镓提纯装置及方法
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110938755B

    公开(公告)日:2021-06-11

    申请号:CN201911141564.6

    申请日:2019-11-20

    Abstract: 本发明涉及一种镓提纯装置及方法,该装置包括冷却组件、籽晶组件、结晶槽组件,结晶槽组件位于籽晶组件的正下方并与籽晶组件固定连接,冷却组件包括冷却液储槽、冷却包套、连接冷却液储槽和冷却包套的冷却管;结晶槽组件包括输料管、结晶槽、放料管以及隔膜;结晶槽包括结晶槽上部、结晶槽下部,隔膜分隔于结晶槽上部、结晶槽下部之间,输料管、放料管均与结晶槽连通;结晶槽上部与水平方向形成的夹角θ;结晶槽下部与水平方向形成的夹角α;结晶槽上部的水平截面直径自上而下逐渐增大,结晶槽上部全部或者部分被冷却包套包覆。该镓提纯装置及方法能够提供一种温场,在这样的温场下进行结晶,可以实现镓结晶过程从熔融镓上表面逐渐向下进行。

    高纯铟的制备方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111118545A

    公开(公告)日:2020-05-08

    申请号:CN201911188550.X

    申请日:2019-11-28

    Abstract: 本发明提出一种高纯铟的制备方法,该制备方法包括如下步骤:S1、将纯度为3N~4N的铟原料加入浓硫酸溶液中形成混合液,加热混合液至铟原料全部溶解后调节pH,得到含铟溶液;S2、以S1中的含铟溶液为电解液置于电积设备中,加热电解液并使其在电积设备中循环流动;S3、将电积设备通电,开始电积,电积过程中向电解液中滴加碱性pH调节剂控制电解液pH,滴加过程中持续搅拌,电积一段时间后停止电积,收集阴极产物;S4、将S3得到的阴极产物进行后处理即得到高纯铟。本发明通过泵使得电解液在电积设备中不断循环流动,可以使电积过程在高电流密度下进行,电解液的高速流动加强液相传质,有效消除浓差极化,避免电解液中杂质离子与铟同时析出。

    镓提纯装置及方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110938755A

    公开(公告)日:2020-03-31

    申请号:CN201911141564.6

    申请日:2019-11-20

    Abstract: 本发明涉及一种镓提纯装置及方法,该装置包括冷却组件、籽晶组件、结晶槽组件,结晶槽组件位于籽晶组件的正下方并与籽晶组件固定连接,冷却组件包括冷却液储槽、冷却包套、连接冷却液储槽和冷却包套的冷却管;结晶槽组件包括输料管、结晶槽、放料管以及隔膜;结晶槽包括结晶槽上部、结晶槽下部,隔膜分隔于结晶槽上部、结晶槽下部之间,输料管、放料管均与结晶槽连通;结晶槽上部与水平方向形成的夹角θ;结晶槽下部与水平方向形成的夹角α;结晶槽上部的水平截面直径自上而下逐渐增大,结晶槽上部全部或者部分被冷却包套包覆。该镓提纯装置及方法能够提供一种温场,在这样的温场下进行结晶,可以实现镓结晶过程从熔融镓上表面逐渐向下进行。

    高纯铟的区熔装置及区熔方法

    公开(公告)号:CN110923479B

    公开(公告)日:2024-03-26

    申请号:CN201911239129.7

    申请日:2019-12-06

    Abstract: 本发明提出一种高纯铟的区熔装置,其包括超重强化组件、气控组件、加热组件、中央控制器,气控组件包括气管组件,气控组件与超重强化组件通过气管组件连通,加热组件可移动的装配于超重强化组件内,中央控制器控制整个区熔装置。同时本发明提出一种高纯铟的区熔方法。一种本高纯铟的区熔装置及区熔方法,采用靶向超重强化区域熔炼,在超重力和强磁场共同作用下,可强化杂质在熔体中传质过程,熔体中杂质大量富集于铟原料首端、尾端和底部,有效解决了传统区域熔炼杂质分离系数接近1时分离困难、熔区受热不均匀和熔区宽度难控制、区熔次数多的问题,达到降低生产成本、能源消耗、气体资源以及高效制备高纯铟的目的。

    高纯铟的区熔装置及区熔方法

    公开(公告)号:CN110923479A

    公开(公告)日:2020-03-27

    申请号:CN201911239129.7

    申请日:2019-12-06

    Abstract: 本发明提出一种高纯铟的区熔装置,其包括超重强化组件、气控组件、加热组件、中央控制器,气控组件包括气管组件,气控组件与超重强化组件通过气管组件连通,加热组件可移动的装配于超重强化组件内,中央控制器控制整个区熔装置。同时本发明提出一种高纯铟的区熔方法。一种本高纯铟的区熔装置及区熔方法,采用靶向超重强化区域熔炼,在超重力和强磁场共同作用下,可强化杂质在熔体中传质过程,熔体中杂质大量富集于铟原料首端、尾端和底部,有效解决了传统区域熔炼杂质分离系数接近1时分离困难、熔区受热不均匀和熔区宽度难控制、区熔次数多的问题,达到降低生产成本、能源消耗、气体资源以及高效制备高纯铟的目的。

    从铟电解后液中回收铟的方法

    公开(公告)号:CN110923751A

    公开(公告)日:2020-03-27

    申请号:CN201911188779.3

    申请日:2019-11-28

    Abstract: 本发明涉及一种从铟电解后液中回收铟的方法,该方法包括如下步骤:S1、一次电积:将铟电解后液置于电积设备中,对铟电解后液进行加热并使其在电积设备中循环流动,所述铟电解后液中铟浓度为40~45g/L;将电积设备通电,开始一次电积,电积过程中向铟电解后液中滴加碱性pH调节剂,滴加过程中持续搅拌,之后停止电积,在阴极收集第一产物,剩下的铟电解后液为一次电积尾液;S2、二次电积:对一次电积尾液进行加热并使其在电积设备中循环流动,将电积设备通电,开始二次电积,电积过程中向一次电积尾液中滴加碱性pH调节剂,滴加过程中持续搅拌,之后停止电积,在阴极收集第二产物,剩下的一次电积尾液为二次电积尾液。本方法所得铟粉纯度高、无污染。

    高纯铟的区熔装置
    8.
    实用新型

    公开(公告)号:CN211734444U

    公开(公告)日:2020-10-23

    申请号:CN201922168478.6

    申请日:2019-12-06

    Abstract: 本实用新型提出一种高纯铟的区熔装置,其包括超重强化组件、气控组件、加热组件、中央控制器,气控组件包括气管组件,气控组件与超重强化组件通过气管组件连通,加热组件可移动的装配于超重强化组件内,中央控制器控制整个区熔装置。本高纯铟的区熔装置,采用靶向超重强化区域熔炼,在超重力和强磁场共同作用下,可强化杂质在熔体中传质过程,熔体中杂质大量富集于铟原料首端、尾端和底部,有效解决了传统区域熔炼杂质分离系数接近1时分离困难、熔区受热不均匀和熔区宽度难控制、区熔次数多的问题,达到降低生产成本、能源消耗、气体资源以及高效制备高纯铟的目的。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    一种分离并回收砷化镓废料中镓砷的方法

    公开(公告)号:CN116640939B

    公开(公告)日:2025-04-01

    申请号:CN202310518567.7

    申请日:2023-05-09

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明公开了一种分离并回收砷化镓废料中镓砷的方法,包括以下步骤:(1)向砷化镓废料中加入碱和氧化剂选择性浸出砷化镓废料中和砷和镓,浸出完成后分离得到浸出渣和浸出液,浸出液经过多次循环浸出后得到循环浸出母液;(2)将循环浸出母液先加热,随后低温静置冷却结晶,待沉淀完全后分离结晶,得到砷酸钠晶体和一次富镓母液;(3)向一次富镓母液中加入沉砷剂二次沉砷,分离得到沉砷渣和二次富镓母液;(4)将二次富镓母液通过旋流电积回收其中的镓离子,得到金属镓。本发明的分离并回收砷化镓废料中镓砷的方法,该方法可得到高浓度的镓砷富集液,镓砷分离后,富镓母液中砷浓度低,有利于镓的电积回收。

    一种采用籽晶引晶制备高纯碲的方法

    公开(公告)号:CN115584556B

    公开(公告)日:2024-10-15

    申请号:CN202211124135.X

    申请日:2022-09-15

    Applicant: 中南大学

    Abstract: 本发明公开了一种采用籽晶引晶制备高纯碲的方法,该方法包括以下步骤:(1)将碲原料装入石墨舟,在石墨舟头部放入籽晶,装入区熔炉体,调整炉内为还原性氛围;(2)进行引晶;(3)进行区熔;(4)重复步骤(2)、(3)8~12次,冷却至室温,取出高纯碲样品,切割加工得到高纯碲。本发明采用籽晶引导碲晶体生长,使碲原料中的间隙分布更加均匀,改善区熔过程中杂质在碲原料中的扩散环境,从而提高区熔过程除杂效率。本发明引晶过程是在还原密闭条件下进行的,且引晶后直接进行区熔操作,二次污染风险小,产品纯度高,产品纯度达到7N碲标准。

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