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公开(公告)号：CN107195697A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710402803.3
申请日：2017-06-01
Applicant: 中南大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/032 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/02167 , H01L31/0322
Abstract: 本发明公开了一种铜钡(锶/钙)锡硫(硒)薄膜的制备方法，该方法是先分别制备含有钡(锶/钙)的溶液和铜锡硫溶液，然后再进一步将两种溶液在稳定剂和成膜剂存在条件下混合得到稳定的前驱体溶液，然后镀膜、预烧得到预制层，最后再经过退火工艺，制备出铜钡(锶/钙)锡硫、铜钡(锶/钙)锡硒或铜钡(锶/钙)锡硫硒薄膜；该方法相对现有的真空镀膜法具有操作简单、反应条件温和、对设备要求低、成本低廉、易于工业化生产的优点，制备的铜钡(锶/钙)锡硫硒薄膜成膜质量佳，颗粒较大，物相纯正，有利于提高薄膜材料的光伏性能。
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公开(公告)号：CN107829071B
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201711143977.9
申请日：2017-11-17
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种铜锑硫薄膜材料的制备方法，该铜锑硫薄膜材料的制备方法包括以下步骤：基材表面清洁处理；在清洁处理后的基材表面通过射频或直流反应共溅射沉积Cu‑Sb‑S预制层；将表面沉积有Cu‑Sb‑S预制层的基材放入反应性气氛下进行高温退火处理；对高温退火处理后的Cu‑Sb‑S预制层的表面进行刻蚀处理，得到铜锑硫薄膜材料。本发明提出的铜锑硫薄膜材料的制备方法具有成本低、薄膜成分易控可调、重现性好和适合薄膜大面积生长等优点，所制备的薄膜具有良好的成分可控性和均匀性，以及优越的结晶质量及性质。
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公开(公告)号：CN108277467A
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201810127002.5
申请日：2018-02-08
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种Cu2BaSn(SxSe1-x)4薄膜材料的制备方法，该铜钡锡硫硒薄膜材料的制备方法包括：在清洁处理后的基材表面通过反应溅射沉积Cu-Ba-Sn-S/Se预制层；将表面沉积有预制层的基材放入反应性气氛下进行高温退火处理；对高温退火处理后的Cu2BaSn(SxSe1-x)4的表面进行刻蚀处理，得到高质量Cu2BaSn(SxSe1-x)4薄膜材料。本发明提出的Cu2BaSn(SxSe1-x)4薄膜材料的制备方法具有成本低、薄膜成分易控可调、重现性好和适合薄膜大面积生长等优点，所制备的薄膜具有良好的成分可控性和均匀性，以及优越的结晶质量及性质。
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公开(公告)号：CN107829071A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201711143977.9
申请日：2017-11-17
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种铜锑硫薄膜材料的制备方法，该铜锑硫薄膜材料的制备方法包括以下步骤：基材表面清洁处理；在清洁处理后的基材表面通过射频或直流反应共溅射沉积Cu-Sb-S预制层；将表面沉积有Cu-Sb-S预制层的基材放入反应性气氛下进行高温退火处理；对高温退火处理后的Cu-Sb-S预制层的表面进行刻蚀处理，得到铜锑硫薄膜材料。本发明提出的铜锑硫薄膜材料的制备方法具有成本低、薄膜成分易控可调、重现性好和适合薄膜大面积生长等优点，所制备的薄膜具有良好的成分可控性和均匀性，以及优越的结晶质量及性质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108428753B
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201810254059.1
申请日：2018-03-26
Applicant: 中南大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0336 , H01L31/0725 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种半透明薄膜太阳电池及其制备方法，其中，该半透明薄膜太阳电池包括依次层叠的玻璃衬底、透明导电层、电子传输层、Sb2S3光吸收层、V2O5空穴传输层和背电极。本发明利用V2O5替代有机物作为薄膜太阳电池的空穴传输层，其能与Sb2S3光吸收层形成良好的能级匹配，而且在V2O5空穴传输层的制备过程中，可以有效去除Sb2S3光吸收层中的氧化物等杂质，进而提高基于Sb2S3材料为吸收层的半透明薄膜太阳电池的稳定性和器件效率。
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公开(公告)号：CN108428753A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201810254059.1
申请日：2018-03-26
Applicant: 中南大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0336 , H01L31/0725 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种半透明薄膜太阳电池及其制备方法，其中，该半透明薄膜太阳电池包括依次层叠的玻璃衬底、透明导电层、电子传输层、Sb2S3光吸收层、V2O5空穴传输层和背电极。本发明利用V2O5替代有机物作为薄膜太阳电池的空穴传输层，其能与Sb2S3光吸收层形成良好的能级匹配，而且在V2O5空穴传输层的制备过程中，可以有效去除Sb2S3光吸收层中的氧化物等杂质，进而提高基于Sb2S3材料为吸收层的半透明薄膜太阳电池的稳定性和器件效率。
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公开(公告)号：CN108251811A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201810062500.6
申请日：2018-01-23
Applicant: 中南大学
CPC classification number: C23C14/352 , C23C14/0036 , C23C14/0623 , C23C14/5873
Abstract: 本发明公开了一种In2(SxSe1‑x)3薄膜材料的制备方法，该In2(SxSe1‑x)3薄膜材料的制备方法包括：第一步，对基材表面进行清洁处理；第二步，在清洁处理后的基材表面通过磁控反应溅射法一步沉积In2(SxSe1‑x)3薄膜，其中，0≤x≤1；第三步，对In2(SxSe1‑x)3薄膜表面进行刻蚀处理。本发明提出的In2(SxSe1‑x)3薄膜材料的制备方法具有成本低、薄膜成分易控可调、重现性好和适合薄膜大面积生长等优点，所制备的薄膜具有良好的成分可控性和均匀性，优越的结晶质量及透光性。
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公开(公告)号：CN107195697B
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201710402803.3
申请日：2017-06-01
Applicant: 中南大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种铜钡(锶/钙)锡硫(硒)薄膜的制备方法，该方法是先分别制备含有钡(锶/钙)的溶液和铜锡硫溶液，然后再进一步将两种溶液在稳定剂和成膜剂存在条件下混合得到稳定的前驱体溶液，然后镀膜、预烧得到预制层，最后再经过退火工艺，制备出铜钡(锶/钙)锡硫、铜钡(锶/钙)锡硒或铜钡(锶/钙)锡硫硒薄膜；该方法相对现有的真空镀膜法具有操作简单、反应条件温和、对设备要求低、成本低廉、易于工业化生产的优点，制备的铜钡(锶/钙)锡硫硒薄膜成膜质量佳，颗粒较大，物相纯正，有利于提高薄膜材料的光伏性能。
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公开(公告)号：CN108342702A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201810126896.6
申请日：2018-02-08
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种Cu2SrSn(SxSe1-x)4薄膜材料的制备方法，该铜锶锡硫硒薄膜材料的制备方法包括：在清洁处理后的基材表面通过反应溅射沉积Cu-Sr-Sn-S/Se预制层；将表面沉积有预制层的基材放入反应性气氛下进行高温退火处理；对高温退火处理后的Cu2SrSn(SxSe1-x)4的表面进行刻蚀处理，得到高质量Cu2SrSn(SxSe1-x)4薄膜材料。本发明提出的Cu2SrSn(SxSe1-x)4薄膜材料的制备方法具有成本低、薄膜成分易控可调、重现性好和适合薄膜大面积生长等优点，所制备的薄膜具有良好的成分可控性和均匀性，以及优越的结晶质量及性质。
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