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公开(公告)号：CN110790587B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN201911191872.X
申请日：2019-11-28
Applicant: 中国矿业大学
IPC: C04B41/87 , C04B35/58 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开一种ZrB2‑MoSi2‑SiC超高温陶瓷抗氧化涂层的制备方法，属于抗氧化涂层的技术领域。本发明以ZrB2、MoSi2、SiC粉末为原料，在碳基试样表面以放电等离子烧结的方式，直接制备组分和厚度可控，组织细小、均匀致密且无明显缺陷的ZrB2‑MoSi2‑SiC超高温陶瓷抗氧化涂层，通过涂层保护提高碳基材料高温抗氧化性能。本发明通过控制复合粉体配比及添加量来实现对涂层组分及厚度的控制；通过调整放电等离子烧结参数，实现对ZrB2‑MoSi2‑SiC涂层致密性及与碳基体结合强度的调控。与传统无压类烧结制备涂层的方法相比，本发明得到的抗氧化涂层组分及厚度可控、致密度高、制备时间短、工艺简单，实用价值高。
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公开(公告)号：CN110590404A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910983022.7
申请日：2019-10-16
Applicant: 中国矿业大学
IPC: C04B41/87
Abstract: 本发明公开了一种碳基材料表面HfB2-SiC抗氧化涂层的制备方法，称量一定比例的HfB2、SiC粉体并均匀混合，在石墨模具内用均匀混合的粉体包裹碳基体，将装好试样的模具放入放电等离子烧结炉中进行烧结处理，烧结温度为1200-1900℃，升温速率为5-200℃/min，压力为5-50MPa，保温时间5-300min，在碳基体表面得到HfB2-SiC抗氧化涂层。本发明中将放电等离子烧结法应用到碳基材料表面HfB2-SiC抗氧化涂层的制备中，能够在较低的温度下快速烧结制备出高致密、低缺陷HfB2-SiC抗氧化涂层。
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公开(公告)号：CN113087530A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110416686.2
申请日：2021-04-19
Applicant: 中国矿业大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B35/645
Abstract: 本发明公开了一种基于ZrB2非平衡态合金化修饰的高阻氧涂层及制备方法，适用于碳材料技术领域使用。以质量分数：5‑30％锆粉，5‑30％钼粉，10‑60％硅粉，10‑60％硼粉混合并制成圆柱坯体，在燃烧合成反应釜内以自蔓延高温合成法制备获得具有合金化特性的非平衡态合金化前驱体ZrB2‑MoSi2的混合体，将ZrB2‑MoSi2混合体破碎干燥，利用模具将非平衡态合金化前驱体包裹在需要制备高阻氧涂层的碳基体外侧，之后对碳基体进行放电等离子SPS烧结，最终在碳基体表面上生成ZrB2‑MoSi2高阻氧涂层。方法简单实用，可以显著提升ZrB2‑MoSi2涂层的抗氧化性能，提升对碳基体的氧化防护，且涂层综合性能优异，具有广阔的发展前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110818426A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201911306983.0
申请日：2019-12-18
Applicant: 中国矿业大学
IPC: C04B35/565 , C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B41/87
Abstract: 本发明公开了一种碳材料表面HfB2-TaSi2-SiC抗氧化涂层的制备方法，称量一定比例的HfB2、TaSi2、SiC粉体并充分混合，在石墨模具内使用混合后的粉体包裹碳材料，并用石墨压头压好，将模具放入放电等离子烧结炉(SPS)烧结处理，烧结温度为1373-2073K，升温速率为5-400K/min，压力为10-40MPa，保温时间5-400min，将HfB2-TaSi2-SiC抗氧化涂层烧结在碳材料表面。本发明将SPS技术的快速致密化烧结技术应用到HfB2-TaSi2-SiC抗氧化涂层的制备中，能够在低于较低的温度下快速制备出高抗氧化性、高致密度的HfB2-TaSi2-SiC抗氧化涂层。
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公开(公告)号：CN110746202B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN201911196639.0
申请日：2019-11-29
Applicant: 中国矿业大学
IPC: C04B41/86
Abstract: 本发明涉及一种石墨材料表面TaB2‑SiC超高温陶瓷涂层的制备方法，采用了放电等离子烧结法（SPS）直接制备出了一种高致密、低缺陷、组织均匀的超高温陶瓷硼化物复合涂层，该涂层由质量分数为5%～95%的TaB2与质量分数为5%～95%的SiC粉料组成。具体涂层的制备包括以下步骤：按照一定比例称量TaB2、SiC粉料并均匀混合，随后在石墨模具内用均匀混合的TaB2‑SiC复合粉体包裹碳质材料基体，将装好试样的模具放入放电等离子烧结炉中，施加5～50MPa压力，在1200～2000℃真空环境下进行烧结处理0.5～5h即可制备得到所设计的涂层。与传统无压类烧结制备涂层的方法相比，本发明制备工艺简单快捷，得到的超高温陶瓷涂层组分及厚度可控、致密度高，综合性能良好，推广价值较高。
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公开(公告)号：CN110590404B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN201910983022.7
申请日：2019-10-16
Applicant: 中国矿业大学
IPC: C04B41/87
Abstract: 本发明公开了一种碳基材料表面HfB2‑SiC抗氧化涂层的制备方法，称量一定比例的HfB2、SiC粉体并均匀混合，在石墨模具内用均匀混合的粉体包裹碳基体，将装好试样的模具放入放电等离子烧结炉中进行烧结处理，烧结温度为1200‑1900℃，升温速率为5‑200℃/min，压力为5‑50MPa，保温时间5‑300min，在碳基体表面得到HfB2‑SiC抗氧化涂层。本发明中将放电等离子烧结法应用到碳基材料表面HfB2‑SiC抗氧化涂层的制备中，能够在较低的温度下快速烧结制备出高致密、低缺陷HfB2‑SiC抗氧化涂层。
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公开(公告)号：CN110790587A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201911191872.X
申请日：2019-11-28
Applicant: 中国矿业大学
IPC: C04B41/87 , C04B35/58 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开一种ZrB2-MoSi2-SiC超高温陶瓷抗氧化涂层的制备方法，属于抗氧化涂层的技术领域。本发明以ZrB2、MoSi2、SiC粉末为原料，在碳基试样表面以放电等离子烧结的方式，直接制备组分和厚度可控，组织细小、均匀致密且无明显缺陷的ZrB2-MoSi2-SiC超高温陶瓷抗氧化涂层，通过涂层保护提高碳基材料高温抗氧化性能。本发明通过控制复合粉体配比及添加量来实现对涂层组分及厚度的控制；通过调整放电等离子烧结参数，实现对ZrB2-MoSi2-SiC涂层致密性及与碳基体结合强度的调控。与传统无压类烧结制备涂层的方法相比，本发明得到的抗氧化涂层组分及厚度可控、致密度高、制备时间短、工艺简单，实用价值高。
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公开(公告)号：CN110746202A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201911196639.0
申请日：2019-11-29
Applicant: 中国矿业大学
IPC: C04B41/86
Abstract: 本发明涉及一种石墨材料表面TaB2-SiC超高温陶瓷涂层的制备方法，采用了放电等离子烧结法（SPS）直接制备出了一种高致密、低缺陷、组织均匀的超高温陶瓷硼化物复合涂层，该涂层由质量分数为5%～95%的TaB2与质量分数为5%～95%的SiC粉料组成。具体涂层的制备包括以下步骤：按照一定比例称量TaB2、SiC粉料并均匀混合，随后在石墨模具内用均匀混合的TaB2-SiC复合粉体包裹碳质材料基体，将装好试样的模具放入放电等离子烧结炉中，施加5～50MPa压力，在1200～2000℃真空环境下进行烧结处理0.5～5h即可制备得到所设计的涂层。与传统无压类烧结制备涂层的方法相比，本发明制备工艺简单快捷，得到的超高温陶瓷涂层组分及厚度可控、致密度高，综合性能良好，推广价值较高。
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