公开(公告)号：CN106011775A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610503165.X

申请日：2016-06-29

Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心

Inventor： 彭丽萍 ,  吴卫东 ,  王雪敏 ,  樊笼 ,  蒋涛 ,  王新明 ,  湛治强 ,  沈昌乐 ,  阎大伟 ,  赵妍 ,  黎维华 ,  邓青华

IPC: C23C16/01 ,  C23C16/48

CPC classification number: C23C16/483 ,  C23C16/01

Abstract: 本发明公开了一种超薄自支撑聚合物薄膜的制备方法，利用激光诱导化学气相沉积方式，实现聚合物薄膜单分子层生长，并通过脱膜技术获得超薄自支撑薄膜。该方法通过脉冲进气和气体流量、压力的精确控制，实现了聚合物单体的分子流方式进入真空腔体，当基片上涂覆一个单分子层的聚合物分子单体时，一束低能量密度的激光诱导聚合物单体发生聚合，实现聚合物单体分子层内的聚合生长。该方法通过在衬底上制备脱膜层和去除脱膜层的方法获得自支撑的聚合物薄膜，较好的解决了超薄的聚合物薄膜难以支撑的问题，采用该方法可获得厚度为10nm，支撑在3mm圆孔上的聚合物薄膜，且原料浪费少，成品率高，实用性强，是一种较好的获得超薄自支撑聚合物薄膜的方法。

公开(公告)号：CN106011775B

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201610503165.X

申请日：2016-06-29

Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心

Inventor： 彭丽萍 ,  吴卫东 ,  王雪敏 ,  樊笼 ,  蒋涛 ,  王新明 ,  湛治强 ,  沈昌乐 ,  阎大伟 ,  赵妍 ,  黎维华 ,  邓青华

IPC: C23C16/01 ,  C23C16/48

Abstract: 本发明公开了一种超薄自支撑聚合物薄膜的制备方法，利用激光诱导化学气相沉积方式，实现聚合物薄膜单分子层生长，并通过脱膜技术获得超薄自支撑薄膜。该方法通过脉冲进气和气体流量、压力的精确控制，实现了聚合物单体的分子流方式进入真空腔体，当基片上涂覆一个单分子层的聚合物分子单体时，一束低能量密度的激光诱导聚合物单体发生聚合，实现聚合物单体分子层内的聚合生长。该方法通过在衬底上制备脱膜层和去除脱膜层的方法获得自支撑的聚合物薄膜，较好的解决了超薄的聚合物薄膜难以支撑的问题，采用该方法可获得厚度为10nm，支撑在3mm圆孔上的聚合物薄膜，且原料浪费少，成品率高，实用性强，是一种较好的获得超薄自支撑聚合物薄膜的方法。