高纯铟的区熔装置及区熔方法

    公开(公告)号:CN110923479B

    公开(公告)日:2024-03-26

    申请号:CN201911239129.7

    申请日:2019-12-06

    Abstract: 本发明提出一种高纯铟的区熔装置,其包括超重强化组件、气控组件、加热组件、中央控制器,气控组件包括气管组件,气控组件与超重强化组件通过气管组件连通,加热组件可移动的装配于超重强化组件内,中央控制器控制整个区熔装置。同时本发明提出一种高纯铟的区熔方法。一种本高纯铟的区熔装置及区熔方法,采用靶向超重强化区域熔炼,在超重力和强磁场共同作用下,可强化杂质在熔体中传质过程,熔体中杂质大量富集于铟原料首端、尾端和底部,有效解决了传统区域熔炼杂质分离系数接近1时分离困难、熔区受热不均匀和熔区宽度难控制、区熔次数多的问题,达到降低生产成本、能源消耗、气体资源以及高效制备高纯铟的目的。

    高纯铟的区熔装置及区熔方法

    公开(公告)号:CN110923479A

    公开(公告)日:2020-03-27

    申请号:CN201911239129.7

    申请日:2019-12-06

    Abstract: 本发明提出一种高纯铟的区熔装置,其包括超重强化组件、气控组件、加热组件、中央控制器,气控组件包括气管组件,气控组件与超重强化组件通过气管组件连通,加热组件可移动的装配于超重强化组件内,中央控制器控制整个区熔装置。同时本发明提出一种高纯铟的区熔方法。一种本高纯铟的区熔装置及区熔方法,采用靶向超重强化区域熔炼,在超重力和强磁场共同作用下,可强化杂质在熔体中传质过程,熔体中杂质大量富集于铟原料首端、尾端和底部,有效解决了传统区域熔炼杂质分离系数接近1时分离困难、熔区受热不均匀和熔区宽度难控制、区熔次数多的问题,达到降低生产成本、能源消耗、气体资源以及高效制备高纯铟的目的。

    铜铟镓合金粉末制备装置及方法

    公开(公告)号:CN108500280A

    公开(公告)日:2018-09-07

    申请号:CN201810466403.3

    申请日:2018-05-16

    Abstract: 本发明涉及一种铜铟镓合金粉末制备装置及方法。采用本发明提出的铜铟镓合金粉末制备装置及方法所制备得到的铜铟镓粉的纯度较高,杂质总含量小于5ppm,元素组分均匀,粉末球形度较好,而且制备工程中不会产生污染和浪费,粒度和形貌不合格粉体会回收再熔炼制粉,且最终制备的高纯合金粉末元素组分含量到达设计要求、元素分布均匀。

    一种碲锌镉多晶的制备方法

    公开(公告)号:CN106435738A

    公开(公告)日:2017-02-22

    申请号:CN201610836469.8

    申请日:2016-09-20

    CPC classification number: C30B29/48 C30B28/02

    Abstract: 本发明提供了一种碲锌镉多晶的制备方法,包括:A)将碲化镉粉体与碲化锌粉体混合均匀,得到混合粉体;B)在真空条件下,将所述混合粉体升温至600~750℃,保温,加压,得到第一烧结体;C)对所述第一烧结体进行一次降温,卸压,再进行二次降温,得到碲锌镉多晶。采用本发明的方法,在较低的温度下即可制备得到碲锌镉多晶,安全易控,节省能耗,有利于降低成本,且得到的碲锌镉多晶品质高、无偏析,采用本申请的方法有利于进行大批量生产。

    二砷化三锌的制备方法
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104944468B

    公开(公告)日:2017-01-18

    申请号:CN201410118048.2

    申请日:2014-03-26

    Abstract: 本发明提供了一种二砷化三锌的制备方法,包括步骤:按二砷化三锌中砷与锌的摩尔配比称取对应重量的高纯砷颗粒以及高纯锌锭,将称得的高纯砷颗粒均匀地铺洒在一坩埚舟内,之后将高纯锌锭覆盖在高纯砷颗粒上,然后将坩埚舟水平放入平口石英管内;利用真空机组将装有高纯砷颗粒和高纯锌锭的平口石英管抽真空,然后利用氢氧火焰对平口石英管口进行高温密封;将密封后的平口石英管放入水平合成炉内,加热并保温一段时间,随后停止加热并使水平合成炉自然降温;待水平合成炉降至常温后,取出并敲开平口石英管,即得到高纯的二砷化三锌结晶体。本发明的制备方法提升了合成过程的反应速度,能够很好地控制合成过程中的砷蒸气压,使反应完全充分。

    一种碲化亚铜的制备方法

    公开(公告)号:CN106241752A

    公开(公告)日:2016-12-21

    申请号:CN201610838896.X

    申请日:2016-09-20

    CPC classification number: C01B19/007 C01P2006/80

    Abstract: 本发明提供了一种碲化亚铜的制备方法,包括以下步骤:将单质铜和单质碲混合,在真空的条件下加热反应,得到碲化亚铜。本发明公开的制备方法用到的原料组分较少,在添加了单质铜和单质碲后,无需再额外添加其他原料,无需高压,就可以制得碲化亚铜,且制得的碲化亚铜质量较优,纯度较高。同时,制备方法简单易行,无需采用复杂且昂贵的设备,制备成本较低。

    镓粒的制备方法
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103157799B

    公开(公告)日:2015-07-29

    申请号:CN201110423021.0

    申请日:2011-12-15

    Abstract: 本发明提供一种镓粒的制备方法,所述制备方法包括步骤:将冷却剂加入到一容器中,以使冷却剂在所述容器中形成冷却剂层,所述冷却剂为甘油和水的混合液或者为酒精和水的混合液,所述水为Ⅰ级高纯水或者Ⅱ级高纯水;将保温剂加入到所述容器中,以在所述冷却剂层上形成一保温剂层,所述保温剂为Ⅰ级高纯水或者Ⅱ级高纯水;将液态镓加入到滴定器中;将所述滴定器的滴定口插入所述保温剂层中;使所述液态镓从所述滴定器中流出,以使从所述滴定器中流出的液态镓在所述滴定器的滴定口形成镓液滴、镓液滴脱离所述滴定口、流经所述保温剂层、并进入到所述冷却剂层中,以形成镓粒。本发明所述的镓粒的制备方法中,镓粒的粒径可控且均匀度好。

    三硒化二铋的制备方法

    公开(公告)号:CN103449384B

    公开(公告)日:2015-04-01

    申请号:CN201210170233.7

    申请日:2012-05-28

    CPC classification number: C01B19/007

    Abstract: 本发明提供一种三硒化二铋的制备方法,包括步骤:将硒粉和铋粉按规定摩尔比混合,以获得混料,其中硒过量;将混料装入石墨舟内;装有混料的石墨舟放入石英管内;将石英管置于水平合成炉内;向石英管内通入惰性气体;在惰性气体保护下,使得水平合成炉加热升温至三硒化二铋的熔点以上,以使硒铋和进行合成反应,以获得三硒化二铋;在合成反应之后,使水平合成炉降温至室温,以获得三硒化二铋晶体。本发明对设备要求低、成本低、产品质量好、无毒害、污染物少。

    高纯镉的制备方法
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103184347B

    公开(公告)日:2014-09-17

    申请号:CN201110448870.1

    申请日:2011-12-28

    CPC classification number: Y02P10/214

    Abstract: 本发明提供一种高纯镉的制备方法,包括:将镉原料放置于石英舟内;将装有镉原料的石英舟水平放入区熔料管内,并封闭区熔料管;通入还原气体;使区熔加热管移至石英舟内的镉原料头部;加热并熔化石英舟内的镉原料的头部,以形成熔区,达到规定熔区宽度时,使区熔加热管以规定速率运动,以完成一次区熔作业;当一次区熔作业完成后,区熔加热管返回至石英舟内的镉原料的头部并按重复区熔作业;完成重复次数的区熔作业后,停车并使区熔作业后的镉原料冷却;将头部和尾部各切除规定长度,以完成一次循环操作,切除后剩余的镉原料作为下一次循环操作处理的镉原料,重复前述所有步骤八预定循环次数。相比现有技术,本发明能获得高于现有技术纯度的镉。

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