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公开(公告)号：CN113758565A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202010493231.6
申请日：2020-06-03
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 本发明涉及一种用于光谱传感系统中的连接部件及光谱仪。所述连接部件包括：阵列式布设在基底的上表面的多个纳米结构单元；每个纳米结构单元对应一个设定谐振波长值；每个纳米结构单元均由多个圆形环组成；多个圆形环为同心圆环；每个圆形环由多个相同纳米结构按圆周方向均匀排布而成，所有纳米结构单元的焦距均相等。本发明设置了多个纳米结构，通过根据不同波长的光设置每个纳米结构的相位，使每个纳米结构单元的焦距相等以实现不同波长的光聚焦在一个平面上，使面阵探测器能够准确的测量光强分布，以解决分光光学系统所产生的衍射串扰问题，实现光谱传感系统及光谱仪的高效集成化。
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公开(公告)号：CN113447121A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202010221962.5
申请日：2020-03-26
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
IPC: G01J3/28
Abstract: 本发明涉及一种超表面光谱传感系统及光谱仪。所述超表面光谱传感系统包括：面阵探测器和超表面分光系统，所述超表面分光系统包括多个超表面单元；多个所述超表面单元设置在所述面阵探测器的上表面；每个所述超表面单元均包括多个相同的超原子；所述超表面单元用于针对设定谐振波长值透过率和非设定谐振波长值透过率不同，起到分光的作用；一个所述超表面单元对应一个设定谐振波长值；所述面阵探测器用于探测所述超表面单元透过的光。本发明通过在面阵探测器上表面设置集成化的超表面分光系统，以缩小光谱传感系统的体积，进而减小光谱仪的体积，实现光谱仪的小型化。
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公开(公告)号：CN110927170A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911226014.4
申请日：2019-12-04
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
IPC: G01N21/88
Abstract: 本发明提供了一种缺陷确定方法、装置以及系统，通过先确定待测元件表面是否存在参考缺陷点，若存在，则对所确定的参考缺陷点进行预设激光辐照处理，将预设激光辐照处理过程中荧光信号强度的降低量低于第一预设值且散射光信号强度的降低量低于第二预设值的参考缺陷点确定为待测元件表面的目标缺陷点，目标缺陷点即为元件表面低损伤阈值缺陷，有效地实现了对元件表面低损伤阈值缺陷的定位，有利于去除元件表面低损伤阈值缺陷，提高元件的激光损伤性能。
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公开(公告)号：CN110849815A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201911213585.4
申请日：2019-12-02
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 本发明涉及一种预测光学元件表面激光损伤性能的方法和系统，通过选取标准光学元件；获取所述标准光学元件的吸收性缺陷分布特性，得到不同吸收水平的缺陷密度；获取损伤性能；损伤性能包括损伤阈值和损伤密度；采用Spearman相关性分析法，确定标准光学元件的不同吸收水平的缺陷密度中与损伤性能相关性最高的缺陷密度，得到各所述损伤性能对应的缺陷密度，并建立损伤性能与其对应的缺陷密度之间的关联曲线，作为标准曲线；获取待检测光学元件的缺陷密度，根据所述标准曲线，确定所述待检测光学元件的损伤性能。本发明提供的预测光学元件表面激光损伤性能的方法和系统，能够在不损坏光学元件的基础上，提高光学元件损伤性能的评估准确性。
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公开(公告)号：CN106367806B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201610879771.1
申请日：2016-10-09
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 一种降低GaAs材料杂质浓度的方法和GaAs材料的生长工艺，涉及激光器材料领域。降低GaAs材料杂质浓度的方法，其通过对As源进行除气处理降低As源中的杂质含量，除气处理包括以下步骤：在第一温度下进行第一除气步骤，第一温度为100‑200℃；在第二温度下进行至少一次第二除气步骤，第二温度比As生长温度高12‑23℃。此方法能够降低As源的杂质浓度，从而降低采用该As源制得的GaAs材料的杂质浓度。GaAs材料的生长工艺，其以Ga源和通过上述方法处理得到的As源为原料，采用固源分子束外延法进行生长。此工艺采用上述得到的低杂质浓度的As源，有利于生长出质量好的GaAs的晶体，从而提高激光器的质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108593604A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810541799.3
申请日：2018-05-30
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
IPC: G01N21/59
Abstract: 本发明提供的非线性性质测试系统和非线性性质测试方法，涉及光学性质测试技术领域。系统包括：用于输出泵浦光和探测光的激光输出单元；第一光处理单元，用于对泵浦光进行处理并输出至待测试样品；第二光处理单元，用于对探测光进行处理并得到第一探测光和第二探测光，第一探测光输出至待测试样品；能量探测单元，包括第一能量探测器和第二能量探测器，第一能量探测器获取从待测试样品透射出的第一探测光的第一能量值，第二能量探测器获取从第二光处理单元输出的第二探测光的第二能量值；计算处理单元，该计算处理单元根据第一能量值和第二能量值得到待测试样品的光学非线性性质。通过上述设置，可以实现泵浦光加载条件下的非线性测试。
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公开(公告)号：CN106112868B
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201610719372.9
申请日：2016-08-24
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
IPC: B25B11/00
Abstract: 本发明涉及一种用于夹持半导体器件的夹具，属于半导体光学电子技术领域，包括基座、支撑件、夹持件、拉杆、挡板及弹性件；支撑件固定设置于基座且设置有用于放置样品的工作端面，工作端面相对于基座的端面倾斜，工作端面设置有用于支撑样品的限位台；夹持件包括连接板和侧板，连接板与侧板连接，侧板与支撑件连接；连接板开设有第一定位孔，拉杆穿设于第一定位孔，拉杆的一端与挡板固定连接，弹性件套设于拉杆且抵接于连接板和挡板之间，挡板与支撑件之间形成用于夹持样品的夹持区。本实施例提供的夹具，结构简单，便于样品装夹，能够保证样品非高反膜生长面上不生长高反膜，样品合格率高。
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公开(公告)号：CN105887046A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610505715.1
申请日：2016-06-29
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
IPC: C23C16/455 , C23C16/44
CPC classification number: C23C16/45523 , C23C16/44
Abstract: 本发明公开了一种激光诱导CVD装置，包括真空腔体，抽气系统，真空计，气体输运系统以及激光器。真空腔体是化学反应发生的场所，气体输运系统把发生反应的物质输送到真空腔内，激光给化学反应的发生提供能源，抽气系统保证化学反应的真空环境，真空计测试腔体的真空度。其中的气体输运系统采用脉冲进气和特殊的管道口设计，特殊的管道口设计保证了气体以一定流量均匀的进入真空腔体，配合优化的气体流量和真空度可实现气体以分子流的方式进入真空腔体，脉冲进气可进一步的实现气体的精确控制。本发明通过脉冲进气和特殊管道口的设计，在激光的作用下可实现聚合物的单分子层化学气相沉积。
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公开(公告)号：CN115839920A
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202211509369.6
申请日：2022-11-29
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
IPC: G01N21/25 , G01N21/88 , G01N21/954
Abstract: 本发明公开了一种光谱内窥式检测方法及对应的检测装置，步骤一，基于带光源的内窥镜与受限空间中的目标进行靠近或接触，确保受限空间中目标的光学图像能够通过分光成像模块分别导出到相机、光谱传感器上；步骤二，基于内窥镜进行检测点的标定，以得到对应的标定点；步骤三，通过相机的成像观察受限空间中目标上是否有缺陷、腐蚀点；其中，在步骤三中，在观察中如确定目标上存在缺陷、腐蚀点，则通过移动内窥镜将标定点的位置对准缺陷、腐蚀点，获取相应的光谱信息。本发明提供一种光谱内窥式检测方法及对应的检测装置，通过光谱传感器获取视场标定点位置的光谱信息，通过目标图像及内窥镜移动，可实现对目标上感兴趣的位置点进行光谱分析。
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公开(公告)号：CN110927170B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN201911226014.4
申请日：2019-12-04
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
IPC: G01N21/88
Abstract: 本发明提供了一种缺陷确定方法、装置以及系统，通过先确定待测元件表面是否存在参考缺陷点，若存在，则对所确定的参考缺陷点进行预设激光辐照处理，将预设激光辐照处理过程中荧光信号强度的降低量低于第一预设值且散射光信号强度的降低量低于第二预设值的参考缺陷点确定为待测元件表面的目标缺陷点，目标缺陷点即为元件表面低损伤阈值缺陷，有效地实现了对元件表面低损伤阈值缺陷的定位，有利于去除元件表面低损伤阈值缺陷，提高元件的激光损伤性能。
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