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公开(公告)号：CN112845372B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202011644590.3
申请日：2020-12-31
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 本申请提供一种光学元件疵病的抑制设备及方法，该光学元件疵病的抑制设备包括：吹扫装置、吸附装置、第一吸盘和洁净容器，吸附装置、吹扫装置与第一吸盘均安装在洁净容器中；吹扫装置的出风口对向光学元件的待吹扫面；第一吸盘设置于洁净容器的底座上，第一吸盘与吸附机构相对设置；吸附装置用于吸附光学元件的吸附面，并通过升降机构驱动吸附机构将光学元件调整至吹扫高度；吹扫装置用于吹扫光学元件的待吹扫面；吸附装置用于将吹扫后的光学元件放置于第一吸盘上进行吸附，通过第一吸盘完成对光学元件的真空吸附装夹。因此能够解决光学元件在真空吸附装夹过程中，存在容易产生表面疵病的技术问题。
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公开(公告)号：CN112251137A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202011101538.3
申请日：2020-10-14
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
IPC: C09D183/04 , C09D7/61 , C09D1/00
Abstract: 本申请涉及激光材料领域，具体而言，涉及一种晶体涂膜元件及其制备方法、晶体膜系。晶体涂膜元件包括：晶体基底；覆盖于所述晶体基底的匹配膜，所述匹配膜的材料为聚甲基硅氧烷与SiO2的混合物；以及覆盖于所述匹配膜的减反膜，所述减反膜的材料包括SiO2；聚甲基硅氧烷与SiO2混合后固化形成匹配膜，聚甲基硅氧烷成膜时附着在晶体表面，其有机链状柔性结构有助于抑制晶体热膨胀造成的膜裂效应；SiO2颗粒的引入可提高匹配膜的力学性能和热稳定性；使得到的匹配膜的热膨胀系数介于晶体基底与减反膜之间，形成物化性质较佳的匹配膜，改善减反膜易龟裂的问题。
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公开(公告)号：CN108595877B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN201810436044.7
申请日：2018-05-09
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
IPC: G06F30/23
Abstract: 本发明提供一种飞切加工KDP晶体过程中测量晶体切削区域温度的方法，包括以下步骤：1)获取KDP晶体材料的参数；2)为仿真软件设置切削速度、切削深度和进给量；3)使用有限元仿真软件仿真KDP晶体切削过程；4)调制变色材料；5)将变色材料涂在刀具上，进行温度标定；6)将涂有变色材料的刀具安装到机床上，设置与仿真软件相同的工艺参数，进行晶体切削；7)根据变色材料的变色情况与标定结果进行对比，即可得到切削区域的温度。本发明结合有限元仿真分析和变色材料的KDP晶体切削温度测量方法，根据刀具上变色材料的变色情况结合有限元仿真结果，可以直接得到刀具前刀面的温度，结合仿真，间接地得到切削区域中的温度分布。
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公开(公告)号：CN112251137B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202011101538.3
申请日：2020-10-14
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
IPC: G02B1/11
Abstract: 本申请涉及激光材料领域，具体而言，涉及一种晶体涂膜元件及其制备方法、晶体膜系。晶体涂膜元件包括：晶体基底；覆盖于所述晶体基底的匹配膜，所述匹配膜的材料为聚甲基硅氧烷与SiO2的混合物；以及覆盖于所述匹配膜的减反膜，所述减反膜的材料包括SiO2；聚甲基硅氧烷与SiO2混合后固化形成匹配膜，聚甲基硅氧烷成膜时附着在晶体表面，其有机链状柔性结构有助于抑制晶体热膨胀造成的膜裂效应；SiO2颗粒的引入可提高匹配膜的力学性能和热稳定性；使得到的匹配膜的热膨胀系数介于晶体基底与减反膜之间，形成物化性质较佳的匹配膜，改善减反膜易龟裂的问题。
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公开(公告)号：CN108638359A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810436046.6
申请日：2018-05-09
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 本发明提供一种可实现亚微米级进给量的飞切加工中切深进给的工艺方法。飞切加工中切深进给的工艺方法，改变飞切机床的工作气压，上浮板、下浮板在气压的作用下，弹性变形量增加，分别向上下两侧扩张，从而使固定在下浮板上的刀具也向下偏移，即实现一定量的进给。本发明无需额外的调节机构，利用下浮板在压力作用下受力变形的特点，提出了利用该受力变形实现切深进给量的调节方法，通过控制气压来实现亚微米级切深进给的调节，可用于超精密飞切机床的切深进给，也可用于其他领域，操作简单，易于实现。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119710605A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411757922.7
申请日：2024-12-03
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
IPC: C23C14/50 , C23C16/458
Abstract: 本发明提供了一种在真空系统中双面镀膜的翻转装置和镀膜方法，属于半导体晶圆镀膜技术领域。包括箱体、闸门、轨道组件以及夹持组件；箱体具有相互连通的镀膜腔体和翻转腔体，镀膜腔体用于安装镀膜器件；闸门安装于箱体以分隔镀膜腔体和翻转腔体；轨道组件安装于翻转腔体；夹持组件与轨道组件导向配合，以在镀膜腔体和翻转腔体之间往复移动，夹持组件用于夹取位于镀膜腔体中的样品，并将样品移动至翻转腔体中翻面。本发明通过设置样品在翻转腔体中翻面，镀膜腔体和翻转腔体连通，避免在镀膜过程中将样品取出翻面导致样品被污染的情况出现；并且，由于不需要在镀膜腔体中翻面，可适当缩小镀膜腔体的尺寸，从而提高对镀膜腔体的抽真空效率。
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公开(公告)号：CN108424537B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201810259453.4
申请日：2018-03-27
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 本发明提供了一种折射率可调的紫外固化薄膜及其制备方法，制备方法包括：将原硅酸乙酯、去离子水和有机溶剂混合，在8‑12℃反应12‑24h制得低聚物，接着在45‑55℃陈化48‑72h，通过低聚物自组装团簇制得SiO2多孔球；(2)将甲基丙烯酸硅烷、去离子水和有机溶剂混合，在110‑130℃反应6‑8h得低聚物，再加入光引发剂，制得可紫外固化溶胶；(3)将SiO2多孔球和可紫外固化溶胶混合，制备待固化薄膜；(4)将待固化薄膜在紫外线下辐照，制得折射率可调的紫外固化薄膜。本发明制得的薄膜具有较宽的折射率调控范围和高的抗激光损伤能力，能实现强激光装置的高能激光输出。
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公开(公告)号：CN111239860A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010118267.6
申请日：2020-02-26
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 本发明公开了用于高功率激光装置的三倍频增透膜及其制备方法和应用，制备方法包括以下步骤：将正硅酸乙酯、无水乙醇、水、碱性催化剂混合均匀，常温反应，再将该溶胶在40℃下回流；加入硅烷偶联剂，再加入酸性催化剂，在80-100℃下继续反应，然后加入引发剂，得到目标溶胶；将该溶胶涂覆于KDP晶体上，依次进行光辐照和烘烤后即得。采用本发明制备的三倍频增透膜，可大幅提升SiO2纳米颗粒间的结合力，有效增大膜层的机械强度和抗损伤能力，在高功率激光装置使用过程中增长膜层的使用寿命。
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公开(公告)号：CN111482333B
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202010422036.4
申请日：2020-05-18
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 本申请提供了提拉涂膜夹具、提拉涂膜设备及提拉涂膜方法，涉及化学膜制备技术领域。一种提拉涂膜夹具，包括主体、密封圈和两个压杆。主体具有凹槽和围设于凹槽四周的平台，平台用于放置待涂膜元件。密封圈围设于凹槽的四周且与平台密封连接。两个压杆能够分别与凹槽两侧的平台可拆卸连接，以将放置于平台上的待涂膜元件紧贴与密封圈。该提拉涂膜夹具对元件采用两侧夹持，不在元件顶部和底部有任何高出元件表面的夹持，避免影响元件表面膜层的均匀性。采用凹槽和密封圈的配合，实现大口径高径厚比元件的单面密封，能够实现对大口径高径厚比元件的两个不同表面制备不同的化学膜。
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公开(公告)号：CN111482333A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010422036.4
申请日：2020-05-18
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 本申请提供了提拉涂膜夹具、提拉涂膜设备及提拉涂膜方法，涉及化学膜制备技术领域。一种提拉涂膜夹具，包括主体、密封圈和两个压杆。主体具有凹槽和围设于凹槽四周的平台，平台用于放置待涂膜元件。密封圈围设于凹槽的四周且与平台密封连接。两个压杆能够分别与凹槽两侧的平台可拆卸连接，以将放置于平台上的待涂膜元件紧贴与密封圈。该提拉涂膜夹具对元件采用两侧夹持，不在元件顶部和底部有任何高出元件表面的夹持，避免影响元件表面膜层的均匀性。采用凹槽和密封圈的配合，实现大口径高径厚比元件的单面密封，能够实现对大口径高径厚比元件的两个不同表面制备不同的化学膜。
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