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公开(公告)号：CN113640849B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202110823234.6
申请日：2021-07-21
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
IPC: G01T1/00
Abstract: 一种基于靶后鞘层场的超快伽马射线脉宽探测装置，包括主激光及其反射与聚焦镜组、射线产生系统、磁谱仪、转换靶、次级激光延时镜组、次级激光反射和聚焦镜组、薄膜靶、探测器。主激光与射线产生系统作用产生伽马射线，沿伽马射线的入射方向，依次放置所述的磁谱仪、转换靶和薄膜靶；次级激光沿垂直于伽马射线方向入射到薄膜靶上，产生靶后鞘层场。本发明将激光驱动产生的超快伽马射线通过康普顿散射转换为电子束，电子束通过靶后鞘层电场后发生偏转。调节靶后鞘层场形成的时间，根据偏转信息可以得到电子脉宽，进而得到伽马射线脉宽。该方法可用于测量轫致辐射、逆康普顿散射、回旋辐射等机制产生的伽马射线脉宽。
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公开(公告)号：CN113543451B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202010284488.0
申请日：2020-04-13
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
IPC: H05H15/00
Abstract: 一种双束激光驱动离子加速装置，主要包括激光分束系统、光学延时系统、预热系统、加速系统。本发明首先利用激光分束系统将主激光脉冲分为预热光和泵浦光，利用光学延时系统调节预热光和泵浦光之间的时间延时，然后利用预热系统将预热光与激光靶相互作用加热扩散激光靶，最后利用加速系统将泵浦光与膨胀扩散的激光靶相互作用加速离子。本发明通过调节双束激光参数可以优化激光离子加速过程中激光靶的密度分布，能有效的加速离子束，具有操作方便、延时精确、重复率高、能量转化效率高等优点。
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公开(公告)号：CN113640849A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110823234.6
申请日：2021-07-21
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
IPC: G01T1/00
Abstract: 一种基于靶后鞘层场的超快伽马射线脉宽探测装置，包括主激光及其反射与聚焦镜组、射线产生系统、磁谱仪、转换靶、次级激光延时镜组、次级激光反射和聚焦镜组、薄膜靶、探测器。主激光与射线产生系统作用产生伽马射线，沿伽马射线的入射方向，依次放置所述的磁谱仪、转换靶和薄膜靶；次级激光沿垂直于伽马射线方向入射到薄膜靶上，产生靶后鞘层场。本发明将激光驱动产生的超快伽马射线通过康普顿散射转换为电子束，电子束通过靶后鞘层电场后发生偏转。调节靶后鞘层场形成的时间，根据偏转信息可以得到电子脉宽，进而得到伽马射线脉宽。该方法可用于测量轫致辐射、逆康普顿散射、回旋辐射等机制产生的伽马射线脉宽。
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公开(公告)号：CN113543451A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202010284488.0
申请日：2020-04-13
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
IPC: H05H15/00
Abstract: 一种双束激光驱动离子加速装置，主要包括激光分束系统、光学延时系统、预热系统、加速系统。本发明首先利用激光分束系统将主激光脉冲分为预热光和泵浦光，利用光学延时系统调节预热光和泵浦光之间的时间延时，然后利用预热系统将预热光与激光靶相互作用加热扩散激光靶，最后利用加速系统将泵浦光与膨胀扩散的激光靶相互作用加速离子。本发明通过调节双束激光参数可以优化激光离子加速过程中激光靶的密度分布，能有效的加速离子束，具有操作方便、延时精确、重复率高、能量转化效率高等优点。
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公开(公告)号：CN113543447A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202010284199.0
申请日：2020-04-13
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
IPC: H05H3/06
Abstract: 一种基于激光加速器的中微子束产生装置，包括激光器、反射镜、离轴抛物面镜、加速靶、转化靶、电动平移台和真空室。本发明首先利用激光聚焦系统对激光脉冲进行聚焦提高激光光强，然后将聚焦后的强激光与加速靶相互作用获得质子束，最后利用质子束与转化靶相互作用产生中微子束。本发明具有小型化、变向灵活、能量可控、成本低等特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107475777A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710576936.2
申请日：2017-07-14
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所 , 杭州锐研科技有限公司
Abstract: 一种用于KDP类晶体的高精密油浴退火炉，包括保温筒、保温盖，在保温筒内设有内筒，在保温筒的内壁上安装有加热器，在加热器的内壁与内筒的外壁之间布置有侧壁油道和多孔筛环，保温筒的底部上表面和内筒的底部下表面之间布置有底部油道，内筒底部上表面的中心与出油管的进油端相连，出油管的出油端与油泵的进口连接，在出油管旁边安装进油管，进油管的进油端与油泵的出口相连，进油管的出油端位于保温筒的底部上表面、连通所述的底部油道。本发明具有很高的温度均匀性，待退火的晶体附近的温度均匀性在±0.1℃以内，可以为提升KDP类晶体的退火温度、达到较为理想的退火效果提供有力的保障。
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公开(公告)号：CN107326438A
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201710409731.5
申请日：2017-06-02
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 一种KDP类晶体的生长装置，包括供晶体放置的晶体托盘、搅拌桨、搅拌桨连杆、旋转轴、驱动电机、晶体生长槽本体和生长槽上盖，其特点在于，还包括至少两根侧杆，所述的晶体托盘通过所述的侧杆与生长槽上盖相连，所述的搅拌桨通过所述的搅拌桨连杆与所述的旋转轴的下端相连，该旋转轴的上端与所述的驱动电机相连。本发明使得整个晶体生长过程中静止在晶体托盘上的晶体不会振动，晶体附近不易产生杂晶，同时能够保证晶体表面和整个生长槽内区域的联通，有利于晶体生长边界层附近的溶质传输和供应，有利于快速地生长出更均匀优质的KDP类晶体。
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公开(公告)号：CN105603525A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201610072296.7
申请日：2016-02-01
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
Abstract: 一种用于KDP类晶体生长的载晶架，包括载晶板、两个侧杆、上横杆、两个搅拌桨以及旋转轴，所述的两个侧杆上端与上横杆的连接处通过圆角平滑连接，所述的上横杆的旋转轴两边对称的位置各安装一个梯形体搅拌桨，该搅拌桨的棱边均为圆角，通过搅拌桨连杆固定在上横杆上。模拟分析和流场显示实验表明，本发明最小限度的降低了对溶液的微扰，保证了溶液的稳定性；在整个生长槽中形成多个大型涡流，能够联通晶体表面和整个生长槽内的区域，使溶质宏观分布更加均匀，特别是有利于晶体生长边界层附近的溶质传输和溶质供应。晶体生长实验表明，本发明可以明显降低产生包藏等缺陷的几率，加快晶体的生长速度，生长出更均匀、更高质量的晶体。
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公开(公告)号：CN102661908A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201210129579.2
申请日：2012-04-27
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所
IPC: G01N9/24
Abstract: 一种用于超短超强激光与团簇相互作用的诊断激光等离子体参数的单光束飞秒探针，其构成是以置于真空靶室内、离轴抛物镜焦点上方的靶点为中心，沿光路分为探针光的形成、缩束、延时调节部分和探针光的扩束、相干测量部分，包括激光分束器、激光缩束系统、光学延时系统、激光扩束系统和激光干涉测量系统。本发明具有简捷性、易操作性、延时的准确性、高灵敏度和低成本等优点。
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公开(公告)号：CN115437219B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202210949541.3
申请日：2022-08-09
Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所 , 清华大学
IPC: G03F7/16
Abstract: 一种大口径基板表面光刻胶膜均匀烘烤设备，该设备主要包括烘烤系统、基板上下样系统及控制系统。所述的烘烤系统主要由循环风机、加热元件、高效过滤器、烘烤腔室、腔室密封圈、风向导流片、进风端口、回风端口和循环风道、气体输入端口及排气端口构成，具有百级洁净度、温度控制范围20℃～200℃，腔室温度均匀性优于±3℃，温度精度±0.5℃。所述的基板上下样系统包含转运小车和基板升降装置，所述的转运小车具有小角度调节基板倾斜功能，且紧邻基板靠近进风端一侧设有导流板，既能确保大口径样片安全地上下烘烤腔室工位，又能优化膜层烘烤工艺。本发明设备能够实现双向米量级尺寸、超厚基板的光刻胶膜烘烤工艺，在涂胶后光刻胶膜厚均匀性基础上进一步提升其膜厚均匀性。
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