公开(公告)号：CN109280969A

公开(公告)日：2019-01-29

申请号：CN201811352761.8

申请日：2018-11-14

Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心

Inventor： 樊龙 ,  钟昌杰 ,  吴卫东 ,  彭丽萍 ,  赵妍 ,  王新明 ,  王进 ,  王雪敏 ,  陈姝帆

IPC: C30B29/16 ,  C30B23/00

CPC classification number: C30B29/16 ,  C30B23/00 ,  C30B23/002

Abstract: 本发明提供一种气相晶体生长方法及氧化锌晶体，涉及晶体制备技术领域。一种气相晶体生长方法，主要包括以下步骤：将悬挂有籽晶的封帽固定在装有原料的坩埚上。籽晶与所述封帽、坩埚壁均为间隔设置，籽晶位于坩埚壁限定形成的腔体内。由于籽晶不与坩埚壁直接接触，也不与封帽直接接触，使得生长在籽晶上的晶体也不会与坩埚和封帽直接接触，使晶体在生长过程中不容易出现应力集中和晶体开裂现象。本发明避免了籽晶、生长在籽晶上的晶体与容器壁直接接触，防止了生长和降温过程中的应力集中、粘连、开裂现象，防止了空洞、起泡等缺陷生成，提高了晶体的结晶质量。由上述气相晶体生长方法制得的氧化锌晶体具有更高的质量，能够满足更多应用要求。

公开(公告)号：CN109280969B

公开(公告)日：2020-10-13

申请号：CN201811352761.8

申请日：2018-11-14

Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心

Inventor： 樊龙 ,  钟昌杰 ,  吴卫东 ,  彭丽萍 ,  赵妍 ,  王新明 ,  王进 ,  王雪敏 ,  陈姝帆

IPC: C30B29/16 ,  C30B23/00

Abstract: 本发明提供一种气相晶体生长方法及氧化锌晶体，涉及晶体制备技术领域。一种气相晶体生长方法，主要包括以下步骤：将悬挂有籽晶的封帽固定在装有原料的坩埚上。籽晶与所述封帽、坩埚壁均为间隔设置，籽晶位于坩埚壁限定形成的腔体内。由于籽晶不与坩埚壁直接接触，也不与封帽直接接触，使得生长在籽晶上的晶体也不会与坩埚和封帽直接接触，使晶体在生长过程中不容易出现应力集中和晶体开裂现象。本发明避免了籽晶、生长在籽晶上的晶体与容器壁直接接触，防止了生长和降温过程中的应力集中、粘连、开裂现象，防止了空洞、起泡等缺陷生成，提高了晶体的结晶质量。由上述气相晶体生长方法制得的氧化锌晶体具有更高的质量，能够满足更多应用要求。