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公开(公告)号:CN118278280A
公开(公告)日:2024-07-02
申请号:CN202410411364.2
申请日:2024-04-08
Applicant: 北京邮电大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 电子科技大学(深圳)高等研究院
IPC: G06F30/27 , H01Q21/00 , G06F18/23213 , G06N3/126 , G06F111/08 , G06F113/16 , G06F119/02 , G06F119/06 , G06F119/18
Abstract: 本发明公开了一种基于稀疏先验和聚类的相控阵子阵划分方法,属于相控阵列天线综合领域。本发明的技术方案分为两部分:基于遗传算法稀疏布阵的阵元权重矩阵算法,以及基于阵元权重矩阵的K均值聚类的子阵划分算法。首先,使用基于遗传算法稀疏布阵的阵元权重矩阵算法获得相控阵的阵元稀疏权重矩阵。然后,使用基于阵元权重矩阵的K均值聚类的子阵划分算法获得子阵划分方案。本发明设计的相控阵天线增益高、副瓣低、可以节省大部分阵元驱动网络,不仅适用于规则和非规则的子阵划分方式,而且算法简单有效,划分结果较为稳定。
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公开(公告)号:CN118099683A
公开(公告)日:2024-05-28
申请号:CN202410319064.1
申请日:2024-03-20
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 北京邮电大学 , 辽宁工业大学 , 喀什地区电子信息产业技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹波段串并联综合MEMS开关,属于射频前端器件领域。整体结构由直流端口金属块,直流偏置线,微带线匹配结构,复合梁MEMS开关,金属梁MEMS开关,金属电极,氮化硅绝缘层,硅基衬底,共面波导金属地和背附金属地组成。复合梁MEMS开关由二氧化硅材料固支梁和吸附在其下方的金属梁组合而成,金属梁MEMS开关并排于复合梁MEMS开关;可以通过在直流端口输入不同直流电压来控制开关的断开与导通状态;本发明设计的串并联综合MEMS开关工作在500GHz以下,均可以保证断开状态隔离度高于20dB;导通状态插入损耗低于2dB。微秒量级的反应时间,且不易发生破坏性形变;结构简单,制造方便,可以通过玻璃基工艺进行制造。
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公开(公告)号:CN110165406B
公开(公告)日:2024-03-22
申请号:CN201910566361.5
申请日:2019-06-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所
Abstract: 本发明公开了一种方向图可重构天线单元及相控阵,属于射频前端器件技术领域。该天线单元包括介质基板、金属地、主辐射微带线和寄生辐射结构,寄生辐射结构包括寄生辐射微带线和寄生端子,主辐射微带线的长度大于寄生辐射微带线的长度且小于寄生辐射结构的长度,介质基板背面的主辐射微带线区域内还设有两个信号端口,信号端口通过同轴探针与主辐射微带线相连。本发明具有可二维大角度扫描与低副瓣的特点,且结构简单、制造方便,可以实现快速印刷制造。
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公开(公告)号:CN114614261B
公开(公告)日:2023-12-29
申请号:CN202210232765.2
申请日:2022-03-09
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所
Abstract: 本发明提供了一种基于MEMS开关的太赫兹圆极化方向图可重构天线,属于天线技术领域,其由底层微带馈电网络、中间层金属地和十字馈电槽、顶层圆微带中央贴片、四个风车形寄生单元、四个太赫兹MEMS开关、两层介质基板组成。通过底层微带线与上层金属的能量耦合,顶层辐射结构形成两个圆极化模式,使波束偏转;当顶层其中一个MEMS开关导通,而其它MEMS开关断开时,天线波束由导通一侧指向断开一侧。本发明利用MEMS开关切换风车形寄生单元的方向图可重构天线具有二维大角度波束偏转与独特双圆极化模式辐射的特征,可实现偏离法线方向30°以上的偏转角,同时最大辐射方向上轴比小于3dB,波束宽度覆盖至法线方向50°以上。
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公开(公告)号:CN117293498A
公开(公告)日:2023-12-26
申请号:CN202311176175.3
申请日:2023-09-13
Applicant: 北京邮电大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 喀什地区电子信息产业技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹MEMS四位分布式移相器,属于射频前端器件技术领域。其由16个移相器单元级联而成,每个移相器单元包括底层金属地结构,中间介质层,顶层金属地,直流端口,高阻偏置线,金属电极,金属电极上的绝缘层,与顶层金属地结合的金属桥,钳状金属梁和宽度渐变的金属线;金属地结构位于最下方,其上为中间介质层,其他结构均位于器件顶层。通过直流电压控制钳状金属梁的抬起和下拉两种状态来控制分布式移相器单元的相位,移相器单元两种状态的相位差为22.5°。本发明具有结构简单,设计方便,在太赫兹波段移相精度高,线性度好,插入损耗低,可应用到太赫兹系统等特点。
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公开(公告)号:CN116865000A
公开(公告)日:2023-10-10
申请号:CN202310983562.1
申请日:2023-08-07
Applicant: 北京邮电大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹微带贴片八木天线,属于射频前端器件技术领域;其金属层、介质层和金属地从上至下依次层叠;金属层包括微带八木天线贴片和阻抗变结构;其中,微带八木天线贴片主要由驱动器贴片、引向器贴片、反射器贴片和微带馈线组成;阻抗变结构包括分别设于微带馈线两侧的两部分,且两部分阻抗变结构镜像对称;每部分阻抗变结构的相邻侧边为四级共勉波导结构;介质层内设有上下贯穿的四组金属柱,其中两组金属柱的顶端与驱动器贴片的下表面连接,另外两组金属柱的顶端分别连接对应部分反射器贴片;每组金属柱的底端均与金属地连接。本发明实现了结构简单,阻抗带宽宽,方向性好等特点。
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公开(公告)号:CN107230816A
公开(公告)日:2017-10-03
申请号:CN201710325276.0
申请日:2017-05-10
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所
CPC classification number: H01P1/207 , H01P11/007
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹滤波器,属于滤波器技术领域。其包含芯体和封装外壳,芯体内具有基于微机电系统和深反应离子刻蚀技术加工而成的矩形波导腔滤波器结构,封装外壳内具有与芯体的外部规格尺寸一致的芯体腔,封装外壳将芯体完全包裹,芯体腔的两端各设有一条直线形导孔,导孔的一端与芯体的波导腔相接,导孔的另一端开口于封装外壳的外表面,导孔与波导腔处于一条直线上,导孔的径向截面与波导腔的径向截面尺寸一致。本发明太赫兹滤波器既能保证滤波性能,同时又具有极好的强度,是对现有技术的一种重要改进。
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公开(公告)号:CN118763422A
公开(公告)日:2024-10-11
申请号:CN202410964811.7
申请日:2024-07-18
Applicant: 辽宁工业大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 北京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹波段的基于MEMS开关的超表面反射单元,属于射频前端器件技术领域。其由微带天线单元,复合梁MEMS开关,直流偏置线,金属短截线,圆形通孔,金属电极,氮化硅绝缘层,硅基衬底和背附金属地组成。复合梁MEMS开关由二氧化硅材料固支梁和吸附在其下方的金属梁组成而成。通过在直流端口输入不同直流电压来控制开关的断开与导通状态;利用MEMS开关控制电流路径的智能超表面调制天线具有隔离度高、插入损耗低和功耗低的特征。该天线可以实现在一定带宽范围内(295‑305GHZ)具有180°发射相位差,且MEMS开关工作在300GHZ以下,均可以保证在断开状态隔离度高于15dB;导通状态下插入损耗低于1dB。微带天线单元和开关结构简单、制造方便,可以通过硅基工艺进行制造。
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公开(公告)号:CN118508071A
公开(公告)日:2024-08-16
申请号:CN202410810087.2
申请日:2024-06-21
Applicant: 北京邮电大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 喀什地区电子信息产业技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种毫米波超宽带宽波束磁电偶极子天线单元及天线,属于射频前端器件领域;其天线单元包括辐射体和馈电模块;辐射体包含有两个位于同一平面且对称设置的矩形贴片;两个矩形贴片的远离侧均与对应的斜置贴片连接;馈电模块为T型结构,且其位于所述平面内;其中一矩形贴片的内侧设有圆形缝隙,T型结构的中间枝节末端位于圆形缝隙中,且与矩形贴片无接触;T型结构的中间枝节末端通过金属通孔I穿过地板,接入馈电层;所述矩形贴片通过金属通孔II与底板连接。本发明在Ka波段附近频段内达到超过54%阻抗带宽的性能,以及H面的波束宽度在频段内维持在112度到135度范围内,还具备在工作频段内的高增益性能。
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公开(公告)号:CN118117328A
公开(公告)日:2024-05-31
申请号:CN202410319791.8
申请日:2024-03-20
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 北京邮电大学 , 喀什地区电子信息产业技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种毫米波超宽带圆极化磁电偶极子天线,属于射频前端器件技术领域,其包括天线辐射体和馈电模块;所述天线辐射体包括上辐射层、下辐射层以及金属过孔;所述上辐射层和下辐射层均设置有两个矩形贴片,且在同一辐射层上的四个矩形贴片正投影分别位于方形的四个顶点;同一辐射层的两个辐射贴片位于方形的对角线上;其中一辐射层上的两个辐射贴片相邻端平面连接;金属过孔与矩形贴片一一对应;所述金属过孔的顶端与对应的矩形贴片短接,底端与金属地连接;本发明在30Ghz附近频段内达到超过40%阻抗带宽的性能,以及圆极化轴比带宽也高于20%,在保持上述性能优势下,还具备在工作频段内的高增益性能。
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