公开(公告)号：CN110790587B

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN201911191872.X

申请日：2019-11-28

Applicant: 中国矿业大学

Inventor： 任宣儒 ,  王炜光 ,  冯培忠 ,  褚洪傲 ,  武科佑 ,  张安妮 ,  孙科 ,  胡昱雯 ,  马灿 ,  陈玥荣 ,  叶凡 ,  王杉 ,  孙雷昊 ,  许颖

IPC: C04B41/87 ,  C04B35/58 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开一种ZrB2‑MoSi2‑SiC超高温陶瓷抗氧化涂层的制备方法，属于抗氧化涂层的技术领域。本发明以ZrB2、MoSi2、SiC粉末为原料，在碳基试样表面以放电等离子烧结的方式，直接制备组分和厚度可控，组织细小、均匀致密且无明显缺陷的ZrB2‑MoSi2‑SiC超高温陶瓷抗氧化涂层，通过涂层保护提高碳基材料高温抗氧化性能。本发明通过控制复合粉体配比及添加量来实现对涂层组分及厚度的控制；通过调整放电等离子烧结参数，实现对ZrB2‑MoSi2‑SiC涂层致密性及与碳基体结合强度的调控。与传统无压类烧结制备涂层的方法相比，本发明得到的抗氧化涂层组分及厚度可控、致密度高、制备时间短、工艺简单，实用价值高。

公开(公告)号：CN110590404A

公开(公告)日：2019-12-20

申请号：CN201910983022.7

申请日：2019-10-16

Applicant: 中国矿业大学

Inventor： 任宣儒 ,  褚洪傲 ,  冯培忠 ,  王炜光 ,  吕君帅 ,  李伟 ,  武科佑 ,  张安妮 ,  朱路 ,  陈鹏 ,  杨青青 ,  张鹏 ,  黄诗杰 ,  马若桐

IPC: C04B41/87

Abstract: 本发明公开了一种碳基材料表面HfB2-SiC抗氧化涂层的制备方法，称量一定比例的HfB2、SiC粉体并均匀混合，在石墨模具内用均匀混合的粉体包裹碳基体，将装好试样的模具放入放电等离子烧结炉中进行烧结处理，烧结温度为1200-1900℃，升温速率为5-200℃/min，压力为5-50MPa，保温时间5-300min，在碳基体表面得到HfB2-SiC抗氧化涂层。本发明中将放电等离子烧结法应用到碳基材料表面HfB2-SiC抗氧化涂层的制备中，能够在较低的温度下快速烧结制备出高致密、低缺陷HfB2-SiC抗氧化涂层。

公开(公告)号：CN110590404B

公开(公告)日：2022-02-01

申请号：CN201910983022.7

申请日：2019-10-16

Applicant: 中国矿业大学

Inventor： 任宣儒 ,  褚洪傲 ,  冯培忠 ,  王炜光 ,  吕君帅 ,  李伟 ,  武科佑 ,  张安妮 ,  朱路 ,  陈鹏 ,  杨青青 ,  张鹏 ,  黄诗杰 ,  马若桐

IPC: C04B41/87

Abstract: 本发明公开了一种碳基材料表面HfB2‑SiC抗氧化涂层的制备方法，称量一定比例的HfB2、SiC粉体并均匀混合，在石墨模具内用均匀混合的粉体包裹碳基体，将装好试样的模具放入放电等离子烧结炉中进行烧结处理，烧结温度为1200‑1900℃，升温速率为5‑200℃/min，压力为5‑50MPa，保温时间5‑300min，在碳基体表面得到HfB2‑SiC抗氧化涂层。本发明中将放电等离子烧结法应用到碳基材料表面HfB2‑SiC抗氧化涂层的制备中，能够在较低的温度下快速烧结制备出高致密、低缺陷HfB2‑SiC抗氧化涂层。

公开(公告)号：CN110790587A

公开(公告)日：2020-02-14

申请号：CN201911191872.X

申请日：2019-11-28

Applicant: 中国矿业大学

Inventor： 任宣儒 ,  王炜光 ,  冯培忠 ,  褚洪傲 ,  武科佑 ,  张安妮 ,  孙科 ,  胡昱雯 ,  马灿 ,  陈玥荣 ,  叶凡 ,  王杉 ,  孙雷昊 ,  许颖

IPC: C04B41/87 ,  C04B35/58 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开一种ZrB2-MoSi2-SiC超高温陶瓷抗氧化涂层的制备方法，属于抗氧化涂层的技术领域。本发明以ZrB2、MoSi2、SiC粉末为原料，在碳基试样表面以放电等离子烧结的方式，直接制备组分和厚度可控，组织细小、均匀致密且无明显缺陷的ZrB2-MoSi2-SiC超高温陶瓷抗氧化涂层，通过涂层保护提高碳基材料高温抗氧化性能。本发明通过控制复合粉体配比及添加量来实现对涂层组分及厚度的控制；通过调整放电等离子烧结参数，实现对ZrB2-MoSi2-SiC涂层致密性及与碳基体结合强度的调控。与传统无压类烧结制备涂层的方法相比，本发明得到的抗氧化涂层组分及厚度可控、致密度高、制备时间短、工艺简单，实用价值高。

公开(公告)号：CN110818426A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201911306983.0

申请日：2019-12-18

Applicant: 中国矿业大学

Inventor： 任宣儒 ,  张盟林 ,  冯培忠 ,  王炜光 ,  张安妮 ,  褚洪傲 ,  李伟 ,  刘海峰 ,  罗颖哲 ,  郑瑞昕 ,  崔振 ,  甘明涛 ,  王松松 ,  张明成

IPC: C04B35/565 ,  C04B35/58 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  C04B41/87

Abstract: 本发明公开了一种碳材料表面HfB2-TaSi2-SiC抗氧化涂层的制备方法，称量一定比例的HfB2、TaSi2、SiC粉体并充分混合，在石墨模具内使用混合后的粉体包裹碳材料，并用石墨压头压好，将模具放入放电等离子烧结炉(SPS)烧结处理，烧结温度为1373-2073K，升温速率为5-400K/min，压力为10-40MPa，保温时间5-400min，将HfB2-TaSi2-SiC抗氧化涂层烧结在碳材料表面。本发明将SPS技术的快速致密化烧结技术应用到HfB2-TaSi2-SiC抗氧化涂层的制备中，能够在低于较低的温度下快速制备出高抗氧化性、高致密度的HfB2-TaSi2-SiC抗氧化涂层。