一种方向图可重构天线单元及相控阵

    公开(公告)号:CN110165406B

    公开(公告)日:2024-03-22

    申请号:CN201910566361.5

    申请日:2019-06-27

    Abstract: 本发明公开了一种方向图可重构天线单元及相控阵,属于射频前端器件技术领域。该天线单元包括介质基板、金属地、主辐射微带线和寄生辐射结构,寄生辐射结构包括寄生辐射微带线和寄生端子,主辐射微带线的长度大于寄生辐射微带线的长度且小于寄生辐射结构的长度,介质基板背面的主辐射微带线区域内还设有两个信号端口,信号端口通过同轴探针与主辐射微带线相连。本发明具有可二维大角度扫描与低副瓣的特点,且结构简单、制造方便,可以实现快速印刷制造。

    一种基于MEMS开关的太赫兹圆极化方向图可重构天线

    公开(公告)号:CN114614261B

    公开(公告)日:2023-12-29

    申请号:CN202210232765.2

    申请日:2022-03-09

    Abstract: 本发明提供了一种基于MEMS开关的太赫兹圆极化方向图可重构天线,属于天线技术领域,其由底层微带馈电网络、中间层金属地和十字馈电槽、顶层圆微带中央贴片、四个风车形寄生单元、四个太赫兹MEMS开关、两层介质基板组成。通过底层微带线与上层金属的能量耦合,顶层辐射结构形成两个圆极化模式,使波束偏转;当顶层其中一个MEMS开关导通,而其它MEMS开关断开时,天线波束由导通一侧指向断开一侧。本发明利用MEMS开关切换风车形寄生单元的方向图可重构天线具有二维大角度波束偏转与独特双圆极化模式辐射的特征,可实现偏离法线方向30°以上的偏转角,同时最大辐射方向上轴比小于3dB,波束宽度覆盖至法线方向50°以上。

    一种太赫兹微带贴片八木天线
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116865000A

    公开(公告)日:2023-10-10

    申请号:CN202310983562.1

    申请日:2023-08-07

    Abstract: 本发明公开了一种太赫兹微带贴片八木天线,属于射频前端器件技术领域;其金属层、介质层和金属地从上至下依次层叠;金属层包括微带八木天线贴片和阻抗变结构;其中,微带八木天线贴片主要由驱动器贴片、引向器贴片、反射器贴片和微带馈线组成;阻抗变结构包括分别设于微带馈线两侧的两部分,且两部分阻抗变结构镜像对称;每部分阻抗变结构的相邻侧边为四级共勉波导结构;介质层内设有上下贯穿的四组金属柱,其中两组金属柱的顶端与驱动器贴片的下表面连接,另外两组金属柱的顶端分别连接对应部分反射器贴片;每组金属柱的底端均与金属地连接。本发明实现了结构简单,阻抗带宽宽,方向性好等特点。

    一种太赫兹滤波器及其加工方法

    公开(公告)号:CN107230816A

    公开(公告)日:2017-10-03

    申请号:CN201710325276.0

    申请日:2017-05-10

    CPC classification number: H01P1/207 H01P11/007

    Abstract: 本发明公开了一种太赫兹滤波器,属于滤波器技术领域。其包含芯体和封装外壳,芯体内具有基于微机电系统和深反应离子刻蚀技术加工而成的矩形波导腔滤波器结构,封装外壳内具有与芯体的外部规格尺寸一致的芯体腔,封装外壳将芯体完全包裹,芯体腔的两端各设有一条直线形导孔,导孔的一端与芯体的波导腔相接,导孔的另一端开口于封装外壳的外表面,导孔与波导腔处于一条直线上,导孔的径向截面与波导腔的径向截面尺寸一致。本发明太赫兹滤波器既能保证滤波性能,同时又具有极好的强度,是对现有技术的一种重要改进。

    一种太赫兹波段的基于MEMS开关的超表面反射单元

    公开(公告)号:CN118763422A

    公开(公告)日:2024-10-11

    申请号:CN202410964811.7

    申请日:2024-07-18

    Abstract: 本发明公开了一种太赫兹波段的基于MEMS开关的超表面反射单元,属于射频前端器件技术领域。其由微带天线单元,复合梁MEMS开关,直流偏置线,金属短截线,圆形通孔,金属电极,氮化硅绝缘层,硅基衬底和背附金属地组成。复合梁MEMS开关由二氧化硅材料固支梁和吸附在其下方的金属梁组成而成。通过在直流端口输入不同直流电压来控制开关的断开与导通状态;利用MEMS开关控制电流路径的智能超表面调制天线具有隔离度高、插入损耗低和功耗低的特征。该天线可以实现在一定带宽范围内(295‑305GHZ)具有180°发射相位差,且MEMS开关工作在300GHZ以下,均可以保证在断开状态隔离度高于15dB;导通状态下插入损耗低于1dB。微带天线单元和开关结构简单、制造方便,可以通过硅基工艺进行制造。

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