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公开(公告)号：CN105957909A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610407211.6
申请日：2016-06-12
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0352
CPC classification number: H01L31/0352 , H01L31/035209
Abstract: 本发明公开了一种势垒级联量子阱红外探测器，它由一化合物半导体材料衬底，在衬底上交替生长七个宽度不一势垒层和量子阱层，并以此为一个周期，重复生长多个周期的多量子阱，再附加包含两组量子阱层与势垒层的辅助输运单元组成。由于本发明采用了级联隧穿结构，在低温状态下，在红外光的辐照下，它可以在量子阱区域形成比目前提出的量子阱红外探测器更强的光电信号，从而更加适用于量子阱红外焦平面器件用。
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公开(公告)号：CN108520904B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN201810598277.7
申请日：2018-06-12
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于共振遂穿效应的GaAs基双色量子阱红外探测器，该探测器是由分子束外延手段在GaAs衬底上依次生长下电极层、有源区层以及上电极层制备。有源区层为一个共振遂穿二极管结构夹在两个不同的量子阱中间。当探测器加上特定正或负偏压时，由不同阱宽量子阱响应产生的两个波段光电流将选择性通过共振遂穿二极管形成响应回路。相比目前传统的双色量子阱探测器，本发明可通过调节所加偏压方向和大小实现双色探测，并且能提高器件工作温度。此外，本发明的器件制备工艺更为简化，对促进双色红外量子阱探测器的发展有着重大意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108520904A
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201810598277.7
申请日：2018-06-12
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种基于共振遂穿效应的GaAs基双色量子阱红外探测器，该探测器是由分子束外延手段在GaAs衬底上依次生长下电极层、有源区层以及上电极层制备。有源区层为一个共振遂穿二极管结构夹在两个不同的量子阱中间。当探测器加上特定正或负偏压时，由不同阱宽量子阱响应产生的两个波段光电流将选择性通过共振遂穿二极管形成响应回路。相比目前传统的双色量子阱探测器，本发明可通过调节所加偏压方向和大小实现双色探测，并且能提高器件工作温度。此外，本发明的器件制备工艺更为简化，对促进双色红外量子阱探测器的发展有着重大意义。
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公开(公告)号：CN105789354A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610236249.1
申请日：2016-04-15
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/101
CPC classification number: H01L31/035236 , H01L31/101
Abstract: 本发明公开了一种宽光谱量子级联红外探测器，它由一化合物半导体材料衬底，在衬底上交替生长八个宽度不一势垒层和量子阱层，并以此为一个周期，重复生长多个周期的多量子阱组成。由于本发明采用了微带结构做吸收区，在低温状态下，在红外光的辐照下，它可以在量子阱区域形成比目前提出的量子级联探测器有更宽的光响应谱，从而更加适于宽光谱探测应用。
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公开(公告)号：CN205723564U
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201620319436.1
申请日：2016-04-15
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/101
Abstract: 本专利公开了一种宽光谱量子级联红外探测器，它由一化合物半导体材料衬底，在衬底上交替生长八个宽度不一势垒层和量子阱层，并以此为一个周期，重复生长多个周期的多量子阱组成。由于本专利采用了微带结构做吸收区，在低温状态下，在红外光的辐照下，它可以在量子阱区域形成比目前提出的量子级联探测器有更宽的光响应谱，从而更加适于宽光谱探测应用。
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公开(公告)号：CN208225887U
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201820908870.2
申请日：2018-06-12
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/109 , H01L31/18
Abstract: 本专利公开了一种基于共振遂穿效应的GaAs基双色量子阱红外探测器，该探测器是由分子束外延手段在GaAs衬底上依次生长下电极层、有源区层以及上电极层制备。有源区层为一个共振遂穿二极管结构夹在两个不同的量子阱中间。当探测器加上特定正或负偏压时，由不同阱宽量子阱响应产生的两个波段光电流将选择性通过共振遂穿二极管形成响应回路。相比目前传统的双色量子阱探测器，本专利可通过调节所加偏压方向和大小实现双色探测，并且能提高器件工作温度。此外，本专利的器件制备工艺更为简化，对促进双色红外量子阱探测器的发展有着重大意义。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN205810833U
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201620558451.1
申请日：2016-06-12
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/0352
Abstract: 本专利公开了一种势垒级联量子阱红外探测器，它由一化合物半导体材料衬底，在衬底上交替生长七个宽度不一势垒层和量子阱层，并以此为一个周期，重复生长多个周期的多量子阱，再附加包含两组量子阱层与势垒层的辅助输运单元组成。由于本专利采用了级联隧穿结构，在低温状态下，在红外光的辐照下，它可以在量子阱区域形成比目前提出的量子阱红外探测器更强的光电信号，从而更加适用于量子阱红外焦平面器件用。
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