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公开(公告)号：CN118278280A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410411364.2
申请日：2024-04-08
Applicant: 北京邮电大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 电子科技大学(深圳)高等研究院
IPC: G06F30/27 , H01Q21/00 , G06F18/23213 , G06N3/126 , G06F111/08 , G06F113/16 , G06F119/02 , G06F119/06 , G06F119/18
Abstract: 本发明公开了一种基于稀疏先验和聚类的相控阵子阵划分方法，属于相控阵列天线综合领域。本发明的技术方案分为两部分：基于遗传算法稀疏布阵的阵元权重矩阵算法，以及基于阵元权重矩阵的K均值聚类的子阵划分算法。首先，使用基于遗传算法稀疏布阵的阵元权重矩阵算法获得相控阵的阵元稀疏权重矩阵。然后，使用基于阵元权重矩阵的K均值聚类的子阵划分算法获得子阵划分方案。本发明设计的相控阵天线增益高、副瓣低、可以节省大部分阵元驱动网络，不仅适用于规则和非规则的子阵划分方式，而且算法简单有效，划分结果较为稳定。
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公开(公告)号：CN118099683A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410319064.1
申请日：2024-03-20
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 北京邮电大学 , 辽宁工业大学 , 喀什地区电子信息产业技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹波段串并联综合MEMS开关，属于射频前端器件领域。整体结构由直流端口金属块，直流偏置线，微带线匹配结构，复合梁MEMS开关，金属梁MEMS开关，金属电极，氮化硅绝缘层，硅基衬底，共面波导金属地和背附金属地组成。复合梁MEMS开关由二氧化硅材料固支梁和吸附在其下方的金属梁组合而成，金属梁MEMS开关并排于复合梁MEMS开关；可以通过在直流端口输入不同直流电压来控制开关的断开与导通状态；本发明设计的串并联综合MEMS开关工作在500GHz以下，均可以保证断开状态隔离度高于20dB；导通状态插入损耗低于2dB。微秒量级的反应时间，且不易发生破坏性形变；结构简单，制造方便，可以通过玻璃基工艺进行制造。
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公开(公告)号：CN117293498A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311176175.3
申请日：2023-09-13
Applicant: 北京邮电大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 喀什地区电子信息产业技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹MEMS四位分布式移相器，属于射频前端器件技术领域。其由16个移相器单元级联而成，每个移相器单元包括底层金属地结构，中间介质层，顶层金属地，直流端口，高阻偏置线，金属电极，金属电极上的绝缘层，与顶层金属地结合的金属桥，钳状金属梁和宽度渐变的金属线；金属地结构位于最下方，其上为中间介质层，其他结构均位于器件顶层。通过直流电压控制钳状金属梁的抬起和下拉两种状态来控制分布式移相器单元的相位，移相器单元两种状态的相位差为22.5°。本发明具有结构简单，设计方便，在太赫兹波段移相精度高，线性度好，插入损耗低，可应用到太赫兹系统等特点。
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公开(公告)号：CN116865000A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310983562.1
申请日：2023-08-07
Applicant: 北京邮电大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹微带贴片八木天线，属于射频前端器件技术领域；其金属层、介质层和金属地从上至下依次层叠；金属层包括微带八木天线贴片和阻抗变结构；其中，微带八木天线贴片主要由驱动器贴片、引向器贴片、反射器贴片和微带馈线组成；阻抗变结构包括分别设于微带馈线两侧的两部分，且两部分阻抗变结构镜像对称；每部分阻抗变结构的相邻侧边为四级共勉波导结构；介质层内设有上下贯穿的四组金属柱，其中两组金属柱的顶端与驱动器贴片的下表面连接，另外两组金属柱的顶端分别连接对应部分反射器贴片；每组金属柱的底端均与金属地连接。本发明实现了结构简单，阻抗带宽宽，方向性好等特点。
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公开(公告)号：CN119814092A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411836528.2
申请日：2024-12-13
Applicant: 北京邮电大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所
IPC: H04B7/0404 , H04B7/0456
Abstract: 本发明公开了一种基于改进斑马算法的稀疏阵列天线优化方法，用于降低稀疏阵列天线的峰值旁瓣电平，属于射频相控阵天线技术领域。本方法实现过程包括：首先在原始斑马优化算法的基础上，加入概率估计模型，将实数变量转换为二进制编码；其次引入了自适应T分布扰动策略以及动态选择策略，增强算法的全局搜索能力，避免其陷入局部最优，并有效提高了收敛速度；最后通过一定次数的迭代优化，得到最优解。为验证本方法的性能，本文进行了三组仿真实验，结果表明与其他优化算法相比，本方法能够在更少的优化时间内，得到更低的阵列天线峰值旁瓣电平，从而提高天线的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119786915A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411653916.7
申请日：2024-11-19
Applicant: 北京邮电大学 , 辽宁工业大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹波段高电容比的金属并联式RF MEMS开关，属于射频前端器件领域。整体结构由支流端口金属块，直流偏置线，微带线匹配结构，金属梁MEMS开关，金属梁的金属电极，氮化硅绝缘层，硅基衬底，共面波导金属地和金属地组成。金属梁的金属锚点连接到共面波导金属地，右上侧的直流端口通过直流偏置线连接到共面波导金属地，左上侧的直流端口通过直流偏置线连接到金属电极，可以通过在左侧的直流端口输入不同直流电压来控制金属梁的抬起与吸附到电极的状态，分别对应开关的导通与断开状态；本发明设计的并联MEMS开关工作与103.33G‑170G之间，保证断开状态隔离度高于33.67dB；导通状态插入损耗低于0.8dB。微秒量级的反应时间，且不易发生破坏性形变；结构简单。
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公开(公告)号：CN119674507A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411626091.X
申请日：2024-11-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 北京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种毫米波极化和方向图可重构天线，属于射频前端器件领域。其由对称的矩形辐射贴片，位于辐射贴片上的半圆缺陷、四分之一圆缺陷、矩形枝节加载，正交双向馈电网络，T型功分馈电网络，复合梁欧姆接触式MEMS开关，直流偏置线，测试贴片焊盘，共面波导，渐变匹配结构，介质基板，金属地背板组成。当T型功分馈电网络上的单侧MEMS开关导通时，能量流向该侧的辐射单元，可实现向左或向右的波束倾斜效果。当两侧的MEMS均导通时，辐射方向图指向Z正轴，无波束偏转，据此可实现左中右三个方向的方向图可重构功能。当正交双向馈电网络上的开关闭合时，长线的尺寸可实现90°的相位延迟，两个正交的简并模合成圆极化波，覆盖完整半功率波束宽度。
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公开(公告)号：CN119651142A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411626063.8
申请日：2024-11-14
Applicant: 北京邮电大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于RF MEMS开关控制的单极子方向图可重构天线，属于射频前端器件领域。由单极子辐射单元，位于其左右两侧的寄生单元，复合梁欧姆接触式MEMS开关，直流偏置线，测试贴片焊盘，共面波导，渐变微带线，介质基板，金属地背板组成。当寄生单元上的MEMS开关导通时，寄生单元长度略小于单极子辐射单元，寄生单元起到引向器作用。当MEMS开关关断时，一级引向单元由断口处一分为二，其长度远小于单极子辐射单元，且终端开路产生回流，削减抵消二级引向单元的效果。当一侧开关下拉时，方向图向闭合开关一侧发生波束偏转，可调偏转角度可达41°，增益可达6.14dB，波束宽度约90°，当两侧开关均断开时，波束偏转为0°，方向图指向正Z轴，增益为5.15dB。
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公开(公告)号：CN118763393A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410833051.6
申请日：2024-06-26
Applicant: 北京邮电大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 电子科技大学(深圳)高等研究院
Abstract: 本发明公开了一种D波段宽波束磁电偶极子天线，属于射频前端器件领域。该宽波束磁电偶极子天线由四个中心对称的电偶极子贴片、四组磁偶极子金属化通孔、梯形耦合馈电结构、微带线耦合馈电结构、介质基板、金属地、微带侧馈匹配端口和共面波导‑微带转换匹配端口组成。当通过任意一种方式进行馈电时，同时激励起电偶极子和磁偶极子的电磁辐射，调整其相对位置使二者辐射方向图得以合成，该天线单元具有宽波束高增益的特征。天线采用单层板设计，无复杂馈电网络，结构简单、制造方便，采用金属化通孔等效磁偶极子单元，降低剖面，平面微带结构可以实现快速印刷制造。
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公开(公告)号：CN118017220A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410320344.4
申请日：2024-03-20
Applicant: 北京邮电大学 , 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 喀什地区电子信息产业技术研究院
Abstract: 本发明公开了基于单刀四掷开关控制的MEMS开关线型移相器，属于射频前端器件领域。该基于单刀四掷开关控制的MEMS开关线型移相器由粗调、细调移相单元组成。移相单元由两个单刀四掷开关、相位延时线、输入输出端口组成。当某条相位延时线前后端两个单刀四掷开关的对应触点均接触闭合，且其余触点断开时，该移相单元由单刀四掷开关选通此条相位延时线，信号通过该线产生相位延时。利用MEMS技术设计的线性移相器在太赫兹频段具有插入损耗较小的特征，该移相器在中心频率处S11参数在‑10dB以下，S21参数在‑1.6dB附近波动；结构简单、制造方便，相对于传统半导体开关移相器，设计结构简单，稳定可靠，且可以采用玻璃基工艺制造。
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