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公开(公告)号：CN119674507A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411626091.X
申请日：2024-11-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 北京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种毫米波极化和方向图可重构天线，属于射频前端器件领域。其由对称的矩形辐射贴片，位于辐射贴片上的半圆缺陷、四分之一圆缺陷、矩形枝节加载，正交双向馈电网络，T型功分馈电网络，复合梁欧姆接触式MEMS开关，直流偏置线，测试贴片焊盘，共面波导，渐变匹配结构，介质基板，金属地背板组成。当T型功分馈电网络上的单侧MEMS开关导通时，能量流向该侧的辐射单元，可实现向左或向右的波束倾斜效果。当两侧的MEMS均导通时，辐射方向图指向Z正轴，无波束偏转，据此可实现左中右三个方向的方向图可重构功能。当正交双向馈电网络上的开关闭合时，长线的尺寸可实现90°的相位延迟，两个正交的简并模合成圆极化波，覆盖完整半功率波束宽度。
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公开(公告)号：CN119651142A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411626063.8
申请日：2024-11-14
Applicant: 北京邮电大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于RF MEMS开关控制的单极子方向图可重构天线，属于射频前端器件领域。由单极子辐射单元，位于其左右两侧的寄生单元，复合梁欧姆接触式MEMS开关，直流偏置线，测试贴片焊盘，共面波导，渐变微带线，介质基板，金属地背板组成。当寄生单元上的MEMS开关导通时，寄生单元长度略小于单极子辐射单元，寄生单元起到引向器作用。当MEMS开关关断时，一级引向单元由断口处一分为二，其长度远小于单极子辐射单元，且终端开路产生回流，削减抵消二级引向单元的效果。当一侧开关下拉时，方向图向闭合开关一侧发生波束偏转，可调偏转角度可达41°，增益可达6.14dB，波束宽度约90°，当两侧开关均断开时，波束偏转为0°，方向图指向正Z轴，增益为5.15dB。
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公开(公告)号：CN118943749A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411155641.4
申请日：2024-08-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所
IPC: H01Q15/00
Abstract: 本发明公开了基于MEMS开关的太赫兹可重构频率选择表面，属于太赫兹无线通信设备领域，主要应用于1～2THz的天线罩。该频率选择表面由MEMS可重构电磁结构单元周期排列而成，其单元为三维结构，从下到上依次为石英衬底、金属双开口谐振环、氮化硅介质层与MEMS金属薄膜；MEMS金属薄膜等效为悬臂梁结构，其锚区与金属双开口谐振环相连接，梁与其下方的氮化硅介质层、矩形贴片形成平行板电容，通过加载偏置电压实现MEMS开关的上下态切换，进而实现频率选择。采用上述基于MEMS薄膜开关的频率选择表面，结构简单、馈电方便，可以在宽频带范围内实现透射频段和反射频段的可重构，主要应用于雷达、太赫兹通信与电子对抗等设备的天线罩中。
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公开(公告)号：CN118017220A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410320344.4
申请日：2024-03-20
Applicant: 北京邮电大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 喀什地区电子信息产业技术研究院
Abstract: 本发明公开了基于单刀四掷开关控制的MEMS开关线型移相器，属于射频前端器件领域。该基于单刀四掷开关控制的MEMS开关线型移相器由粗调、细调移相单元组成。移相单元由两个单刀四掷开关、相位延时线、输入输出端口组成。当某条相位延时线前后端两个单刀四掷开关的对应触点均接触闭合，且其余触点断开时，该移相单元由单刀四掷开关选通此条相位延时线，信号通过该线产生相位延时。利用MEMS技术设计的线性移相器在太赫兹频段具有插入损耗较小的特征，该移相器在中心频率处S11参数在‑10dB以下，S21参数在‑1.6dB附近波动；结构简单、制造方便，相对于传统半导体开关移相器，设计结构简单，稳定可靠，且可以采用玻璃基工艺制造。
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公开(公告)号：CN117996460A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410271618.5
申请日：2024-03-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 北京邮电大学 , 喀什地区电子信息产业技术研究院
Abstract: 本发明公开了基于可变电容调谐机制的频率和极化可重构天线阵列，属于射频前端器件领域。其由相同的天线单元组成，天线单元由主辐射贴片、两个弯折短截线、两个可变电容、一个大电阻、一个电感、介质基板、一个SMA连接器、金属地组成。通过施加不同反向电压到可变电容上，从而调谐天线单元的谐振频率和谐振相位，在横向两个单元之间形成90度左右的相位差从而实现圆极化，通过对调左右两侧施加的电压即可方便地切换左旋/右旋圆极化。当左右两侧施加的反向电压相等时，天线为线极化，产生的圆极化轴比。本发明使得天线整体结构更加简单，降低了加工复杂度和成本，其平面微带结构可以实现快速印刷制造。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117134115A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311303960.0
申请日：2023-10-10
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 北京邮电大学 , 喀什地区电子信息产业技术研究院
Abstract: 本发明公开了基于圆极化天线单元的太赫兹相控阵天线，属于射频前端技术领域。其包括集成在共面波导上的16个圆极化天线单元、16个MEMS四位分布式移相器和15个威尔金森功分器，由信号探针馈电；信号探针通过15个威尔金森功分器分成16路分别通过MEMS四位分布式移相器与圆极化天线单元连接；所述MEMS四位分布式移相器与圆极化天线单元一一对应。本发明作为小尺寸射频器件，可以应用到多种应用场景；整体结构涉及的功分器，移相器和高性能天线单元等器件均可工作于太赫兹波段，可单独应用于其它通信系统。
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公开(公告)号：CN116885438A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310925265.1
申请日：2023-07-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 北京邮电大学 , 喀什地区电子信息产业技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹宽轴比波束的圆极化天线，属于射频前端器件技术领域。天线从底层到顶层的层叠顺序为馈电网络层，第二介质层，夹在第一介质层与第二介质层中间的金属缝隙层，第一介质层，位于顶层的天线金属层。第一介质层和第二介质层是厚度不相同的两层石英玻璃衬底。中间金属缝隙层上刻蚀有宽度渐变的十字形缝隙。馈电网络由输入端口，微带传输线，第一级功分器，第二级功分器，M型微带线，钩状阻抗匹配结构组成。通过馈电网络实现四端口馈电且馈点之间有90度相位差。在馈电网络中应用的M型微带线也拓展了天线的轴比波束宽度。本发明具有结构简单，设计方便，轴比波束宽，辐射范围大，可应用到太赫兹系统等特点。
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公开(公告)号：CN116544663A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310658916.5
申请日：2023-06-06
Applicant: 北京邮电大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 电子科技大学(深圳)高等研究院
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹波段的四臂螺旋方向图可重构天线，属于射频前端器件技术领域。其由底层馈电结构，四个信号输入端口，两层介质层，中间金属层，顶层天线金属层，四个金属柱结构共同组成；顶层天线金属层，由四个渐变螺旋臂天线单元组成。该渐变螺旋臂天线单元，由直臂和渐变螺旋臂组合而成，螺旋臂结构从起始位置到终止位置宽度是渐变的，越来越宽，在每个天线单元的直臂起始馈电位置连接一个圆盘用来与金属柱匹配。本发明可实现最大波束角度在θ=50度平面上φ=150°，‑120°，‑30°，60°四种辐射模式，且半功率波束宽度均大于50°，最大增益均超过7dB，反射系数‑10dB阻抗带宽大于15%；结构简单、制造方便，可以通过硅基工艺进行制造。
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公开(公告)号：CN118278280A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410411364.2
申请日：2024-04-08
Applicant: 北京邮电大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 电子科技大学(深圳)高等研究院
IPC: G06F30/27 , H01Q21/00 , G06F18/23213 , G06N3/126 , G06F111/08 , G06F113/16 , G06F119/02 , G06F119/06 , G06F119/18
Abstract: 本发明公开了一种基于稀疏先验和聚类的相控阵子阵划分方法，属于相控阵列天线综合领域。本发明的技术方案分为两部分：基于遗传算法稀疏布阵的阵元权重矩阵算法，以及基于阵元权重矩阵的K均值聚类的子阵划分算法。首先，使用基于遗传算法稀疏布阵的阵元权重矩阵算法获得相控阵的阵元稀疏权重矩阵。然后，使用基于阵元权重矩阵的K均值聚类的子阵划分算法获得子阵划分方案。本发明设计的相控阵天线增益高、副瓣低、可以节省大部分阵元驱动网络，不仅适用于规则和非规则的子阵划分方式，而且算法简单有效，划分结果较为稳定。
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公开(公告)号：CN118099683A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410319064.1
申请日：2024-03-20
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 北京邮电大学 , 辽宁工业大学 , 喀什地区电子信息产业技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹波段串并联综合MEMS开关，属于射频前端器件领域。整体结构由直流端口金属块，直流偏置线，微带线匹配结构，复合梁MEMS开关，金属梁MEMS开关，金属电极，氮化硅绝缘层，硅基衬底，共面波导金属地和背附金属地组成。复合梁MEMS开关由二氧化硅材料固支梁和吸附在其下方的金属梁组合而成，金属梁MEMS开关并排于复合梁MEMS开关；可以通过在直流端口输入不同直流电压来控制开关的断开与导通状态；本发明设计的串并联综合MEMS开关工作在500GHz以下，均可以保证断开状态隔离度高于20dB；导通状态插入损耗低于2dB。微秒量级的反应时间，且不易发生破坏性形变；结构简单，制造方便，可以通过玻璃基工艺进行制造。
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