-
公开(公告)号：CN109401173B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201811307162.4
申请日：2018-11-05
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 本发明公开了一种高性能真空增透膜及其制备方法，属于光学材料技术领域。本发明将原硅酸四乙酯与改性剂全氟三甘醇二甲醚反应得到第一溶胶，将聚甲基丙烯酸正丁酯嵌段聚合物溶解后加入至所述第一溶胶中反应得到第二溶胶，用所述第二溶胶成膜，制得所述真空增透膜。本发明的真空增透膜具有较低的表面自由能，不易吸附水汽等污染物，在紫外激光(351nm左右)波段具有高的透射率(>99％)，可实现强激光装置中三倍频激光的高能输出，并且在真空环境中放置数天后透射率基本保持不变。
-
公开(公告)号：CN108424537B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201810259453.4
申请日：2018-03-27
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 本发明提供了一种折射率可调的紫外固化薄膜及其制备方法，制备方法包括：将原硅酸乙酯、去离子水和有机溶剂混合，在8‑12℃反应12‑24h制得低聚物，接着在45‑55℃陈化48‑72h，通过低聚物自组装团簇制得SiO2多孔球；(2)将甲基丙烯酸硅烷、去离子水和有机溶剂混合，在110‑130℃反应6‑8h得低聚物，再加入光引发剂，制得可紫外固化溶胶；(3)将SiO2多孔球和可紫外固化溶胶混合，制备待固化薄膜；(4)将待固化薄膜在紫外线下辐照，制得折射率可调的紫外固化薄膜。本发明制得的薄膜具有较宽的折射率调控范围和高的抗激光损伤能力，能实现强激光装置的高能激光输出。
-
公开(公告)号：CN109401173A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811307162.4
申请日：2018-11-05
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 本发明公开了一种高性能真空增透膜及其制备方法，属于光学材料技术领域。本发明将原硅酸四乙酯与改性剂全氟三甘醇二甲醚反应得到第一溶胶，将聚甲基丙烯酸正丁酯嵌段聚合物溶解后加入至所述第一溶胶中反应得到第二溶胶，用所述第二溶胶成膜，制得所述真空增透膜。本发明的真空增透膜具有较低的表面自由能，不易吸附水汽等污染物，在紫外激光(351nm左右)波段具有高的透射率(>99％)，可实现强激光装置中三倍频激光的高能输出，并且在真空环境中放置数天后透射率基本保持不变。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109164514A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201811307553.6
申请日：2018-11-05
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 本发明公开了一种抗污染真空减反膜及其制备方法，属于光学材料技术领域。本发明通过在溶胶合成完成后加入改性剂2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7-全氟-1,8-辛二醇，对生成的二氧化硅表面进行氟化改性，改性剂为全氟取代的二醇，同时采用六氟-2-甲基异丙基丙烯酸酯聚合物作为填充剂，从而在真空装置中也能保证该增透膜具有很高的性能。本发明制备的真空减反膜其表面自由能低，油脂或者水汽不易吸附于表面，在351nm的紫外波段具有>99％的高透射率，可实现强激光装置中三倍频激光的高能输出，在含有有机污染源的真空环境中放置数天后透射率基本保持不变。
-
公开(公告)号：CN108424537A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201810259453.4
申请日：2018-03-27
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 本发明提供了一种折射率可调的紫外固化薄膜及其制备方法，制备方法包括：将原硅酸乙酯、去离子水和有机溶剂混合，在8-12℃反应12-24h制得低聚物，接着在45-55℃陈化48-72h，通过低聚物自组装团簇制得SiO2多孔球；(2)将甲基丙烯酸硅烷、去离子水和有机溶剂混合，在110-130℃反应6-8h得低聚物，再加入光引发剂，制得可紫外固化溶胶；(3)将SiO2多孔球和可紫外固化溶胶混合，制备待固化薄膜；(4)将待固化薄膜在紫外线下辐照，制得折射率可调的紫外固化薄膜。本发明制得的薄膜具有较宽的折射率调控范围和高的抗激光损伤能力，能实现强激光装置的高能激光输出。
-
公开(公告)号：CN108499966B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201810258804.X
申请日：2018-03-27
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 本发明提供了一种KDP晶体的清洗方法，包括以下步骤：惰性气体保护下，将KDP晶体浸入清洗液中静置1.5‑2.5h，然后依次采用频率为35‑45kHz、90‑110kHz和170‑190kHz的超声波对其进行清洗，清洗时间分别为0.5‑1.5h、0.5‑1.5h和0.5‑1.5h，清洗过程中超声功率为4‑6kW。采用本发明的清洗方法清洗KDP晶体表面，可有效去除KDP晶体表面的污染物，经过本发明清洗方法清洗后的KDP晶体表面光滑洁净，不会产生断裂性划痕。
-
公开(公告)号：CN109164514B
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201811307553.6
申请日：2018-11-05
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 本发明公开了一种抗污染真空减反膜及其制备方法，属于光学材料技术领域。本发明通过在溶胶合成完成后加入改性剂2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7‑全氟‑1,8‑辛二醇，对生成的二氧化硅表面进行氟化改性，改性剂为全氟取代的二醇，同时采用六氟‑2‑甲基异丙基丙烯酸酯聚合物作为填充剂，从而在真空装置中也能保证该增透膜具有很高的性能。本发明制备的真空减反膜其表面自由能低，油脂或者水汽不易吸附于表面，在351nm的紫外波段具有>99％的高透射率，可实现强激光装置中三倍频激光的高能输出，在含有有机污染源的真空环境中放置数天后透射率基本保持不变。
-
公开(公告)号：CN108499966A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810258804.X
申请日：2018-03-27
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心
Abstract: 本发明提供了一种KDP晶体的清洗方法，包括以下步骤：惰性气体保护下，将KDP晶体浸入清洗液中静置1.5-2.5h，然后依次采用频率为35-45kHz、90-110kHz和170-190kHz的超声波对其进行清洗，清洗时间分别为0.5-1.5h、0.5-1.5h和0.5-1.5h，清洗过程中超声功率为4-6kW。采用本发明的清洗方法清洗KDP晶体表面，可有效去除KDP晶体表面的污染物，经过本发明清洗方法清洗后的KDP晶体表面光滑洁净，不会产生断裂性划痕。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.028 seconds)
