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公开(公告)号：CN119651143A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411627013.1
申请日：2024-11-14
Applicant: 北京邮电大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所
Abstract: 本发明公开了一种通过MEMS开关切换馈电的方向图可重构天线，属于射频前端器件领域。该方向图可重构天线由包括微带辐射单元，引向寄生单元，复合梁欧姆接触式MEMS开关，一分四馈电网络，直流偏置线，测试贴片焊盘，共面波导，渐变微带线，介质基板，金属地背板组成。两级MEMS开关架设在一分四馈电网络上，当某条馈线上两级开关均导通时，射频电流可通过该馈线流向对应的基本辐射单元，产生朝向此象限的倾斜波束，并可通过同时导通前侧的四个开关，使能前侧的两个基本辐射单元，产生前侧正方向的倾斜波束。天线采用单层板设计，介质基板无需打孔，结构简单、制造方便，采用的MEMS开关损耗小，隔离度高，表面刻蚀工艺可以实现快速印刷制造。
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公开(公告)号：CN118249794A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410320830.6
申请日：2024-03-20
Applicant: 北京邮电大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 喀什地区电子信息产业技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种基于复合梁的单刀四掷MEMS开关，属于射频前端器件技术领域。主要结构为输入微带线，渐变匹配结构，中间导通结构，输出微带线，玻璃基衬底，金属电极，梁底座与悬梁共同组成的复合梁，金属地组成。此开关属于欧姆接触式开关，复合梁结构包括二氧化硅材料悬梁和金材料梁底座。各支路开关通过直流电压驱动金属电极，可以控制复合梁的悬停状态与接触渐变匹配结构与输出传输线的贴合状态，分别对应着本路开关的断开状态与导通状态。本发明可以在太赫兹波段140GHz频率以下实现高隔离度：微秒量级的响应时间，且不易发生破坏性形变；结构简洁、制造方便，能够通过玻璃基工艺进行制造。
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公开(公告)号：CN119674507A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411626091.X
申请日：2024-11-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 北京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种毫米波极化和方向图可重构天线，属于射频前端器件领域。其由对称的矩形辐射贴片，位于辐射贴片上的半圆缺陷、四分之一圆缺陷、矩形枝节加载，正交双向馈电网络，T型功分馈电网络，复合梁欧姆接触式MEMS开关，直流偏置线，测试贴片焊盘，共面波导，渐变匹配结构，介质基板，金属地背板组成。当T型功分馈电网络上的单侧MEMS开关导通时，能量流向该侧的辐射单元，可实现向左或向右的波束倾斜效果。当两侧的MEMS均导通时，辐射方向图指向Z正轴，无波束偏转，据此可实现左中右三个方向的方向图可重构功能。当正交双向馈电网络上的开关闭合时，长线的尺寸可实现90°的相位延迟，两个正交的简并模合成圆极化波，覆盖完整半功率波束宽度。
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公开(公告)号：CN119651142A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411626063.8
申请日：2024-11-14
Applicant: 北京邮电大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于RF MEMS开关控制的单极子方向图可重构天线，属于射频前端器件领域。由单极子辐射单元，位于其左右两侧的寄生单元，复合梁欧姆接触式MEMS开关，直流偏置线，测试贴片焊盘，共面波导，渐变微带线，介质基板，金属地背板组成。当寄生单元上的MEMS开关导通时，寄生单元长度略小于单极子辐射单元，寄生单元起到引向器作用。当MEMS开关关断时，一级引向单元由断口处一分为二，其长度远小于单极子辐射单元，且终端开路产生回流，削减抵消二级引向单元的效果。当一侧开关下拉时，方向图向闭合开关一侧发生波束偏转，可调偏转角度可达41°，增益可达6.14dB，波束宽度约90°，当两侧开关均断开时，波束偏转为0°，方向图指向正Z轴，增益为5.15dB。
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公开(公告)号：CN118017220A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410320344.4
申请日：2024-03-20
Applicant: 北京邮电大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 喀什地区电子信息产业技术研究院
Abstract: 本发明公开了基于单刀四掷开关控制的MEMS开关线型移相器，属于射频前端器件领域。该基于单刀四掷开关控制的MEMS开关线型移相器由粗调、细调移相单元组成。移相单元由两个单刀四掷开关、相位延时线、输入输出端口组成。当某条相位延时线前后端两个单刀四掷开关的对应触点均接触闭合，且其余触点断开时，该移相单元由单刀四掷开关选通此条相位延时线，信号通过该线产生相位延时。利用MEMS技术设计的线性移相器在太赫兹频段具有插入损耗较小的特征，该移相器在中心频率处S11参数在‑10dB以下，S21参数在‑1.6dB附近波动；结构简单、制造方便，相对于传统半导体开关移相器，设计结构简单，稳定可靠，且可以采用玻璃基工艺制造。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117996460A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410271618.5
申请日：2024-03-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 北京邮电大学 , 喀什地区电子信息产业技术研究院
Abstract: 本发明公开了基于可变电容调谐机制的频率和极化可重构天线阵列，属于射频前端器件领域。其由相同的天线单元组成，天线单元由主辐射贴片、两个弯折短截线、两个可变电容、一个大电阻、一个电感、介质基板、一个SMA连接器、金属地组成。通过施加不同反向电压到可变电容上，从而调谐天线单元的谐振频率和谐振相位，在横向两个单元之间形成90度左右的相位差从而实现圆极化，通过对调左右两侧施加的电压即可方便地切换左旋/右旋圆极化。当左右两侧施加的反向电压相等时，天线为线极化，产生的圆极化轴比。本发明使得天线整体结构更加简单，降低了加工复杂度和成本，其平面微带结构可以实现快速印刷制造。
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公开(公告)号：CN116885438A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310925265.1
申请日：2023-07-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 北京邮电大学 , 喀什地区电子信息产业技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹宽轴比波束的圆极化天线，属于射频前端器件技术领域。天线从底层到顶层的层叠顺序为馈电网络层，第二介质层，夹在第一介质层与第二介质层中间的金属缝隙层，第一介质层，位于顶层的天线金属层。第一介质层和第二介质层是厚度不相同的两层石英玻璃衬底。中间金属缝隙层上刻蚀有宽度渐变的十字形缝隙。馈电网络由输入端口，微带传输线，第一级功分器，第二级功分器，M型微带线，钩状阻抗匹配结构组成。通过馈电网络实现四端口馈电且馈点之间有90度相位差。在馈电网络中应用的M型微带线也拓展了天线的轴比波束宽度。本发明具有结构简单，设计方便，轴比波束宽，辐射范围大，可应用到太赫兹系统等特点。
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公开(公告)号：CN118278280A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410411364.2
申请日：2024-04-08
Applicant: 北京邮电大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 电子科技大学(深圳)高等研究院
IPC: G06F30/27 , H01Q21/00 , G06F18/23213 , G06N3/126 , G06F111/08 , G06F113/16 , G06F119/02 , G06F119/06 , G06F119/18
Abstract: 本发明公开了一种基于稀疏先验和聚类的相控阵子阵划分方法，属于相控阵列天线综合领域。本发明的技术方案分为两部分：基于遗传算法稀疏布阵的阵元权重矩阵算法，以及基于阵元权重矩阵的K均值聚类的子阵划分算法。首先，使用基于遗传算法稀疏布阵的阵元权重矩阵算法获得相控阵的阵元稀疏权重矩阵。然后，使用基于阵元权重矩阵的K均值聚类的子阵划分算法获得子阵划分方案。本发明设计的相控阵天线增益高、副瓣低、可以节省大部分阵元驱动网络，不仅适用于规则和非规则的子阵划分方式，而且算法简单有效，划分结果较为稳定。
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公开(公告)号：CN118099683A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410319064.1
申请日：2024-03-20
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 北京邮电大学 , 辽宁工业大学 , 喀什地区电子信息产业技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹波段串并联综合MEMS开关，属于射频前端器件领域。整体结构由直流端口金属块，直流偏置线，微带线匹配结构，复合梁MEMS开关，金属梁MEMS开关，金属电极，氮化硅绝缘层，硅基衬底，共面波导金属地和背附金属地组成。复合梁MEMS开关由二氧化硅材料固支梁和吸附在其下方的金属梁组合而成，金属梁MEMS开关并排于复合梁MEMS开关；可以通过在直流端口输入不同直流电压来控制开关的断开与导通状态；本发明设计的串并联综合MEMS开关工作在500GHz以下，均可以保证断开状态隔离度高于20dB；导通状态插入损耗低于2dB。微秒量级的反应时间，且不易发生破坏性形变；结构简单，制造方便，可以通过玻璃基工艺进行制造。
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公开(公告)号：CN116865000A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310983562.1
申请日：2023-08-07
Applicant: 北京邮电大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹微带贴片八木天线，属于射频前端器件技术领域；其金属层、介质层和金属地从上至下依次层叠；金属层包括微带八木天线贴片和阻抗变结构；其中，微带八木天线贴片主要由驱动器贴片、引向器贴片、反射器贴片和微带馈线组成；阻抗变结构包括分别设于微带馈线两侧的两部分，且两部分阻抗变结构镜像对称；每部分阻抗变结构的相邻侧边为四级共勉波导结构；介质层内设有上下贯穿的四组金属柱，其中两组金属柱的顶端与驱动器贴片的下表面连接，另外两组金属柱的顶端分别连接对应部分反射器贴片；每组金属柱的底端均与金属地连接。本发明实现了结构简单，阻抗带宽宽，方向性好等特点。
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