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公开(公告)号：CN118150605A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410306954.9
申请日：2024-03-18
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
IPC: G01N23/04
Abstract: 本发明公开了一种高空间分辨准单色X射线成像系统，包括宽谱光源，以及以宽谱光源为起点建立的第一成像通道和第二成像通道，第一成像通道沿光路方向依次排布有第一滤片、第一菲涅耳波带片和第一记录设备，第二成像通道光路方向依次排布有第二滤片、第二菲涅耳波带片和第二记录设备，第一滤片和第二滤片在目标成像能点附近仅在两吸收边之间有着透过率的差异，两者构成罗斯滤片对；第一记录设备和第二记录设备连接有差分处理模块，用于差分处理两个通道记录的图像。本发明的有益效果是：对于宽谱X射线源能够提高其单色性，进一步提高其空间分辨。
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公开(公告)号：CN106298577A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610906199.3
申请日：2016-10-18
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Inventor： 沈昌乐 , 蒋涛 , 王雪敏 , 吴卫东 , 黎维华 , 李佳 , 杨奇 , 湛治强 , 彭丽萍 , 王新明 , 樊龙 , 邓青华 , 赵妍 , 张颖娟 , 阎大伟 , 肖婷婷 , 孙亮
Abstract: 一种单晶薄膜沉积速率在线测定的方法及应用，属于薄膜材料领域。该方法在缓冲层生长完成后，用主挡板隔绝III族元素束源炉和衬底，既给了缓冲层充分的稳定时间，又保持III族元素束源炉始终处于开启状态，维持其内外温度的稳定，从而有效避免了过冲效应带来的测定误差，以获得更高的测定精度。本发明还提供一种上述方法在单晶薄膜沉积工艺中的应用，其采用上述的单晶薄膜沉积速率在线测定的方法对薄膜生长速率进行精确测定，并以此为依据调整薄膜生长相关的仪器参数，让薄膜在最适生长速度下生长，从而优化薄膜产品质量。
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公开(公告)号：CN104597605A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201510039709.7
申请日：2015-01-27
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
IPC: G02B27/09
CPC classification number: G02B27/0955 , G02B27/0927
Abstract: 本发明涉及一种降低QCL太赫兹源衍射效应及发散角的光束整形方法，所述方法采用光束整形模块，所述模块由多片太赫兹透镜组成，或者由太赫兹透镜与离轴抛物镜混合组成，通过调节光束整形模块光路，获得小发散角近高斯分布光束。本发明的有益效果是，在有效降低QCL太赫兹源由于输出端孔阑限制带来的强衍射效应的同时，可以同步减小光束发散角，获得小发散角近高斯分布光束，这将大大推进QCL太赫兹源的应用研究进程。
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公开(公告)号：CN109280969A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201811352761.8
申请日：2018-11-14
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
CPC classification number: C30B29/16 , C30B23/00 , C30B23/002
Abstract: 本发明提供一种气相晶体生长方法及氧化锌晶体，涉及晶体制备技术领域。一种气相晶体生长方法，主要包括以下步骤：将悬挂有籽晶的封帽固定在装有原料的坩埚上。籽晶与所述封帽、坩埚壁均为间隔设置，籽晶位于坩埚壁限定形成的腔体内。由于籽晶不与坩埚壁直接接触，也不与封帽直接接触，使得生长在籽晶上的晶体也不会与坩埚和封帽直接接触，使晶体在生长过程中不容易出现应力集中和晶体开裂现象。本发明避免了籽晶、生长在籽晶上的晶体与容器壁直接接触，防止了生长和降温过程中的应力集中、粘连、开裂现象，防止了空洞、起泡等缺陷生成，提高了晶体的结晶质量。由上述气相晶体生长方法制得的氧化锌晶体具有更高的质量，能够满足更多应用要求。
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公开(公告)号：CN106367806A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201610879771.1
申请日：2016-10-09
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 一种降低GaAs材料杂质浓度的方法和GaAs材料的生长工艺，涉及激光器材料领域。降低GaAs材料杂质浓度的方法，其通过对As源进行除气处理降低As源中的杂质含量，除气处理包括以下步骤：在第一温度下进行第一除气步骤，第一温度为100-200℃；在第二温度下进行至少一次第二除气步骤，第二温度比As生长温度高12-23℃。此方法能够降低As源的杂质浓度，从而降低采用该As源制得的GaAs材料的杂质浓度。GaAs材料的生长工艺，其以Ga源和通过上述方法处理得到的As源为原料，采用固源分子束外延法进行生长。此工艺采用上述得到的低杂质浓度的As源，有利于生长出质量好的GaAs的晶体，从而提高激光器的质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106298460A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610906666.2
申请日：2016-10-18
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 本发明提供一种基于表面温度精确测定的GaAs衬底氧化膜脱附方法及其表面平整化方法，属于半导体材料技术领域。使GaAs衬底表面在As分子束保护下从约400℃匀速升温至620℃～640℃，期间红外测温仪所得温度曲线拐点对应温度为脱氧点585℃，据此调整红外测温仪的发射率，用于GaAs衬底氧化膜脱附的过程控制。此脱附方法能够有效提高GaAs衬底表面的温度的测量准确性，并且在脱附的过程中不会对GaAs衬底形成结构缺陷，在此脱附方法的基础上优化GaAs衬底的表面结构，并通过缓冲层生长使其表面达到原子级平整。
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公开(公告)号：CN106011775A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610503165.X
申请日：2016-06-29
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
CPC classification number: C23C16/483 , C23C16/01
Abstract: 本发明公开了一种超薄自支撑聚合物薄膜的制备方法，利用激光诱导化学气相沉积方式，实现聚合物薄膜单分子层生长，并通过脱膜技术获得超薄自支撑薄膜。该方法通过脉冲进气和气体流量、压力的精确控制，实现了聚合物单体的分子流方式进入真空腔体，当基片上涂覆一个单分子层的聚合物分子单体时，一束低能量密度的激光诱导聚合物单体发生聚合，实现聚合物单体分子层内的聚合生长。该方法通过在衬底上制备脱膜层和去除脱膜层的方法获得自支撑的聚合物薄膜，较好的解决了超薄的聚合物薄膜难以支撑的问题，采用该方法可获得厚度为10nm，支撑在3mm圆孔上的聚合物薄膜，且原料浪费少，成品率高，实用性强，是一种较好的获得超薄自支撑聚合物薄膜的方法。
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公开(公告)号：CN105004420A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201510434537.3
申请日：2015-07-23
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 本发明提供了一种太赫兹宽谱的生成方法。该方法通过在铁铬铝合金丝表面沉积上一层厚度为100nm的Al2O3氧化保护层，然后，将铁铬铝合金丝固定到表面镀Au的光锥后端，采用恒流电源施加1.5A-2.5A范围内的恒定电流，产生频率在100cm-1到1000cm-1范围的超宽光谱。所述的铁铬铝合金丝中的铬含量为5wt.%-30wt.%，铝含量为4-6wt.%，其余为铁；铁铬铝合金丝直径范围为0.5mm-1.0mm。该方法可为频谱仪器等设备提供小巧、轻便应用的太赫兹宽谱源。
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公开(公告)号：CN106011775B
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201610503165.X
申请日：2016-06-29
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 本发明公开了一种超薄自支撑聚合物薄膜的制备方法，利用激光诱导化学气相沉积方式，实现聚合物薄膜单分子层生长，并通过脱膜技术获得超薄自支撑薄膜。该方法通过脉冲进气和气体流量、压力的精确控制，实现了聚合物单体的分子流方式进入真空腔体，当基片上涂覆一个单分子层的聚合物分子单体时，一束低能量密度的激光诱导聚合物单体发生聚合，实现聚合物单体分子层内的聚合生长。该方法通过在衬底上制备脱膜层和去除脱膜层的方法获得自支撑的聚合物薄膜，较好的解决了超薄的聚合物薄膜难以支撑的问题，采用该方法可获得厚度为10nm，支撑在3mm圆孔上的聚合物薄膜，且原料浪费少，成品率高，实用性强，是一种较好的获得超薄自支撑聚合物薄膜的方法。
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公开(公告)号：CN116908906A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310905947.6
申请日：2023-07-24
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Inventor： 张玉雪 , 张志宇 , 张继彦 , 杨家敏 , 赵阳 , 青波 , 胡希瑶 , 孙奥 , 杨国洪 , 朱托 , 宋天明 , 黄成武 , 熊刚 , 吕敏 , 赵妍 , 李丽灵 , 张璐 , 李晋 , 韦敏习
Abstract: 本发明公开了一种X光时间分辨记录系统能谱响应标定方法，S1：利用脉冲激光轰击丝状靶端面，激光烧蚀产生X光光源；S2：以所述丝状靶轴线，在空间内轴对称布置不同类别的晶体谱仪，晶体谱仪至少包括静态晶体谱仪、条纹晶体谱仪和门控晶体谱仪，其中，所述静态晶体谱仪的记录介质响应特性已知或者已精确标定，所述条纹晶体谱仪和门控晶体谱仪为记录设备响应特性待标定的时间分辨晶体谱仪；S3：线下在同步辐射或实验室X光光源平台上对各个所述晶体谱仪使用的记录介质的能谱响应标定，获得标定曲线；S4，以各晶体谱仪测量光谱数据以及晶体、滤片、IP、胶片或CCD等组件的线下标定数据为已知量。
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