公开(公告)号：CN110590404A

公开(公告)日：2019-12-20

申请号：CN201910983022.7

申请日：2019-10-16

Applicant: 中国矿业大学

Inventor： 任宣儒 ,  褚洪傲 ,  冯培忠 ,  王炜光 ,  吕君帅 ,  李伟 ,  武科佑 ,  张安妮 ,  朱路 ,  陈鹏 ,  杨青青 ,  张鹏 ,  黄诗杰 ,  马若桐

IPC: C04B41/87

Abstract: 本发明公开了一种碳基材料表面HfB2-SiC抗氧化涂层的制备方法，称量一定比例的HfB2、SiC粉体并均匀混合，在石墨模具内用均匀混合的粉体包裹碳基体，将装好试样的模具放入放电等离子烧结炉中进行烧结处理，烧结温度为1200-1900℃，升温速率为5-200℃/min，压力为5-50MPa，保温时间5-300min，在碳基体表面得到HfB2-SiC抗氧化涂层。本发明中将放电等离子烧结法应用到碳基材料表面HfB2-SiC抗氧化涂层的制备中，能够在较低的温度下快速烧结制备出高致密、低缺陷HfB2-SiC抗氧化涂层。

公开(公告)号：CN110590404B

公开(公告)日：2022-02-01

申请号：CN201910983022.7

申请日：2019-10-16

Applicant: 中国矿业大学

Inventor： 任宣儒 ,  褚洪傲 ,  冯培忠 ,  王炜光 ,  吕君帅 ,  李伟 ,  武科佑 ,  张安妮 ,  朱路 ,  陈鹏 ,  杨青青 ,  张鹏 ,  黄诗杰 ,  马若桐

IPC: C04B41/87

Abstract: 本发明公开了一种碳基材料表面HfB2‑SiC抗氧化涂层的制备方法，称量一定比例的HfB2、SiC粉体并均匀混合，在石墨模具内用均匀混合的粉体包裹碳基体，将装好试样的模具放入放电等离子烧结炉中进行烧结处理，烧结温度为1200‑1900℃，升温速率为5‑200℃/min，压力为5‑50MPa，保温时间5‑300min，在碳基体表面得到HfB2‑SiC抗氧化涂层。本发明中将放电等离子烧结法应用到碳基材料表面HfB2‑SiC抗氧化涂层的制备中，能够在较低的温度下快速烧结制备出高致密、低缺陷HfB2‑SiC抗氧化涂层。