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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107910444A
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201711145073.X
申请日：2017-11-17
Applicant: 中南大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/4213 , H01L51/0077 , H01L2251/301
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿太阳电池，该钙钛矿太阳电池包括用于产生电子空穴对的光活性层和用于传输所述空穴的空穴传输层，所述空穴传输层包括硒单质、碲单质、硒碲合金或硒碲叠层物。本发明提出的技术方案中，将无机材料硒和碲应用于钙钛矿太阳电池的空穴传输层，取代有机空穴传输材料，可以降低器件的制作成本，提高器件的稳定性，并且提高载流子传输能力，获得较好的器件性能。
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公开(公告)号：CN108428753B
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201810254059.1
申请日：2018-03-26
Applicant: 中南大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0336 , H01L31/0725 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种半透明薄膜太阳电池及其制备方法，其中，该半透明薄膜太阳电池包括依次层叠的玻璃衬底、透明导电层、电子传输层、Sb2S3光吸收层、V2O5空穴传输层和背电极。本发明利用V2O5替代有机物作为薄膜太阳电池的空穴传输层，其能与Sb2S3光吸收层形成良好的能级匹配，而且在V2O5空穴传输层的制备过程中，可以有效去除Sb2S3光吸收层中的氧化物等杂质，进而提高基于Sb2S3材料为吸收层的半透明薄膜太阳电池的稳定性和器件效率。
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公开(公告)号：CN108428753A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201810254059.1
申请日：2018-03-26
Applicant: 中南大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0336 , H01L31/0725 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种半透明薄膜太阳电池及其制备方法，其中，该半透明薄膜太阳电池包括依次层叠的玻璃衬底、透明导电层、电子传输层、Sb2S3光吸收层、V2O5空穴传输层和背电极。本发明利用V2O5替代有机物作为薄膜太阳电池的空穴传输层，其能与Sb2S3光吸收层形成良好的能级匹配，而且在V2O5空穴传输层的制备过程中，可以有效去除Sb2S3光吸收层中的氧化物等杂质，进而提高基于Sb2S3材料为吸收层的半透明薄膜太阳电池的稳定性和器件效率。
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公开(公告)号：CN107829071B
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201711143977.9
申请日：2017-11-17
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种铜锑硫薄膜材料的制备方法，该铜锑硫薄膜材料的制备方法包括以下步骤：基材表面清洁处理；在清洁处理后的基材表面通过射频或直流反应共溅射沉积Cu‑Sb‑S预制层；将表面沉积有Cu‑Sb‑S预制层的基材放入反应性气氛下进行高温退火处理；对高温退火处理后的Cu‑Sb‑S预制层的表面进行刻蚀处理，得到铜锑硫薄膜材料。本发明提出的铜锑硫薄膜材料的制备方法具有成本低、薄膜成分易控可调、重现性好和适合薄膜大面积生长等优点，所制备的薄膜具有良好的成分可控性和均匀性，以及优越的结晶质量及性质。
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公开(公告)号：CN107829071A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201711143977.9
申请日：2017-11-17
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种铜锑硫薄膜材料的制备方法，该铜锑硫薄膜材料的制备方法包括以下步骤：基材表面清洁处理；在清洁处理后的基材表面通过射频或直流反应共溅射沉积Cu-Sb-S预制层；将表面沉积有Cu-Sb-S预制层的基材放入反应性气氛下进行高温退火处理；对高温退火处理后的Cu-Sb-S预制层的表面进行刻蚀处理，得到铜锑硫薄膜材料。本发明提出的铜锑硫薄膜材料的制备方法具有成本低、薄膜成分易控可调、重现性好和适合薄膜大面积生长等优点，所制备的薄膜具有良好的成分可控性和均匀性，以及优越的结晶质量及性质。
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