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公开(公告)号：CN110308501B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN201910671089.7
申请日：2019-07-24
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
IPC: G02B1/04 , G02B1/10 , C09D183/06 , C09D183/07
Abstract: 本发明公开了一种强激光薄膜及其制备方法、应用，属于强激光材料技术领域。本发明基于紫外固化的硅酮薄膜，通过控制紫外光引发剂的含量，在实现薄膜固化的同时对处于紫外波段的三倍频激光进行吸收，该薄膜可在基频与倍频处实现高透射，并且能降低三倍频处的透射率。本发明提供的薄膜在基频与倍频波长处具有高的透射率，两者可以同时高于99％。本发明提供的薄膜具有高的三倍频吸收截止能力，其透射率低于90％。
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公开(公告)号：CN110408070B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201910703934.4
申请日：2019-07-31
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
IPC: C08G77/06
Abstract: 本发明公开了一种高阈值耐刮擦高透射率的基频激光薄膜及其制备方法。其制备方法为：(1)将甲基三甲氧基硅烷、水和乙醇混合，于100～150℃反应15～24h，得溶胶A；(2)将硅氧烷、氨水和乙醇混合，于80～120℃反应20～30h后，冷却至室温，并陈化3～5天，得溶胶B；(3)向溶胶A中加入为其质量百分比10～30％的溶胶B，混合均匀后，以1～2mm/min的速度提拉涂膜，得待固化薄膜；(4)于300～500℃烘烤步骤(3)制得的待固化薄膜20～30h即可。本发明制备得到的激光薄膜具有优异的耐刮擦性能与超高的基频透射率，并具有较高的基频损伤阈值。
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公开(公告)号：CN110734561B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN201911031022.3
申请日：2019-10-28
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 本发明公开了一种强激光装置倍频元件匹配薄膜及其制备方法，属于光学材料技术领域。其包括以下步骤：将经提纯后的甲基三乙氧基硅烷与去离子水混合，在加热下搅拌反应并蒸出液体，对蒸出的液体实时监测其粘度，当粘度达到预期设定值后，将制得硅酮预聚体与有机溶剂混合稀释，制得涂膜溶胶；将涂膜溶胶涂覆在基底上，制得待固化薄膜；将待固化薄膜进行热处理，制得匹配薄膜。本发明的硅酮预聚体制备中，在无有机溶剂和催化剂的情况下，甲基三乙氧基硅烷和去离子水发生缩合，通过实时监测其粘度来准确掌握其合成进度，由于并未使用有机溶剂，可避免因有机溶剂挥发对环境造成的污染，是一种绿色、环保、安全且对环境友好的强激光薄膜制备方法。
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公开(公告)号：CN111239860A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010118267.6
申请日：2020-02-26
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 本发明公开了用于高功率激光装置的三倍频增透膜及其制备方法和应用，制备方法包括以下步骤：将正硅酸乙酯、无水乙醇、水、碱性催化剂混合均匀，常温反应，再将该溶胶在40℃下回流；加入硅烷偶联剂，再加入酸性催化剂，在80-100℃下继续反应，然后加入引发剂，得到目标溶胶；将该溶胶涂覆于KDP晶体上，依次进行光辐照和烘烤后即得。采用本发明制备的三倍频增透膜，可大幅提升SiO2纳米颗粒间的结合力，有效增大膜层的机械强度和抗损伤能力，在高功率激光装置使用过程中增长膜层的使用寿命。
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公开(公告)号：CN110734561A
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201911031022.3
申请日：2019-10-28
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 本发明公开了一种强激光装置倍频元件匹配薄膜及其制备方法，属于光学材料技术领域。其包括以下步骤：将经提纯后的甲基三乙氧基硅烷与去离子水混合，在加热下搅拌反应并蒸出液体，对蒸出的液体实时监测其粘度，当粘度达到预期设定值后，将制得硅酮预聚体与有机溶剂混合稀释，制得涂膜溶胶；将涂膜溶胶涂覆在基底上，制得待固化薄膜；将待固化薄膜进行热处理，制得匹配薄膜。本发明的硅酮预聚体制备中，在无有机溶剂和催化剂的情况下，甲基三乙氧基硅烷和去离子水发生缩合，通过实时监测其粘度来准确掌握其合成进度，由于并未使用有机溶剂，可避免因有机溶剂挥发对环境造成的污染，是一种绿色、环保、安全且对环境友好的强激光薄膜制备方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112251137B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202011101538.3
申请日：2020-10-14
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
IPC: G02B1/11
Abstract: 本申请涉及激光材料领域，具体而言，涉及一种晶体涂膜元件及其制备方法、晶体膜系。晶体涂膜元件包括：晶体基底；覆盖于所述晶体基底的匹配膜，所述匹配膜的材料为聚甲基硅氧烷与SiO2的混合物；以及覆盖于所述匹配膜的减反膜，所述减反膜的材料包括SiO2；聚甲基硅氧烷与SiO2混合后固化形成匹配膜，聚甲基硅氧烷成膜时附着在晶体表面，其有机链状柔性结构有助于抑制晶体热膨胀造成的膜裂效应；SiO2颗粒的引入可提高匹配膜的力学性能和热稳定性；使得到的匹配膜的热膨胀系数介于晶体基底与减反膜之间，形成物化性质较佳的匹配膜，改善减反膜易龟裂的问题。
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公开(公告)号：CN111482333B
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202010422036.4
申请日：2020-05-18
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 本申请提供了提拉涂膜夹具、提拉涂膜设备及提拉涂膜方法，涉及化学膜制备技术领域。一种提拉涂膜夹具，包括主体、密封圈和两个压杆。主体具有凹槽和围设于凹槽四周的平台，平台用于放置待涂膜元件。密封圈围设于凹槽的四周且与平台密封连接。两个压杆能够分别与凹槽两侧的平台可拆卸连接，以将放置于平台上的待涂膜元件紧贴与密封圈。该提拉涂膜夹具对元件采用两侧夹持，不在元件顶部和底部有任何高出元件表面的夹持，避免影响元件表面膜层的均匀性。采用凹槽和密封圈的配合，实现大口径高径厚比元件的单面密封，能够实现对大口径高径厚比元件的两个不同表面制备不同的化学膜。
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公开(公告)号：CN110698673B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201911031025.7
申请日：2019-10-28
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 本发明公开了一种高机械强度强激光装置倍频元件匹配薄膜及其制备方法，属于光学材料技术领域。其包括以下步骤：将甲基三乙氧基硅烷、原硅酸乙酯、去离子水和有机溶剂混合，在加热下搅拌反应，制得低聚物溶胶；将低聚物溶胶与有机溶剂混合，制得涂膜溶胶；将涂膜溶胶涂覆在基底上，制得待固化薄膜；对待固化薄膜进行热处理，制得匹配薄膜。本发明制得的匹配薄膜其固化强高度更高、机械力学性能更优。
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公开(公告)号：CN111482333A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010422036.4
申请日：2020-05-18
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 本申请提供了提拉涂膜夹具、提拉涂膜设备及提拉涂膜方法，涉及化学膜制备技术领域。一种提拉涂膜夹具，包括主体、密封圈和两个压杆。主体具有凹槽和围设于凹槽四周的平台，平台用于放置待涂膜元件。密封圈围设于凹槽的四周且与平台密封连接。两个压杆能够分别与凹槽两侧的平台可拆卸连接，以将放置于平台上的待涂膜元件紧贴与密封圈。该提拉涂膜夹具对元件采用两侧夹持，不在元件顶部和底部有任何高出元件表面的夹持，避免影响元件表面膜层的均匀性。采用凹槽和密封圈的配合，实现大口径高径厚比元件的单面密封，能够实现对大口径高径厚比元件的两个不同表面制备不同的化学膜。
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公开(公告)号：CN112251137A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202011101538.3
申请日：2020-10-14
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
IPC: C09D183/04 , C09D7/61 , C09D1/00
Abstract: 本申请涉及激光材料领域，具体而言，涉及一种晶体涂膜元件及其制备方法、晶体膜系。晶体涂膜元件包括：晶体基底；覆盖于所述晶体基底的匹配膜，所述匹配膜的材料为聚甲基硅氧烷与SiO2的混合物；以及覆盖于所述匹配膜的减反膜，所述减反膜的材料包括SiO2；聚甲基硅氧烷与SiO2混合后固化形成匹配膜，聚甲基硅氧烷成膜时附着在晶体表面，其有机链状柔性结构有助于抑制晶体热膨胀造成的膜裂效应；SiO2颗粒的引入可提高匹配膜的力学性能和热稳定性；使得到的匹配膜的热膨胀系数介于晶体基底与减反膜之间，形成物化性质较佳的匹配膜，改善减反膜易龟裂的问题。
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