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公开(公告)号:CN102376812B
公开(公告)日:2013-08-14
申请号:CN201110191846.4
申请日:2011-07-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/08 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01Q1/44
Abstract: 本发明公开一种天线耦合碲镉汞太赫兹探测器,具有探测灵敏度高,响应速度快,室温工作,结构紧凑可大规模集成的优点,可以对太赫兹信号进行实时探测成像。该探测器基于窄禁带半导体的热载流子吸收效应,选用适当组成的碲镉汞材料,设计合理可行的天线耦合结构,进行光刻、腐蚀、溅射工艺制作,使用前置放大电路进行信号读出,从而实现对太赫兹信号的探测。本发明器件所用材料制备工艺成熟,可实现线列或阵列探测。
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公开(公告)号:CN102376812A
公开(公告)日:2012-03-14
申请号:CN201110191846.4
申请日:2011-07-11
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
IPC: H01L31/08 , H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01Q1/44
Abstract: 本发明公开一种天线耦合碲镉汞太赫兹探测器,具有探测灵敏度高,响应速度快,室温工作,结构紧凑可大规模集成的优点,可以对太赫兹信号进行实时探测成像。该探测器基于窄禁带半导体的热载流子吸收效应,选用适当组成的碲镉汞材料,设计合理可行的天线耦合结构,进行光刻、腐蚀、溅射工艺制作,使用前置放大电路进行信号读出,从而实现对太赫兹信号的探测。本发明器件所用材料制备工艺成熟,可实现线列或阵列探测。
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公开(公告)号:CN2570721Y
公开(公告)日:2003-09-03
申请号:CN02260417.0
申请日:2002-09-29
Applicant: 中国科学院上海技术物理研究所
Abstract: 本实用新型公开了一种带有预测化合物半导体合成裂管实时监控装置的合成炉。实时监控装置有控温热电偶、二只欧陆表、可控硅、监视热电偶、计算机和报警器组成。一只欧陆表根据计算机控制软件设定的控温程序通过可控硅控制炉体温度。另一只欧陆表将测得的监视热电偶的温度信号馈入计算机控制软件,并做实时记录和在设定的报警温度点由报警器作声光报警。本实用新型的最大优点是避免了合成过程中石英管的爆裂,从而避免了合成设备的损坏、原材料的损失及环境的污染。通过实时监控装置预测的结果还可以指导以后合成工艺的改进。
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