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公开(公告)号：CN117118408A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311092461.1
申请日：2023-08-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本申请提供一种抗总剂量加固的比较器输入电路，包括：第一PMOS晶体管，其栅极作为输入端，所述第一PMOS晶体管的源极接外部电源；第二PMOS晶体管，其栅极接参考电压，所述第二PMOS晶体管的源极接外部电源；第一NMOS晶体管，其漏极与栅极短接，并与所述第一PMOS晶体管的漏极连接，所述第二PMOS晶体管的源极接地；第二NMOS晶体管，其栅极与所述第一NMOS晶体管的栅极连接，所述第一NMOS晶体管的源极接地；所述第一NMOS晶体管的漏极与所述第二PMOS晶体管的漏极连接作为输出端；分压支路，对所述外部电源的电压进行分压，以提供所述参考电压，其中PMOS晶体管的栅氧厚度大于NMOS晶体管的栅氧厚度。本申请可有效提高电路抗总剂量效应的能力。
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公开(公告)号：CN118117978A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410300288.8
申请日：2024-03-15
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本发明提供了一种恒定跨导轨对轨运算放大器，结合恒定跨导输入模块、中间模块及输出模块设计恒定跨导轨对轨运算放大器，在实现信号放大、轨对轨输入和轨对轨输出的基础上，通过恒定跨导输入模块实现差分输入信号的共模电平检测，将共模电平转换成电流信号，得到总电流之和保持不变的第一电流和第二电流，再将第一电流和第二电流分别等比例复制放大后作为互补差分输入单元的两个尾电流源，由于第一电流与第二电流之和保持不变，这使得互补差分输入单元的两个尾电流源之和也跟着保持不变，而互补差分输入单元的输入跨导与对应两个尾电流源之和呈线性关系，进而使得互补差分输入单元的输入跨导保持不变。
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公开(公告)号：CN117118449A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311089887.1
申请日：2023-08-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H03M3/00
Abstract: 本申请提供一种Sigma‑Delta调制器自适应非减法加抖电路及方法，电路包括：随机模块，产生随机信号；检测模块，接输入信号，对所述输入信号进行幅值检测，得到检测信号；控制模块，与随机模块及检测模块分别连接，对随机信号、检测信号、第一时钟信号及第二时钟信号进行逻辑运算，得到控制信号；注入模块，与控制模块及Sigma‑Delta调制器分别连接，在第一时钟信号及控制信号的控制下，通过参考信号为Sigma‑Delta调制器中量化器的输入端注入随机抖动信号。本申请通过输入信号自适应的产生控制信号，并将随机抖动信号输入调制器中量化器的输入端，经过噪声传递函数整形后，降低随机噪音对信噪比的影响，不仅保证调制器电路稳定，还提升了电路系统的无杂散动态范围。
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公开(公告)号：CN118866047A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410852282.1
申请日：2024-06-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: G11C11/413
Abstract: 本发明属于集成电路领域，具体涉及一种适用于SRAM读数据控制的内联锁反馈电路，包括：一个反相器和一个三输入与非门，其中三输入与非门的输入分别为列选择电路使能信号PRM经过反相器的输出和灵敏放大器的两个放大节点SL和SR；三输入与非门的输出RM连接列选择控制电路中PMOS管的栅极。本发明的一种适用于SRAM读数据控制的内联锁反馈电路在读数据过程中，当正确读出数据后，通过内联锁反馈电路反馈给列多路选择电路，关闭位线和放大器的通路，减少位线放电时间，从而减少功耗。
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公开(公告)号：CN117978176A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410026261.4
申请日：2024-01-08
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H03M3/00
Abstract: 本申请涉及数字集成电路设计技术领域，提供了一种应用于Sigma‑Delta转换器的数字抖动信号生成电路及方法，电路包括：数字滤波模块，用于接收目标Sigma‑Delta转换器的调制模块的输出比特流并输出数字滤波信号；判断模块，用于将数字滤波信号和预设信号区间进行判断并根据判断结果输出判断信号；伪随机码生成模块，用于在判断信号满足预设触发条件时生成伪随机码；逻辑运算模块，用于根据判断信号和伪随机码进行逻辑与运算以生成目标数字抖动信号。通过本申请，精确控制信号群延时等信息，伪随机码生成模块在判断信号满足预设触发条件时生成伪随机码，进而生成目标数字抖动信号，可以避免抖动信号持续注入调制模块环路，降低数字抖动信号生成时的功耗，提高能量效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116954299A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202311065336.1
申请日：2023-08-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: G05F1/567
Abstract: 本申请提供一种带控制端的低温漂电压基准电路，包括：开启模块，用于辅助电路的开启，并在所述电路达到平衡态时停止作用；偏置模块，用于提供自偏置电流以及偏置电压；带隙核模块，用于基于所述偏置电压产生基准电压，并基于所述基准电压产生与绝对温度正相关的温度系数控制电压；曲率补偿模块，用于基于电流镜的方式对所述自偏置电流进行拷贝，以根据所述自偏置电流和所述温度系数控制电压生成补偿电流，并通过控制端控制所述补偿电流接入所述带隙核模块对所述基准电压进行温漂补偿。本申请的电路可做成通用模块，集成于对基准温度系数要求不同的AD/DA转换器中。
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公开(公告)号：CN115237195B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202211074702.5
申请日：2022-08-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明提供了一种电压基准源，所述电压基准源包括：启动电路；曲率校正电路；运算放大器；负反馈电路；比例电阻输出电路；其中，曲率校正电路通过内部不同正温度系数电阻的差异化设计抵消掉内部目标三极管饱和压降的负温度系数，在目标三极管的基极处得到零温度系数的参考电压。在本发明中，电压基准源的曲率校正电路，通过内部不同正温度系数电阻的差异化设计抵消掉内部目标三极管饱和压降的负温度系数，在目标三极管的基极处得到零温度系数的参考电压，仅利用多个电阻之间温度系数的差异即可对参考电压或者基准电压的一阶温度曲率和高阶温度曲率进行校正，原理简单，整体电路结构简单，在对外输出低温漂的基准电压的同时，成本低且功耗低。
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公开(公告)号：CN118118006A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410281333.X
申请日：2024-03-12
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
IPC: H03K19/094 , H03K19/20 , H03K19/00
Abstract: 本发明提供了一种电平移位电路及半桥驱动芯片，结合电平移位模块、RS锁存模块及抗共模干扰模块设计电平移位电路，在通过电平移位模块及RS锁存模块实现电平移位的基础上，通过抗共模干扰模块对电平移位模块输出的第一电压信号与第二电压信号进行互锁处理后再向后传输给RS锁存模块，增强了抗共模干扰能力，并通过两级反馈产生的瞬态增强电流加快第一电压信号及第二电压信号的传输速度，进一步增强了抗共模干扰能力，对应的第一脉冲信号和第二脉冲信号可适当选用窄脉冲信号，降低了功耗；将其应用在半桥驱动芯片的低电平到高电平移位切换时，提高了对应半桥驱动芯片的工作效率与可靠性。
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公开(公告)号：CN117579037A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311523434.5
申请日：2023-11-14
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本发明公开了一种FIR滤波器，包括：数据延时电路，对比特流进行延时处理，得到多组延时数据；数据预处理电路，对多组延时数据进行拼接得到多个拼接结果，并基于多个拼加结果得到第一累加结果；数据运算电路，将第一累加结果与滤波器系数相乘，得到相乘结果，并基于相乘结果生成第二累加结果；将多个第二累加结果进行累加得到第三累加结果，以及通过降采样对第三累加结果进行滤波处理得到滤波结果，其中，滤波器系数通过系数生成电路生成；本发明通过将不同延时数据流进行拼接，并设计与之对应的滤波器系数生成器，提高滤波器工作速率，降低滤波器整体延时，同时降低滤波器设计难度；本发明采用数据拼接的方式，提高数字滤波器中运算数据率。
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公开(公告)号：CN117335367A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311270883.3
申请日：2023-09-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所
Abstract: 本发明公开了一种GaN驱动芯片的双判决欠压保护电路，包括：带隙基准模块，用于生成低温漂参考电压；判决电压模块，用于输出第一参考电压和第二参考电压，将所述第一参考电压、所述第二参考电压分别与所述低温漂参考电压进行比较生成比较结果，并根据比较结果确定欠压保护电路的状态；逻辑控制模块，当所述欠压保护电路的状态为解除欠压保护状态时，用于根据时钟信号与判决电压模块的输出信号生成驱动信号，所述驱动信号用于驱动开关电路中的GaN晶体管。本发明采用双重比较参考电路，对输出结果进行二次逻辑判决，两次均通过判决，电压输出至GaN栅端，提高比较器比较结果精度。
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