镓提纯装置及方法
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110938755B

    公开(公告)日:2021-06-11

    申请号:CN201911141564.6

    申请日:2019-11-20

    Abstract: 本发明涉及一种镓提纯装置及方法,该装置包括冷却组件、籽晶组件、结晶槽组件,结晶槽组件位于籽晶组件的正下方并与籽晶组件固定连接,冷却组件包括冷却液储槽、冷却包套、连接冷却液储槽和冷却包套的冷却管;结晶槽组件包括输料管、结晶槽、放料管以及隔膜;结晶槽包括结晶槽上部、结晶槽下部,隔膜分隔于结晶槽上部、结晶槽下部之间,输料管、放料管均与结晶槽连通;结晶槽上部与水平方向形成的夹角θ;结晶槽下部与水平方向形成的夹角α;结晶槽上部的水平截面直径自上而下逐渐增大,结晶槽上部全部或者部分被冷却包套包覆。该镓提纯装置及方法能够提供一种温场,在这样的温场下进行结晶,可以实现镓结晶过程从熔融镓上表面逐渐向下进行。

    镓提纯装置及方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110938755A

    公开(公告)日:2020-03-31

    申请号:CN201911141564.6

    申请日:2019-11-20

    Abstract: 本发明涉及一种镓提纯装置及方法,该装置包括冷却组件、籽晶组件、结晶槽组件,结晶槽组件位于籽晶组件的正下方并与籽晶组件固定连接,冷却组件包括冷却液储槽、冷却包套、连接冷却液储槽和冷却包套的冷却管;结晶槽组件包括输料管、结晶槽、放料管以及隔膜;结晶槽包括结晶槽上部、结晶槽下部,隔膜分隔于结晶槽上部、结晶槽下部之间,输料管、放料管均与结晶槽连通;结晶槽上部与水平方向形成的夹角θ;结晶槽下部与水平方向形成的夹角α;结晶槽上部的水平截面直径自上而下逐渐增大,结晶槽上部全部或者部分被冷却包套包覆。该镓提纯装置及方法能够提供一种温场,在这样的温场下进行结晶,可以实现镓结晶过程从熔融镓上表面逐渐向下进行。

    一种高纯硫化锂的制备方法及装置

    公开(公告)号:CN105016310A

    公开(公告)日:2015-11-04

    申请号:CN201510469246.8

    申请日:2015-07-30

    Abstract: 本发明实施例公开了一种高纯硫化锂的制备方法及装置,反应温度低、生产周期短、使用的溶剂稳定性高、无毒害。本发明实施例方法包括:将氢氧化锂与N-甲基吡咯烷酮混合,得到混合液;将所述混合液在惰性气体保护下加热至130~140℃;向所述混合液中通入硫化氢气体,反应时间2~4小时,得到硫氢化锂浆液;将所述硫氢化锂脱去硫化氢,得到硫化锂浆液;除去多余硫化氢气体;除去所述硫化锂浆液中的杂质,干燥得到高纯硫化锂。本发明实施例装置包括:反应装置、搅拌装置、分水器、冷凝装置、第一防倒吸装置、第二防倒吸装置、真空装置、尾气吸收装置和缓冲装置。

    铜铟镓合金粉末制备装置及方法

    公开(公告)号:CN108500280A

    公开(公告)日:2018-09-07

    申请号:CN201810466403.3

    申请日:2018-05-16

    Abstract: 本发明涉及一种铜铟镓合金粉末制备装置及方法。采用本发明提出的铜铟镓合金粉末制备装置及方法所制备得到的铜铟镓粉的纯度较高,杂质总含量小于5ppm,元素组分均匀,粉末球形度较好,而且制备工程中不会产生污染和浪费,粒度和形貌不合格粉体会回收再熔炼制粉,且最终制备的高纯合金粉末元素组分含量到达设计要求、元素分布均匀。

    一种用于高纯砷生产的氢化还原装置和高纯砷制备方法

    公开(公告)号:CN104975191B

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:CN201510425035.4

    申请日:2015-07-17

    Abstract: 本申请属于高纯砷领域,尤其涉及一种用于高纯砷生产的氢化还原装置和高纯砷制备方法。本申请提供的用于高纯砷生产的氢化还原装置包括:氢化还原管,所述氢化还原管的进料端设置有进料管;所述氢化还原管内部沿其气流前进方向依次为反应段和沉积段;所述反应段的出气端设置有具有孔的隔板;所述反应段设置有开口朝向氢化还原管进料端的回流管,所述回流管固定在所述隔板上;所述进料管的出料端探入到所述回流管内;所述沉积段的出气端位于氢化还原管的出气端。本申请在氢化还原管的反应段设置了回流管,延长了三氯化砷与氢气的接触时间,提高了产品的纯度和收率。

    一种碲锌镉多晶的制备方法

    公开(公告)号:CN106435738A

    公开(公告)日:2017-02-22

    申请号:CN201610836469.8

    申请日:2016-09-20

    CPC classification number: C30B29/48 C30B28/02

    Abstract: 本发明提供了一种碲锌镉多晶的制备方法,包括:A)将碲化镉粉体与碲化锌粉体混合均匀,得到混合粉体;B)在真空条件下,将所述混合粉体升温至600~750℃,保温,加压,得到第一烧结体;C)对所述第一烧结体进行一次降温,卸压,再进行二次降温,得到碲锌镉多晶。采用本发明的方法,在较低的温度下即可制备得到碲锌镉多晶,安全易控,节省能耗,有利于降低成本,且得到的碲锌镉多晶品质高、无偏析,采用本申请的方法有利于进行大批量生产。

    一种用于高纯砷生产的氢化还原装置和高纯砷制备方法

    公开(公告)号:CN104975191A

    公开(公告)日:2015-10-14

    申请号:CN201510425035.4

    申请日:2015-07-17

    Abstract: 本申请属于高纯砷领域,尤其涉及一种用于高纯砷生产的氢化还原装置和高纯砷制备方法。本申请提供的用于高纯砷生产的氢化还原装置包括:氢化还原管,所述氢化还原管的进料端设置有进料管;所述氢化还原管内部沿其气流前进方向依次为反应段和沉积段;所述反应段的出气端设置有具有孔的隔板;所述反应段设置有开口朝向氢化还原管进料端的回流管,所述回流管固定在所述隔板上;所述进料管的出料端探入到所述回流管内;所述沉积段的出气端位于氢化还原管的出气端。本申请在氢化还原管的反应段设置了回流管,延长了三氯化砷与氢气的接触时间,提高了产品的纯度和收率。

    镀膜装置以及石英舟表面镀覆系统

    公开(公告)号:CN110129766B

    公开(公告)日:2021-06-11

    申请号:CN201910501608.5

    申请日:2019-06-11

    Abstract: 本发明提供镀膜装置以及石英舟表面镀覆系统。镀膜装置包括喷头,喷头设有沿径向由外到内依次布置且彼此间隔开的第一通道、第二通道和第三通道,喷头具有第一端和第二端,第一端具有第一端面,第一端面设有沿径向由外到内依次布置且彼此间隔开的第一喷口、第二喷口和第三喷口,第一喷口呈封闭的连续的环形,第二喷口沿周向整圈分布,第一喷口与第一通道连通,第二喷口与第二通道连通,第三喷口与第三通道连通,第一通道用于连通于提供具有压力和速度的保护气体的保护气体源,第二通道用于连通于提供具有压力和速度的氧气的氧气源,第三通道用于连通于提供具有压力和速度的形成镀膜的组分的气体的组分源。由此能提高在石英舟上镀覆的镀膜的牢固性。

    一种超高纯度锑的制备方法和制备装置

    公开(公告)号:CN110106365A

    公开(公告)日:2019-08-09

    申请号:CN201910568460.7

    申请日:2019-06-27

    Abstract: 本发明提供了一种超高纯度锑的制备方法和制备装置,包括以下步骤:A)采用超高纯度锑的制备装置,将4N锑锭进行真空蒸馏,得到5N锑;B)将所述5N锑装入石墨舟内,石墨舟放入区域熔炼装置的石英管内;C)在氢气环境下,打开所述第一可移动感应加热线圈和第二可移动感应加热线圈的电源,将所述第一可移动感应加热线圈和第二可移动感应加热线圈从石墨舟舟头移动至石墨舟舟尾,进行区域熔炼,重复该熔炼过程5~7次;D)将完成所述区域熔炼后的锑取出,去掉头尾,中间部分为6N锑;E)将所述6N锑按照步骤B)~D)再次进行区域熔炼,得到7N锑。本发明具有提纯效果好、产量高、操作简单、产率高、节能环保等特点。

    一种镓的提纯方法及装置
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106048262A

    公开(公告)日:2016-10-26

    申请号:CN201610682340.6

    申请日:2016-08-17

    CPC classification number: C22B58/00

    Abstract: 本申请提供了一种镓的提纯方法,包括:提供镓的提纯装置;将籽晶镓液投入所述籽晶凹槽中,冷却所述籽晶镓液至凝固;将粗镓液倒入所述结晶槽中,进行结晶,得到结晶镓;所述结晶过程中,所述风机的风速为0.3~0.8m/s;所述控温设备的温度为28~36℃;所述热交换液的温度为20~28℃。采用提纯装置控制上述特定的结晶条件,能够有效使粗镓提纯至高纯镓,相比于现有技术,将粗镓液重复提纯较少次数即可获得较高纯度的镓,省时省耗,效率高,操作简便易控,适于大批量工业生产。

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