高纯铟的区熔装置及区熔方法

    公开(公告)号:CN110923479B

    公开(公告)日:2024-03-26

    申请号:CN201911239129.7

    申请日:2019-12-06

    Abstract: 本发明提出一种高纯铟的区熔装置,其包括超重强化组件、气控组件、加热组件、中央控制器,气控组件包括气管组件,气控组件与超重强化组件通过气管组件连通,加热组件可移动的装配于超重强化组件内,中央控制器控制整个区熔装置。同时本发明提出一种高纯铟的区熔方法。一种本高纯铟的区熔装置及区熔方法,采用靶向超重强化区域熔炼,在超重力和强磁场共同作用下,可强化杂质在熔体中传质过程,熔体中杂质大量富集于铟原料首端、尾端和底部,有效解决了传统区域熔炼杂质分离系数接近1时分离困难、熔区受热不均匀和熔区宽度难控制、区熔次数多的问题,达到降低生产成本、能源消耗、气体资源以及高效制备高纯铟的目的。

    高纯铟的区熔装置及区熔方法

    公开(公告)号:CN110923479A

    公开(公告)日:2020-03-27

    申请号:CN201911239129.7

    申请日:2019-12-06

    Abstract: 本发明提出一种高纯铟的区熔装置,其包括超重强化组件、气控组件、加热组件、中央控制器,气控组件包括气管组件,气控组件与超重强化组件通过气管组件连通,加热组件可移动的装配于超重强化组件内,中央控制器控制整个区熔装置。同时本发明提出一种高纯铟的区熔方法。一种本高纯铟的区熔装置及区熔方法,采用靶向超重强化区域熔炼,在超重力和强磁场共同作用下,可强化杂质在熔体中传质过程,熔体中杂质大量富集于铟原料首端、尾端和底部,有效解决了传统区域熔炼杂质分离系数接近1时分离困难、熔区受热不均匀和熔区宽度难控制、区熔次数多的问题,达到降低生产成本、能源消耗、气体资源以及高效制备高纯铟的目的。

    从铟电解后液中回收铟的方法

    公开(公告)号:CN110923751A

    公开(公告)日:2020-03-27

    申请号:CN201911188779.3

    申请日:2019-11-28

    Abstract: 本发明涉及一种从铟电解后液中回收铟的方法,该方法包括如下步骤:S1、一次电积:将铟电解后液置于电积设备中,对铟电解后液进行加热并使其在电积设备中循环流动,所述铟电解后液中铟浓度为40~45g/L;将电积设备通电,开始一次电积,电积过程中向铟电解后液中滴加碱性pH调节剂,滴加过程中持续搅拌,之后停止电积,在阴极收集第一产物,剩下的铟电解后液为一次电积尾液;S2、二次电积:对一次电积尾液进行加热并使其在电积设备中循环流动,将电积设备通电,开始二次电积,电积过程中向一次电积尾液中滴加碱性pH调节剂,滴加过程中持续搅拌,之后停止电积,在阴极收集第二产物,剩下的一次电积尾液为二次电积尾液。本方法所得铟粉纯度高、无污染。

    镓提纯装置及方法
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110938755B

    公开(公告)日:2021-06-11

    申请号:CN201911141564.6

    申请日:2019-11-20

    Abstract: 本发明涉及一种镓提纯装置及方法,该装置包括冷却组件、籽晶组件、结晶槽组件,结晶槽组件位于籽晶组件的正下方并与籽晶组件固定连接,冷却组件包括冷却液储槽、冷却包套、连接冷却液储槽和冷却包套的冷却管;结晶槽组件包括输料管、结晶槽、放料管以及隔膜;结晶槽包括结晶槽上部、结晶槽下部,隔膜分隔于结晶槽上部、结晶槽下部之间,输料管、放料管均与结晶槽连通;结晶槽上部与水平方向形成的夹角θ;结晶槽下部与水平方向形成的夹角α;结晶槽上部的水平截面直径自上而下逐渐增大,结晶槽上部全部或者部分被冷却包套包覆。该镓提纯装置及方法能够提供一种温场,在这样的温场下进行结晶,可以实现镓结晶过程从熔融镓上表面逐渐向下进行。

    高纯铟的制备方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111118545A

    公开(公告)日:2020-05-08

    申请号:CN201911188550.X

    申请日:2019-11-28

    Abstract: 本发明提出一种高纯铟的制备方法,该制备方法包括如下步骤:S1、将纯度为3N~4N的铟原料加入浓硫酸溶液中形成混合液,加热混合液至铟原料全部溶解后调节pH,得到含铟溶液;S2、以S1中的含铟溶液为电解液置于电积设备中,加热电解液并使其在电积设备中循环流动;S3、将电积设备通电,开始电积,电积过程中向电解液中滴加碱性pH调节剂控制电解液pH,滴加过程中持续搅拌,电积一段时间后停止电积,收集阴极产物;S4、将S3得到的阴极产物进行后处理即得到高纯铟。本发明通过泵使得电解液在电积设备中不断循环流动,可以使电积过程在高电流密度下进行,电解液的高速流动加强液相传质,有效消除浓差极化,避免电解液中杂质离子与铟同时析出。

    镓提纯装置及方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110938755A

    公开(公告)日:2020-03-31

    申请号:CN201911141564.6

    申请日:2019-11-20

    Abstract: 本发明涉及一种镓提纯装置及方法,该装置包括冷却组件、籽晶组件、结晶槽组件,结晶槽组件位于籽晶组件的正下方并与籽晶组件固定连接,冷却组件包括冷却液储槽、冷却包套、连接冷却液储槽和冷却包套的冷却管;结晶槽组件包括输料管、结晶槽、放料管以及隔膜;结晶槽包括结晶槽上部、结晶槽下部,隔膜分隔于结晶槽上部、结晶槽下部之间,输料管、放料管均与结晶槽连通;结晶槽上部与水平方向形成的夹角θ;结晶槽下部与水平方向形成的夹角α;结晶槽上部的水平截面直径自上而下逐渐增大,结晶槽上部全部或者部分被冷却包套包覆。该镓提纯装置及方法能够提供一种温场,在这样的温场下进行结晶,可以实现镓结晶过程从熔融镓上表面逐渐向下进行。

    高纯铟的区熔装置
    8.
    实用新型

    公开(公告)号:CN211734444U

    公开(公告)日:2020-10-23

    申请号:CN201922168478.6

    申请日:2019-12-06

    Abstract: 本实用新型提出一种高纯铟的区熔装置,其包括超重强化组件、气控组件、加热组件、中央控制器,气控组件包括气管组件,气控组件与超重强化组件通过气管组件连通,加热组件可移动的装配于超重强化组件内,中央控制器控制整个区熔装置。本高纯铟的区熔装置,采用靶向超重强化区域熔炼,在超重力和强磁场共同作用下,可强化杂质在熔体中传质过程,熔体中杂质大量富集于铟原料首端、尾端和底部,有效解决了传统区域熔炼杂质分离系数接近1时分离困难、熔区受热不均匀和熔区宽度难控制、区熔次数多的问题,达到降低生产成本、能源消耗、气体资源以及高效制备高纯铟的目的。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    一种从废旧三元锂离子电池粉末中优先提锂的方法

    公开(公告)号:CN119979906A

    公开(公告)日:2025-05-13

    申请号:CN202510087228.7

    申请日:2025-01-20

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明属于废旧锂离子电池回收技术领域,公开了一种从废旧三元锂离子电池粉末中优先提锂的方法:将废旧三元锂离子电池粉末与水、硫酸铵、浓硫酸混合成浆体;将所述浆体进行熟化处理;将熟化后的物料研磨后水浸,得到含锂溶液和水浸渣。本发明提出的从废旧三元锂离子电池粉末中优先提锂的方法,联合了火法冶金和湿法冶金手段,不仅所需能耗低,反应体系温度远低于常规火法工艺所需的高温,而且在回收锂的过程中展现出显著的选择性,这种选择性不仅提高了锂的回收效率,减少了其他金属的干扰,还使得所需试剂种类少、用量低。此外,该方法后续不需要繁琐的除杂手段,是一种工业成本低、回报率高的处理废旧三元锂离子电池粉末的方法。

    一种中和沉淀富集回收砷化镓浸出液中镓砷的方法

    公开(公告)号:CN116516183B

    公开(公告)日:2025-05-06

    申请号:CN202310327915.2

    申请日:2023-03-30

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明公开了一种中和沉淀富集回收砷化镓浸出液中镓砷的方法,包括以下步骤:(1)向砷化镓碱性浸出液中加入酸调节pH,使浸出液中的砷和镓中和沉淀,沉淀完全后过滤分离得到中和渣和中和后液;(2)向中和渣中加入碱并加热溶解,得到镓砷富集液;(3)将镓砷富集液冷却,低温静置冷却结晶,然后抽滤分离得到含砷晶体和富镓母液;(4)将富镓母液通过旋流电积回收其中的镓离子,得到金属镓。本发明采用中和沉淀法工艺富集镓和砷,成本较低且操作简便,保证了电解液中镓的高浓度,后续采用冷却结晶脱砷,再旋流电积,脱砷后溶液中镓的浓度高,砷等杂质离子的浓度较低,有利于后续电积回收金属镓。

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