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公开(公告)号：CN110746202B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN201911196639.0
申请日：2019-11-29
Applicant: 中国矿业大学
IPC: C04B41/86
Abstract: 本发明涉及一种石墨材料表面TaB2‑SiC超高温陶瓷涂层的制备方法，采用了放电等离子烧结法（SPS）直接制备出了一种高致密、低缺陷、组织均匀的超高温陶瓷硼化物复合涂层，该涂层由质量分数为5%～95%的TaB2与质量分数为5%～95%的SiC粉料组成。具体涂层的制备包括以下步骤：按照一定比例称量TaB2、SiC粉料并均匀混合，随后在石墨模具内用均匀混合的TaB2‑SiC复合粉体包裹碳质材料基体，将装好试样的模具放入放电等离子烧结炉中，施加5～50MPa压力，在1200～2000℃真空环境下进行烧结处理0.5～5h即可制备得到所设计的涂层。与传统无压类烧结制备涂层的方法相比，本发明制备工艺简单快捷，得到的超高温陶瓷涂层组分及厚度可控、致密度高，综合性能良好，推广价值较高。
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公开(公告)号：CN110590404B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN201910983022.7
申请日：2019-10-16
Applicant: 中国矿业大学
IPC: C04B41/87
Abstract: 本发明公开了一种碳基材料表面HfB2‑SiC抗氧化涂层的制备方法，称量一定比例的HfB2、SiC粉体并均匀混合，在石墨模具内用均匀混合的粉体包裹碳基体，将装好试样的模具放入放电等离子烧结炉中进行烧结处理，烧结温度为1200‑1900℃，升温速率为5‑200℃/min，压力为5‑50MPa，保温时间5‑300min，在碳基体表面得到HfB2‑SiC抗氧化涂层。本发明中将放电等离子烧结法应用到碳基材料表面HfB2‑SiC抗氧化涂层的制备中，能够在较低的温度下快速烧结制备出高致密、低缺陷HfB2‑SiC抗氧化涂层。
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公开(公告)号：CN110746202A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201911196639.0
申请日：2019-11-29
Applicant: 中国矿业大学
IPC: C04B41/86
Abstract: 本发明涉及一种石墨材料表面TaB2-SiC超高温陶瓷涂层的制备方法，采用了放电等离子烧结法（SPS）直接制备出了一种高致密、低缺陷、组织均匀的超高温陶瓷硼化物复合涂层，该涂层由质量分数为5%～95%的TaB2与质量分数为5%～95%的SiC粉料组成。具体涂层的制备包括以下步骤：按照一定比例称量TaB2、SiC粉料并均匀混合，随后在石墨模具内用均匀混合的TaB2-SiC复合粉体包裹碳质材料基体，将装好试样的模具放入放电等离子烧结炉中，施加5～50MPa压力，在1200～2000℃真空环境下进行烧结处理0.5～5h即可制备得到所设计的涂层。与传统无压类烧结制备涂层的方法相比，本发明制备工艺简单快捷，得到的超高温陶瓷涂层组分及厚度可控、致密度高，综合性能良好，推广价值较高。
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公开(公告)号：CN110590404A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910983022.7
申请日：2019-10-16
Applicant: 中国矿业大学
IPC: C04B41/87
Abstract: 本发明公开了一种碳基材料表面HfB2-SiC抗氧化涂层的制备方法，称量一定比例的HfB2、SiC粉体并均匀混合，在石墨模具内用均匀混合的粉体包裹碳基体，将装好试样的模具放入放电等离子烧结炉中进行烧结处理，烧结温度为1200-1900℃，升温速率为5-200℃/min，压力为5-50MPa，保温时间5-300min，在碳基体表面得到HfB2-SiC抗氧化涂层。本发明中将放电等离子烧结法应用到碳基材料表面HfB2-SiC抗氧化涂层的制备中，能够在较低的温度下快速烧结制备出高致密、低缺陷HfB2-SiC抗氧化涂层。
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