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公开(公告)号：CN110590404B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN201910983022.7
申请日：2019-10-16
Applicant: 中国矿业大学
IPC: C04B41/87
Abstract: 本发明公开了一种碳基材料表面HfB2‑SiC抗氧化涂层的制备方法，称量一定比例的HfB2、SiC粉体并均匀混合，在石墨模具内用均匀混合的粉体包裹碳基体，将装好试样的模具放入放电等离子烧结炉中进行烧结处理，烧结温度为1200‑1900℃，升温速率为5‑200℃/min，压力为5‑50MPa，保温时间5‑300min，在碳基体表面得到HfB2‑SiC抗氧化涂层。本发明中将放电等离子烧结法应用到碳基材料表面HfB2‑SiC抗氧化涂层的制备中，能够在较低的温度下快速烧结制备出高致密、低缺陷HfB2‑SiC抗氧化涂层。
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公开(公告)号：CN110790587A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201911191872.X
申请日：2019-11-28
Applicant: 中国矿业大学
IPC: C04B41/87 , C04B35/58 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开一种ZrB2-MoSi2-SiC超高温陶瓷抗氧化涂层的制备方法，属于抗氧化涂层的技术领域。本发明以ZrB2、MoSi2、SiC粉末为原料，在碳基试样表面以放电等离子烧结的方式，直接制备组分和厚度可控，组织细小、均匀致密且无明显缺陷的ZrB2-MoSi2-SiC超高温陶瓷抗氧化涂层，通过涂层保护提高碳基材料高温抗氧化性能。本发明通过控制复合粉体配比及添加量来实现对涂层组分及厚度的控制；通过调整放电等离子烧结参数，实现对ZrB2-MoSi2-SiC涂层致密性及与碳基体结合强度的调控。与传统无压类烧结制备涂层的方法相比，本发明得到的抗氧化涂层组分及厚度可控、致密度高、制备时间短、工艺简单，实用价值高。
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公开(公告)号：CN110790587B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN201911191872.X
申请日：2019-11-28
Applicant: 中国矿业大学
IPC: C04B41/87 , C04B35/58 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开一种ZrB2‑MoSi2‑SiC超高温陶瓷抗氧化涂层的制备方法，属于抗氧化涂层的技术领域。本发明以ZrB2、MoSi2、SiC粉末为原料，在碳基试样表面以放电等离子烧结的方式，直接制备组分和厚度可控，组织细小、均匀致密且无明显缺陷的ZrB2‑MoSi2‑SiC超高温陶瓷抗氧化涂层，通过涂层保护提高碳基材料高温抗氧化性能。本发明通过控制复合粉体配比及添加量来实现对涂层组分及厚度的控制；通过调整放电等离子烧结参数，实现对ZrB2‑MoSi2‑SiC涂层致密性及与碳基体结合强度的调控。与传统无压类烧结制备涂层的方法相比，本发明得到的抗氧化涂层组分及厚度可控、致密度高、制备时间短、工艺简单，实用价值高。
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公开(公告)号：CN110590404A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910983022.7
申请日：2019-10-16
Applicant: 中国矿业大学
IPC: C04B41/87
Abstract: 本发明公开了一种碳基材料表面HfB2-SiC抗氧化涂层的制备方法，称量一定比例的HfB2、SiC粉体并均匀混合，在石墨模具内用均匀混合的粉体包裹碳基体，将装好试样的模具放入放电等离子烧结炉中进行烧结处理，烧结温度为1200-1900℃，升温速率为5-200℃/min，压力为5-50MPa，保温时间5-300min，在碳基体表面得到HfB2-SiC抗氧化涂层。本发明中将放电等离子烧结法应用到碳基材料表面HfB2-SiC抗氧化涂层的制备中，能够在较低的温度下快速烧结制备出高致密、低缺陷HfB2-SiC抗氧化涂层。
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