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公开(公告)号：CN110790587B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN201911191872.X
申请日：2019-11-28
Applicant: 中国矿业大学
IPC: C04B41/87 , C04B35/58 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开一种ZrB2‑MoSi2‑SiC超高温陶瓷抗氧化涂层的制备方法，属于抗氧化涂层的技术领域。本发明以ZrB2、MoSi2、SiC粉末为原料，在碳基试样表面以放电等离子烧结的方式，直接制备组分和厚度可控，组织细小、均匀致密且无明显缺陷的ZrB2‑MoSi2‑SiC超高温陶瓷抗氧化涂层，通过涂层保护提高碳基材料高温抗氧化性能。本发明通过控制复合粉体配比及添加量来实现对涂层组分及厚度的控制；通过调整放电等离子烧结参数，实现对ZrB2‑MoSi2‑SiC涂层致密性及与碳基体结合强度的调控。与传统无压类烧结制备涂层的方法相比，本发明得到的抗氧化涂层组分及厚度可控、致密度高、制备时间短、工艺简单，实用价值高。
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公开(公告)号：CN110746202B
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN201911196639.0
申请日：2019-11-29
Applicant: 中国矿业大学
IPC: C04B41/86
Abstract: 本发明涉及一种石墨材料表面TaB2‑SiC超高温陶瓷涂层的制备方法，采用了放电等离子烧结法（SPS）直接制备出了一种高致密、低缺陷、组织均匀的超高温陶瓷硼化物复合涂层，该涂层由质量分数为5%～95%的TaB2与质量分数为5%～95%的SiC粉料组成。具体涂层的制备包括以下步骤：按照一定比例称量TaB2、SiC粉料并均匀混合，随后在石墨模具内用均匀混合的TaB2‑SiC复合粉体包裹碳质材料基体，将装好试样的模具放入放电等离子烧结炉中，施加5～50MPa压力，在1200～2000℃真空环境下进行烧结处理0.5～5h即可制备得到所设计的涂层。与传统无压类烧结制备涂层的方法相比，本发明制备工艺简单快捷，得到的超高温陶瓷涂层组分及厚度可控、致密度高，综合性能良好，推广价值较高。
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公开(公告)号：CN110790587A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201911191872.X
申请日：2019-11-28
Applicant: 中国矿业大学
IPC: C04B41/87 , C04B35/58 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开一种ZrB2-MoSi2-SiC超高温陶瓷抗氧化涂层的制备方法，属于抗氧化涂层的技术领域。本发明以ZrB2、MoSi2、SiC粉末为原料，在碳基试样表面以放电等离子烧结的方式，直接制备组分和厚度可控，组织细小、均匀致密且无明显缺陷的ZrB2-MoSi2-SiC超高温陶瓷抗氧化涂层，通过涂层保护提高碳基材料高温抗氧化性能。本发明通过控制复合粉体配比及添加量来实现对涂层组分及厚度的控制；通过调整放电等离子烧结参数，实现对ZrB2-MoSi2-SiC涂层致密性及与碳基体结合强度的调控。与传统无压类烧结制备涂层的方法相比，本发明得到的抗氧化涂层组分及厚度可控、致密度高、制备时间短、工艺简单，实用价值高。
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公开(公告)号：CN110746202A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201911196639.0
申请日：2019-11-29
Applicant: 中国矿业大学
IPC: C04B41/86
Abstract: 本发明涉及一种石墨材料表面TaB2-SiC超高温陶瓷涂层的制备方法，采用了放电等离子烧结法（SPS）直接制备出了一种高致密、低缺陷、组织均匀的超高温陶瓷硼化物复合涂层，该涂层由质量分数为5%～95%的TaB2与质量分数为5%～95%的SiC粉料组成。具体涂层的制备包括以下步骤：按照一定比例称量TaB2、SiC粉料并均匀混合，随后在石墨模具内用均匀混合的TaB2-SiC复合粉体包裹碳质材料基体，将装好试样的模具放入放电等离子烧结炉中，施加5～50MPa压力，在1200～2000℃真空环境下进行烧结处理0.5～5h即可制备得到所设计的涂层。与传统无压类烧结制备涂层的方法相比，本发明制备工艺简单快捷，得到的超高温陶瓷涂层组分及厚度可控、致密度高，综合性能良好，推广价值较高。
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