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公开(公告)号：CN118099683A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410319064.1
申请日：2024-03-20
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 北京邮电大学 , 辽宁工业大学 , 喀什地区电子信息产业技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹波段串并联综合MEMS开关，属于射频前端器件领域。整体结构由直流端口金属块，直流偏置线，微带线匹配结构，复合梁MEMS开关，金属梁MEMS开关，金属电极，氮化硅绝缘层，硅基衬底，共面波导金属地和背附金属地组成。复合梁MEMS开关由二氧化硅材料固支梁和吸附在其下方的金属梁组合而成，金属梁MEMS开关并排于复合梁MEMS开关；可以通过在直流端口输入不同直流电压来控制开关的断开与导通状态；本发明设计的串并联综合MEMS开关工作在500GHz以下，均可以保证断开状态隔离度高于20dB；导通状态插入损耗低于2dB。微秒量级的反应时间，且不易发生破坏性形变；结构简单，制造方便，可以通过玻璃基工艺进行制造。
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公开(公告)号：CN117293498A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311176175.3
申请日：2023-09-13
Applicant: 北京邮电大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 喀什地区电子信息产业技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹MEMS四位分布式移相器，属于射频前端器件技术领域。其由16个移相器单元级联而成，每个移相器单元包括底层金属地结构，中间介质层，顶层金属地，直流端口，高阻偏置线，金属电极，金属电极上的绝缘层，与顶层金属地结合的金属桥，钳状金属梁和宽度渐变的金属线；金属地结构位于最下方，其上为中间介质层，其他结构均位于器件顶层。通过直流电压控制钳状金属梁的抬起和下拉两种状态来控制分布式移相器单元的相位，移相器单元两种状态的相位差为22.5°。本发明具有结构简单，设计方便，在太赫兹波段移相精度高，线性度好，插入损耗低，可应用到太赫兹系统等特点。
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公开(公告)号：CN118117328A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410319791.8
申请日：2024-03-20
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 北京邮电大学 , 喀什地区电子信息产业技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种毫米波超宽带圆极化磁电偶极子天线，属于射频前端器件技术领域，其包括天线辐射体和馈电模块；所述天线辐射体包括上辐射层、下辐射层以及金属过孔；所述上辐射层和下辐射层均设置有两个矩形贴片，且在同一辐射层上的四个矩形贴片正投影分别位于方形的四个顶点；同一辐射层的两个辐射贴片位于方形的对角线上；其中一辐射层上的两个辐射贴片相邻端平面连接；金属过孔与矩形贴片一一对应；所述金属过孔的顶端与对应的矩形贴片短接，底端与金属地连接；本发明在30Ghz附近频段内达到超过40％阻抗带宽的性能，以及圆极化轴比带宽也高于20％，在保持上述性能优势下，还具备在工作频段内的高增益性能。
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公开(公告)号：CN119674517A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411627417.0
申请日：2024-11-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 北京邮电大学 , 喀什地区电子信息产业技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹波段的倾斜波束平面波导缝隙天线，属于射频前端器件领域。其由自下向上层叠设置的第一金属层、介质层、第二金属层，以及联通两层金属并贯通介质层的金属通孔组成。其中第一金属层为整体矩形金属地；介质层为整体矩形介质层；第二金属层为天线主辐射层，包括矩形CPW信号地、球棒形CPW信号线、矩形引向贴片；CPW信号线的上边缘与CPW信号地构成输入端口，下边缘距离CPW信号地约二分之一个工作波长，构成缝隙以辐射电磁波。当激励信号接入输入端口，主辐射结构将产生最大辐射方向在俯仰面50°方向的倾斜波束。本倾斜波束平面波导缝隙天线具有工作频段高、前后比高、结构简单、易于集成的特征。
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公开(公告)号：CN119651088A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411630826.6
申请日：2024-11-15
Applicant: 北京邮电大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 喀什地区电子信息产业技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹波段的并联式MEMS开关，属于射频前端器件领域。其由自下至上层叠设置的第一层金属贴片，中间层介质板，第二层金属贴片与高阻偏置线，介电薄膜与金属桥墩，第三层金属贴片组成。其中第一层金属贴片为整体金属地；中间层介质板为整体介质层；第二层金属贴片包括共面波导信号地、共面波导信号线、直流偏置电极、开关驱动电极；第三层金属贴片包括开关金属梁和CPW封闭桥梁。开关的下驱动电极上覆有面积稍大的介电薄膜，而CPW信号地的中段设置了一段抬起桥梁，直流偏置线通过该桥梁走线并将开关下电极连接到直流偏置电极上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118017220A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410320344.4
申请日：2024-03-20
Applicant: 北京邮电大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 喀什地区电子信息产业技术研究院
Abstract: 本发明公开了基于单刀四掷开关控制的MEMS开关线型移相器，属于射频前端器件领域。该基于单刀四掷开关控制的MEMS开关线型移相器由粗调、细调移相单元组成。移相单元由两个单刀四掷开关、相位延时线、输入输出端口组成。当某条相位延时线前后端两个单刀四掷开关的对应触点均接触闭合，且其余触点断开时，该移相单元由单刀四掷开关选通此条相位延时线，信号通过该线产生相位延时。利用MEMS技术设计的线性移相器在太赫兹频段具有插入损耗较小的特征，该移相器在中心频率处S11参数在‑10dB以下，S21参数在‑1.6dB附近波动；结构简单、制造方便，相对于传统半导体开关移相器，设计结构简单，稳定可靠，且可以采用玻璃基工艺制造。
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公开(公告)号：CN117134115A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311303960.0
申请日：2023-10-10
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 北京邮电大学 , 喀什地区电子信息产业技术研究院
Abstract: 本发明公开了基于圆极化天线单元的太赫兹相控阵天线，属于射频前端技术领域。其包括集成在共面波导上的16个圆极化天线单元、16个MEMS四位分布式移相器和15个威尔金森功分器，由信号探针馈电；信号探针通过15个威尔金森功分器分成16路分别通过MEMS四位分布式移相器与圆极化天线单元连接；所述MEMS四位分布式移相器与圆极化天线单元一一对应。本发明作为小尺寸射频器件，可以应用到多种应用场景；整体结构涉及的功分器，移相器和高性能天线单元等器件均可工作于太赫兹波段，可单独应用于其它通信系统。
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公开(公告)号：CN116885438A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310925265.1
申请日：2023-07-26
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 北京邮电大学 , 喀什地区电子信息产业技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹宽轴比波束的圆极化天线，属于射频前端器件技术领域。天线从底层到顶层的层叠顺序为馈电网络层，第二介质层，夹在第一介质层与第二介质层中间的金属缝隙层，第一介质层，位于顶层的天线金属层。第一介质层和第二介质层是厚度不相同的两层石英玻璃衬底。中间金属缝隙层上刻蚀有宽度渐变的十字形缝隙。馈电网络由输入端口，微带传输线，第一级功分器，第二级功分器，M型微带线，钩状阻抗匹配结构组成。通过馈电网络实现四端口馈电且馈点之间有90度相位差。在馈电网络中应用的M型微带线也拓展了天线的轴比波束宽度。本发明具有结构简单，设计方便，轴比波束宽，辐射范围大，可应用到太赫兹系统等特点。
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公开(公告)号：CN118249794A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410320830.6
申请日：2024-03-20
Applicant: 北京邮电大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 喀什地区电子信息产业技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种基于复合梁的单刀四掷MEMS开关，属于射频前端器件技术领域。主要结构为输入微带线，渐变匹配结构，中间导通结构，输出微带线，玻璃基衬底，金属电极，梁底座与悬梁共同组成的复合梁，金属地组成。此开关属于欧姆接触式开关，复合梁结构包括二氧化硅材料悬梁和金材料梁底座。各支路开关通过直流电压驱动金属电极，可以控制复合梁的悬停状态与接触渐变匹配结构与输出传输线的贴合状态，分别对应着本路开关的断开状态与导通状态。本发明可以在太赫兹波段140GHz频率以下实现高隔离度：微秒量级的响应时间，且不易发生破坏性形变；结构简洁、制造方便，能够通过玻璃基工艺进行制造。
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公开(公告)号：CN119627380A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411626703.5
申请日：2024-11-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 北京邮电大学
Abstract: 本发明属于一种太赫兹频段低损耗高隔离度MEMS开关，属于射频前端器件领域。该开关桥墩结构，金属梁，上电极通孔组，梯形连接，触点，氮化硅电容绝缘层，下电极，氮化硅电极绝缘层，共面波导微波传输线结构，直流偏置高阻线，金丝，金PAD焊盘贴片，介质基板，背板金属地，接地金属圆柱，金属架桥组成。当通过共面波导进行馈电时，分析开关导通和关断状态下射频特性。开关关断时，隔离度可达‑24.94dB，在高频具备低插损高隔离度的特性，可广泛应用于太赫兹通信领域，应用在微波电路、天线等射频器件中。开关采用单层金属梁设计，结构简单、制造方便，可快速刻蚀制造。
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