响纳米线的形貌和相结构纯度。本方法的有益效果在于：在MBE中不需要改变生长工艺条件即可轻松实现闪锌矿晶体结构的GaAs基纳米线生长，有利于纤锌矿和闪锌矿结构GaAs基纳米线的可控生长及其同质异相异质结结构的形成，为制备纳米级光电子器件提供优异的材料。
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公开(公告)号：CN104183658A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410403444.X
申请日：2014-08-15
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/101
CPC classification number: H01L31/101 , H01L31/035236
Abstract: 本发明公开了一种势垒级联量子阱红外探测器，它由一化合物半导体材料衬底，在衬底上交替生长七个宽度不一势垒层和量子阱层，并以此为一个周期，重复生长多个周期的多量子阱组成。由于本发明采用了级联隧穿结构，在低温状态下，在红外光的辐照下，它可以在量子阱区域形成比目前提出的量子阱红外探测器更强的光电信号，从而更加适用于量子阱红外焦平面器件用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119932704A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411875332.4
申请日：2024-12-18
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明提供一种碲纳米线的制备方法和碲纳米线，涉及半导体技术领域。该制备方法包括以下步骤：S1提供一洁净衬底；S2将步骤S1衬底传入分子束外延MBE预处理室进行除气处理；S3将步骤S2衬底传入分子束外延MBE生长室进行脱氧处理；S4将步骤S3衬底降温至生长温度；S5将碲源束流调到生长值，在步骤S4衬底上生长碲纳米线；其中，步骤S3～S5在高能电子衍射监控下完成；步骤S3～S5中的衬底处于旋转状态；步骤S1～S5在真空环境下进行。本发明提供的制备方法能够实现大面积高纯度、且成型均匀的碲纳米线阵列的制备。
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公开(公告)号：CN105957909A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610407211.6
申请日：2016-06-12
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0352
CPC classification number: H01L31/0352 , H01L31/035209
Abstract: 本发明公开了一种势垒级联量子阱红外探测器，它由一化合物半导体材料衬底，在衬底上交替生长七个宽度不一势垒层和量子阱层，并以此为一个周期，重复生长多个周期的多量子阱，再附加包含两组量子阱层与势垒层的辅助输运单元组成。由于本发明采用了级联隧穿结构，在低温状态下，在红外光的辐照下，它可以在量子阱区域形成比目前提出的量子阱红外探测器更强的光电信号，从而更加适用于量子阱红外焦平面器件用。
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公开(公告)号：CN103320866A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310251573.7
申请日：2013-06-21
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本发明公开了一种Bi元素调控GaAs基纳米线晶体结构的分子束外延生长方法，在MBE生长室生长纳米线过程中引入Bi元素作为活性剂，减小GaAs的离子性，促进纳米线闪锌矿结构的形成，其特征在于：在所述的纳米线生长过程中根据Ga元素的束流等效分压，调节Bi蒸发源温度来调控其束流等效分压，以使Bi元素与Ga元素的束流等效分压之比为x，x的值将影响Bi元素对纳米线晶体结构的调控能力以及影响纳米线的形貌和相结构纯度。本方法的有益效果在于：在MBE中不需要改变生长工艺条件即可轻松实现闪锌矿晶体结构的GaAs基纳米线生长，有利于纤锌矿和闪锌矿结构GaAs基纳米线的可控生长及其同质异相异质结结构的形成，为制备纳米级光电子器件提供优异的材料。
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公开(公告)号：CN205723564U
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201620319436.1
申请日：2016-04-15
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/101
Abstract: 本专利公开了一种宽光谱量子级联红外探测器，它由一化合物半导体材料衬底，在衬底上交替生长八个宽度不一势垒层和量子阱层，并以此为一个周期，重复生长多个周期的多量子阱组成。由于本专利采用了微带结构做吸收区，在低温状态下，在红外光的辐照下，它可以在量子阱区域形成比目前提出的量子级联探测器有更宽的光响应谱，从而更加适于宽光谱探测应用。
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公开(公告)号：CN205810833U
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201620558451.1
申请日：2016-06-12
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0352
Abstract: 本专利公开了一种势垒级联量子阱红外探测器，它由一化合物半导体材料衬底，在衬底上交替生长七个宽度不一势垒层和量子阱层，并以此为一个周期，重复生长多个周期的多量子阱，再附加包含两组量子阱层与势垒层的辅助输运单元组成。由于本专利采用了级联隧穿结构，在低温状态下，在红外光的辐照下，它可以在量子阱区域形成比目前提出的量子阱红外探测器更强的光电信号，从而更加适用于量子阱红外焦平面器件用。
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